一种晶圆沉积覆盖环制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆沉积覆盖环，所述晶圆沉积覆盖环呈现闭合环状，所述晶圆沉积覆盖环的内周面、上表面和外周面均覆盖有颗粒层，所述颗粒层外侧覆盖有滚花层。本实用新型专利技术所述晶圆沉积覆盖环通过在颗粒层的基础上，进一步增加滚花层的设计，有效地增加了晶圆沉积覆盖环的吸附能力，不仅可以防止溅射下来的靶材原子掉落在晶圆上的问题，进而避免晶圆产生剥皮问题或异常放电现象，防止晶圆报废，还可以有效防止溅射下来的靶材原子掉落在物理气相沉积腔体内导致腔体被污染。相沉积腔体内导致腔体被污染。相沉积腔体内导致腔体被污染。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆沉积覆盖环


[0001]本技术属于晶圆沉积镀膜
，具体涉及一种晶圆沉积覆盖环。

技术介绍

[0002]物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将作为材料源的固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
[0003]在半导体制造过程中，常常需要采用物理气相沉积设备在晶圆表面或器件表面沉积薄膜，主要的物理气相沉积技术有蒸镀和溅射，前者是借着被蒸镀物体加热，利用被蒸镀物在高温时所具有的饱和蒸汽压来进行镀膜沉积，而后者是利用等离子体产生的离子，借着离子对被溅射物体电极的轰击，使等离子体的气相内具有被镀物的粒子，然后进行沉积。
[0004]在采用物理气相沉积设备对晶圆进行加工的过程中，会将晶圆放置于承载座上，然后对晶圆进行物理气相沉积作业。然而，由于沉积过程中，沉积材料不只会附着于晶圆上，还可能会附着于承载座上未被晶圆所遮蔽的部分。在长期进行晶圆加工后，沉积物将会于承载座上累积一定的厚度，将会影响到晶圆的放置，使得被承载的晶圆容易发生移动，导致物理气相沉积镀膜的均匀性。因此，每隔一段时间必须暂停晶圆加工，清理承载座上的沉积物，造成产能受限。
[0005]为了保护承载座，现有技术的承载座上会设置有一沉积覆盖环，以覆盖承载座未被晶圆所遮蔽的部分。在物理气相沉积过程中，沉积覆盖环不仅可以遮蔽承载座，还可以覆盖在晶圆上用于吸附上端溅射靶材被打下来的靶材原子，防止溅射时腔体内产生颗粒。现有技术一般通过喷砂或熔射的方式来增加沉积覆盖环的表面粗糙度，从而增大对上端溅射靶材被打下来的靶材原子的吸附能力。
[0006]然而，仅仅通过喷砂或熔射的方式来提高沉积覆盖环的吸附能力，仍然会出现吸附能力不足而导致溅射下来的靶材原子掉落在晶圆上的问题，进而导致晶圆产生剥皮问题或异常放电现象，甚至导致晶圆报废，或者掉落在物理气相沉积腔体内导致腔体被污染。
[0007]综上所述，目前亟需开发一种新型的晶圆沉积覆盖环，可以进一步提高晶圆沉积覆盖环的吸附能力，降低由于溅射下来的靶材原子掉落所导致晶圆报废和物理气相沉积腔体被污染的风险。

