【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置
[0001]本技术涉及半导体加工附属装置的
，特别是涉及一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置。
技术介绍
[0002]硅料定向凝固做成的产品。其化学成分为单晶硅。是由单晶硅组成的具有固定外形的工业产品，硅料定向凝固做成的产品。一般来说，硅料包括原生多晶硅料和单晶硅回用料，单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶炉的生产工艺流程一般如下：先将一定量的多晶硅原料放入坩埚中，加热至熔化，在拉杆下端装夹籽晶，沉浸到熔化的晶体原料中，将拉杆缓缓向上提拉，同时缓慢旋转，最终生长出圆柱体形状的单晶硅棒，现有的单晶炉普遍采用一次投料的方式，在生产完一炉后，需要等单晶炉的温度冷却后，对炉体进行清洗维护，再进行装料工作，如果出现硅材料装填不够的情况也无法弥补，浪费时间，耗费热源，增加了单晶硅的生产成本。
技术实现思路
[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本技术提供一种可以在硅材料装填不够的情况对硅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，包括炉体，炉体的内部设置有加热器(1)、保温筒(2)、电极(3)和坩埚，加热器(1)与电极(3)电性连接；其特征在于，还包括储料箱(4)、加料管(5)和加料电机(6)，所述炉体包括底部炉体(7)、中部炉体(8)和顶部炉盖(9)，所述储料箱(4)安装于顶部炉盖(9)上，并在储料箱(4)的底端连通设置有连通管(10)，所述加料管(5)的顶端与顶部炉盖(9)的底端左侧固定连接，所述加料电机(6)安装于顶部炉盖(9)的顶端，并在加料电机(6)的底部输出端设置有加料轴(11)，所述加料轴(11)的底端穿过顶部炉盖(9)伸入至加料管(5)内，并在加料轴(11)上设置有螺旋输送叶片(12)，加料管(5)的底端设置有加料嘴(13)，所述加料嘴(13)的底部输出端伸入至坩埚内，所述连通管(10)的底端与加料管(5)的外侧顶部连通，并在连通管(10)上设置有开关阀(14)。2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述加料管(5)的包括上部分的过渡段和下部分的加热段，所述加热段包括位于内层的钨合金层(15)、位于外层的石墨保护层(16)以及位于钨合金层(15)和石墨保护层(16)之间的加热腔，所述加热腔内安装有硅碳棒(17)。3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克军，
申请(专利权)人：致胜精工机电天津有限公司，
类型：新型
国别省市：
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