硅锭连续生长器的吸排气装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开硅锭连续生长器的吸排气装置。本实用新型专利技术的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，可在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，可在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。口以及进行排气的第二排气口。口以及进行排气的第二排气口。

【技术实现步骤摘要】
硅锭连续生长器的吸排气装置


[0001]本技术涉及用于使硅锭连续生长的锭生长装置，更具体地，涉及用于去除氧化物和杂质的硅锭连续生长器的吸排气装置。

技术介绍

[0002]通常，使用丘克拉斯基法的生长炉(Grower)将安装于腔室内部，腔室内部将使硅锭在真空气氛中生长。在基于丘克拉斯基法的连续型单晶硅生长法中，设置有从初始方式升级的供给固体多晶硅(Polysilicon)的连续生长型丘克拉斯基法(CCz)结构。该结构采用向坩埚持续供给硅的方式。代替这种供给固体多晶硅的连续生长型丘克拉斯基法结构，开发了在预备熔融器中将固体多晶硅熔融成液体状态并向中心部石英坩埚进行供给的液体给料装置。因此，需要开发用于这种装置的排气系统。
[0003]在与连续生长型丘克拉斯基法相关的现有技术中，预备熔融器和主腔室的真空气氛并不相连，在真空状态的系统中，为了便于抽取杂质，预备熔融器的压力比主腔室内部的压力小几毫巴(bar)，由此形成便于去除硅氧化物、颗粒、杂质的结构，但存在需要用于使预备熔融器形成真空状态的单独的腔室的问题。
技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。2.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，上述第二注入口贯通上述第一区域与第二区域之间的边界的上端。3.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，上述第二排气口贯通上述第二区域的外侧上端。4.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，在上述腔室中，上述第二区域从上述第一区域突出而成。5.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，上述第一注入口通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泳敏，李京锡，全韩雄，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：新型
国别省市：