技术实现思路

[0008]针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种晶圆沉积覆盖环，所述晶圆沉积覆盖环通过在颗粒层的基础上，进一步增加滚花层的设计，有效地增加了晶圆沉积覆盖环的吸附能力，降低了由于溅射下来的靶材原子掉落所导致晶圆报废和物理气相沉积腔体被污染的风险。
[0009]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0010]本技术的目的在于提供一种晶圆沉积覆盖环，所述晶圆沉积覆盖环呈现闭合
环状，所述晶圆沉积覆盖环的内周面、上表面和外周面均覆盖有颗粒层，所述颗粒层外侧覆盖有滚花层。
[0011]本技术所述晶圆沉积覆盖环通过在颗粒层的基础上，进一步增加滚花层的设计，有效地增加了晶圆沉积覆盖环的吸附能力，不仅可以防止溅射下来的靶材原子掉落在晶圆上的问题，进而避免晶圆产生剥皮问题或异常放电现象，防止晶圆报废，还可以有效防止溅射下来的靶材原子掉落在物理气相沉积腔体内导致腔体被污染。
[0012]值得说明的是，在实际物理气相沉积过程中，晶圆沉积覆盖环的内周面、上表面和外周面往往会直接承接上端溅射靶材被打下来的靶材原子，所以依次覆盖有颗粒层和滚花层，但是本技术所述颗粒层和所述滚花层还可以进一步覆盖在晶圆沉积覆盖环的下侧面，从而进一步增加晶圆沉积覆盖环的吸附能力，进一步降低由于溅射下来的靶材原子掉落所导致晶圆报废和物理气相沉积腔体被污染的风险。
[0013]以下作为本技术优选的技术方案，但不作为本技术提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本技术的技术目的和有益效果。
[0014]作为本技术优选的技术方案，所述滚花层为菱形滚花层，且所述菱形滚花层中菱形的边长为0.5
‑
1.5mm，例如0.5mm、0.6mm、0.8mm、1mm、1.2mm、1.3mm或1.5mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0015]作为本技术优选的技术方案，所述滚花层的滚花深度为0.3
‑
0.6mm，例如0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm或0.6mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0016]本技术所述菱形滚花层通过限制菱形的边长为0.5
‑
1.5mm，滚花深度为0.3
‑
0.6mm，可以有效地增加了晶圆沉积覆盖环的粗糙度，进一步提高了晶圆沉积覆盖环的吸附能力。
[0017]作为本技术优选的技术方案，所述颗粒层采用喷砂或熔射形成。
[0018]本技术所述喷砂是利用高速砂流的冲击作用清理和粗化基体表面的过程。采用压缩空气为动力，以形成高速喷射束，将喷料高速喷射到需要处理的工件表面，使工件表面的外表面的外表或形状发生变化，由于磨料对工件表面的冲击和切削作用，使工件的表面获得一定的清洁度和不同的粗糙度。
[0019]本技术所述熔射指的是铝熔射，即采用专业设备熔铝炉把铝熔化后，以一定速度喷射在基材表面形成铝膜，从而可以提高基材的粗糙度。
[0020]本技术所述喷砂和熔射均为现有技术，此处不再赘述。
[0021]作为本技术优选的技术方案，所述颗粒层的厚度为1
‑
3mm，例如1mm、1.5mm、2mm、2.5mm或3mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
[0022]作为本技术优选的技术方案，所述晶圆沉积覆盖环包括外环罩，所述外环罩位于所述晶圆沉积覆盖环的下侧面，并自所述下侧面的外周边缘向下延伸。
[0023]本技术所述外环罩可以对晶圆的侧面进行有效地保护，从而防止上端溅射靶材被打下来的靶材原子沉积在晶圆的侧面。
[0024]作为本技术优选的技术方案，所述外环罩包括散热结构，所述散热结构位于所述外环罩的内侧面。
[0025]作为本技术优选的技术方案，所述散热结构为至少2个沟槽，所述沟槽彼此平行并间隔设置，而且环绕于所述外环罩的内侧面。
[0026]本技术所述散热结构为至少2个沟槽，可以增大晶圆沉积覆盖环的表面积，从而可以提高晶圆沉积覆盖环的散热效率。
[0027]作为本技术优选的技术方案，所述晶圆沉积覆盖环包括内环罩，所述内环罩位于所述晶圆沉积覆盖环的下侧面，并自所述下侧面的中部向下延伸，而且所述内环罩位于所述外环罩的内侧。
[0028]本技术所述内环罩与所述外环罩之间形成了夹缝，可以对支撑晶圆的承载架实现牢固卡置，从而进一步防止晶圆沉积覆盖环发生移位的情况。
[0029]作为本技术优选的技术方案，所述晶圆沉积覆盖环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆沉积覆盖环，其特征在于，所述晶圆沉积覆盖环呈现闭合环状，所述晶圆沉积覆盖环的内周面、上表面和外周面均覆盖有颗粒层，所述颗粒层外侧覆盖有滚花层，所述滚花层为菱形滚花层，且所述菱形滚花层中菱形的边长为0.5
‑
1.5mm，所述滚花层的滚花深度为0.3
‑
0.6mm。2.根据权利要求1所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，所述颗粒层的厚度为1
‑
3mm。3.根据权利要求1所述的晶圆沉积覆盖环，其特征在于，所述晶圆沉积覆盖环包括外环罩，所述外环罩位于所述晶圆沉积覆盖环的下侧面，并自所述下侧面的外周边缘向下延伸。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，邵寅，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：