【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高电压脉冲产生装置、气体激光装置和电子器件的制造方法
[0001]本公开涉及高电压脉冲产生装置、气体激光装置和电子器件的制造方法。
技术介绍
[0002]随着半导体集成电路的微细化和高集成化,在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面,将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此,从曝光用光源输出的光的短波长化得以发展。在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。当前,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。
[0003]作为当前的曝光技术,如下的液浸曝光已经实用化:利用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙,通过改变该间隙的折射率,使曝光用光源的外观的波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下,对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。
[0004]KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的谱线宽度较宽,大约为350~400pm,因此,通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色差,分辨率降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。谱线宽度也被称为谱宽度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化模块(Line Narrow Module),通过该窄带化模块实现谱宽度的窄带化。另外,窄带化元件也可以是标准具或光栅等。将这种谱宽度被窄
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高电压脉冲产生装置,其对被配置于气体激光装置的激光腔内的一对放电电极之间施加脉冲状的高电压,其中,所述高电压脉冲产生装置具有:n个变压器芯,它们构成变压器,n为2以上的自然数,所述n个变压器芯分别构成为形成沿着第1面的磁路,所述n个变压器芯各自的与所述第1面平行的第1方向的宽度比与所述第1面平行且与所述第1方向垂直的第2方向的宽度大;所述变压器的n个一次侧电路,所述n个一次侧电路彼此并联连接,所述n个一次侧电路分别包含至少1个一次侧线圈、和与所述至少1个一次侧线圈并联连接的m个脉冲产生部,m为2以上的自然数;以及所述变压器的二次侧电路,其包含二次侧线圈,所述二次侧电路与所述一对放电电极连接。2.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述变压器芯被配置成,所述第1方向与所述放电电极的长度方向平行。3.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述变压器芯具有跑道形状。4.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述变压器芯包含沿着所述第1方向配置的第1直线形状部和第2直线形状部、将所述第1直线形状部和第2直线形状部的所述第1方向侧的端部彼此连接的第1曲线部、以及将所述第1直线形状部和第2直线形状部的与所述第1方向相反的一侧的端部彼此连接的第2曲线部。5.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述变压器芯的所述第1方向的宽度比所述放电电极的长度方向的长度大。6.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述二次侧线圈具有筒状的形状,该筒状的形状具有与所述第1面垂直的方向的贯通孔,所述二次侧线圈的所述第1方向的宽度比所述第2方向的宽度大。7.根据权利要求6所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述n个变压器芯分别具有贯通孔,所述二次侧线圈被配置成贯通于所述n个变压器芯各自的贯通孔,所述二次侧线圈的一端与基准电位连接,所述二次侧线圈的另一端与所述一对放电电极中的1个放电电极连接。8.根据权利要求6所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述n个变压器芯中的各变压器芯与所述二次侧线圈之间的间隙为5mm以下。9.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述m个脉冲产生部位于比所述磁路靠外侧的位置。10.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述m个脉冲产生部包含在所述第1方向上并排地配置的m1个脉冲产生部、和在所述第1方向上并排地配置的m2个脉冲产生部,所述m1个脉冲产生部和所述m2个脉冲产生部隔着所述变压器芯彼此位于相反侧。11.根据权利要求10所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述m个脉冲产生部还包含在与所述第1方向不同的方向上并排地配置的m3个脉冲产生
部,所述m1个脉冲产生部的第1间隙和所述m2个脉冲产生部的第2间隙均比所述m3个脉冲产生部的第3间隙小。12.根据权利要求1所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述m个脉冲产生部分别包含电容器和与所述电容器串联连接的开关。13.根据权利要求12所述的高电压脉冲产生装置,其中,所述n个一次侧电路分别还包...
【专利技术属性】
技术研发人员:江伟华,梅田博,柿崎弘司,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:
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