一种ITO薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及薄膜加工技术领域，公开了一种ITO薄膜的制备方法，首先对基片进行预清洗，以除去基片的表面脏污及灰尘，再以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材进行预溅射，从而清洗靶面，接着保证处理腔的温度加热至100℃～150℃，并在处理腔的真空度为2.5

【技术实现步骤摘要】
一种ITO薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及薄膜加工
，特别是涉及一种ITO薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]ITO薄膜(氧化铟锡薄膜)的制作过程是将一种材料(薄膜材料)转移到另一种材料(基板)的表面，形成和基底牢固结合的薄膜的过程。常用的ITO薄膜制备工艺有化学气相沉积、真空反应蒸发、溶胶-凝胶法、喷射热分解、微波ECR等离子体反应蒸发沉积和脉冲激光沉积等。目前，为了对TFT(Thin-Film Transistor)基板进行防静电，大多采用蒸发镀膜等方法在TFT基板上制备ITO薄膜，但是，传统的蒸发镀膜所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较差，因此防静电效果较差。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种ITO薄膜的制备方法，其能够克服传统的蒸发镀膜所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较差导致防静电效果较差的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种ITO薄膜的制备方法，包括：
[0005]对基片进行预清洗；
[0006]将预清洗后的基片放置于处理腔中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于，包括：对基片进行预清洗；将预清洗后的基片放置于处理腔中；以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材进行预溅射；加热处理腔的温度至100℃～150℃，并在处理腔的真空度为2.5
×
10-1
Pa～3.5
×
10-1
Pa的条件下，按照体积比16：0.5通入氩气和氧气，控制基片以预设转速旋转，并以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材对基片进行溅射，使基片上形成ITO薄膜。2.如权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述对基片进行预清洗，具体包括：将基片在去离子水中浸泡30min；将基片放入碱液中进行超声清洗，清洗时间为20min；将基片放入丙酮中进行超声清洗，清洗时间为30min；将基片放入乙醇中进行超声清洗，清洗时间为20min；将基片放入去离子水中进行超声清洗，清洗时间为15～25min；将基片依次经冷风和热风干燥，并烘干保存，得到预清洗后的基片。3.如权利要求1所述的ITO薄膜的制备方法，其特征在于，所述以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨圣合，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：