一种倒装LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明专利技术提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。扩展。扩展。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体发光器件
，更为具体地说，涉及一种倒装LED(light
‑
emitting diode，发光二极管)芯片及其制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种半导体固态发光器件，其利用半导体PN结电致发光原理制成。LED芯片具有开启电压低、体积小、响应快、稳定性好、寿命长、无污染等良好光电性能，因此在室外室内照明、背光、显示、交通指示等领域具有越来越广泛的应用。一般LED芯片分为正装芯片和倒装芯片，其中现有倒装LED芯片性能有待提高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题，保证倒装LED芯片发光亮度较高的基础上，提高了其可靠性，同时降低了其工艺流程及成本。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：
[0005]一种倒装LED芯片，包括：
[0006]外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；
[0007]位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；
[0008]位于所述接触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；
[0009]位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；
[0010]覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；
[0011]位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
[0012]可选的，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
[0013]可选的，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。
[0014]可选的，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加
的至少一层子绝缘层；
[0015]所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。
[0016]可选的，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；
[0017]以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；
[0018]所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
[0019]相应的，本专利技术还提供了一种倒装LED芯片的制作方法，包括：
[0020]提供外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；
[0021]在所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上形成透明导电层；
[0022]在所述接触通孔内形成与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；
[0023]在所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上形成反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；
[0024]形成覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；
[0025]在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
[0026]可选的，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。
[0027]可选的，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。
[0028]可选的，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；
[0029]所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。
[0030]可选的，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；
[0031]以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；
[0032]所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。
[0033]相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：
[0034]本专利技术提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，包括：外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；位于所述接
触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。
[0035]由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案中，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：外延片，所述外延片包括衬底，位于所述衬底一侧的第一类型半导体层，位于所述第一类型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，及位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述有源层的叠层包括有一接触通孔，所述接触通孔处裸露所述第一类型半导体层；位于所述第二类型半导体层背离所述衬底一侧表面上的透明导电层；位于所述接触通孔内且与所述第一类型半导体层接触的导电接触层；位于所述透明导电层背离所述衬底一侧表面上的反射层，其中，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子反射层，且靠近所述透明导电层的第一个所述子反射层为铝子反射层；覆盖所述外延片具有所述第二类型半导体层一侧的裸露表面、所述透明导电层的裸露表面、所述反射层的裸露表面和所述导电接触层的裸露表面的绝缘层，其中，所述绝缘层包括裸露所述导电接触层背离所述衬底一侧至少部分表面的第一通孔，及裸露所述反射层的第二通孔；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的第一电极和第二电极，其中，所述第一电极通过所述第一通孔与所述导电接触层接触相连，所述第二电极通过所述第二通孔与所述反射层接触相连。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的所述铝子反射层、第一钛子反射层、铂子反射层和第二钛子反射层。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO层；及所述透明导电层的厚度小于或等于100埃。4.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上包括依次叠加的至少一层子绝缘层；所述子绝缘层为氧化硅层、氧化钛层、氧化铪层或氟化镁层。5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述导电接触层的材质包括镍、铬、铝、钛、铂、金、钯和银中一种或多种；以及，所述第一电极和所述第二电极中至少之一者，在所述衬底至所述第二类型半导体层的方向上，包括依次叠加的至少一层子电极层；所述子电极层的材质为镍、铬、铝、钛、铂、金、钯、银或金锡合金。6.一种倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供外延片，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邬新根，卢利香，刘英策，周弘毅，刘伟，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：