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一种直拉法单晶炉制造技术

技术编号:29958007 阅读:104 留言:0更新日期:2021-09-08 09:12
本实用新型专利技术涉及一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法,属于单晶硅生产技术领域。直拉法单晶炉包括炉体,炉体内设置有坩埚和加热器,坩埚包括用于盛装熔体的石英坩埚和包裹在石英坩埚外的石墨坩埚,加热器设置在石墨坩埚的外侧,石墨坩埚的底部设有坩埚轴和测温装置,测温装置穿过所述坩埚轴中心并插入石墨坩埚的底部,测温装置的底部引出有与数据处理器连接的信号数据线。通过在石墨坩埚的底部设置测温装置,用于测量石英坩埚底部的温度,实时获得在拉晶过程中石英坩埚底部的温度变化,从而调整加热器的功率。从而调整加热器的功率。从而调整加热器的功率。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉法单晶炉


[0001]本技术涉及单晶硅生产
,具体地说,涉及一种直拉法单晶炉。

技术介绍

[0002]近年来硅单晶的生长技术发展迅速,更低成本更高品质的单晶硅推动了晶硅电池走向平价发电时代。
[0003]单晶硅电池的转换效率与单晶硅的少数载流子寿命密切相关,它不仅要求原生单晶硅的少子寿命高,而且要保证在电池制作过程中,特别是电池制作的热过程中少子寿命不会大幅降低。单晶硅在拉制过程中从石英坩埚中引入了氧,这些硅中过饱和的氧在单晶炉内冷却过程中就已经聚集,并且在电池制作过程的热退火时,间隙氧进一步聚集成团,并引起少子寿命的大幅降低,因此,硅中氧含量越高,电池的转换效率越低,氧含量大到一定程度甚至引起电池的黑心低效,对电池产生严重危害。
[0004]硅中氧来源于石英坩埚,高温下液态硅料腐蚀石英坩埚内壁,坩埚中的氧进入熔体,并随熔体的流动进入整个坩埚中,绝大部分的氧(>95%)以SiO的气体的方式从液面挥发进入保护气中,少量的氧通过分凝而进入硅晶体中,决定硅中氧含量高低的是生长界面附近硅熔体中氧含量的大小,生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉法单晶炉,包括炉体,所述炉体内设置有坩埚和加热器,所述坩埚包括用于盛装熔体的石英坩埚和包裹在所述石英坩埚外的石墨坩埚,加热器设置在石墨坩埚的外侧,其特征在于:所述石墨坩埚的底部设有坩埚轴和测温装置,所述测温装置穿过所述坩埚轴中心并插入所述石墨坩埚的底部,测温装置的底部引出有与数据处理器连接的信号数据线。2.根据权利要求1所述的直拉法单晶炉,其特征在于,所述的坩埚轴的中心设有用于安装所述测温装置的空腔。3.根据权利要求2所述的直拉法单晶炉,其特征在于,所述的坩埚轴的空...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘博旸
申请(专利权)人:刘博旸
类型:新型
国别省市:

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