一种芯片封装结构及其制作方法技术

本申请提供了一种芯片封装结构及其制作方法，涉及芯片塑封技术领域。该芯片封装结构包括塑封体、至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片，相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片，第一外侧电极片与第二外侧电极片分别位于至少两个半导体芯片的最外侧，塑封体套设于至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片外；其中，中间电极片的第一散热面穿过塑封体并裸露于塑封体的外侧。本申请提供了一种芯片封装结构及其制作方法具有体积小，散热能力强的优点。散热能力强的优点。散热能力强的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及其制作方法


[0001]本申请涉及芯片塑封
，具体而言，涉及一种芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有的功率半导体器件的封装，不管是单芯片还是多芯片，普遍采用芯片平面排布单面散热形式。
[0003]然而，这种散热方式不仅导致电子功率器件体积大，重量重，不符合电力电子模块高密度、轻量化的要求，同时其散热能力也不佳。
[0004]综上所述，现有的功率半导体器件在封装时存在体积大、重量重以及散热能力不佳的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种芯片封装结构及其制作方法，以解决现有技术中功率半导体器件在封装时存在体积大、重量重以及散热能力不佳的问题。
[0006]为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括塑封体、至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片，相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片，所述第一外侧电极片与所述第二外侧电极片分别位于所述至少两个半导体芯片的最外侧，所述塑封体套设于所述至少两个半导体芯片、所述至少一个中间电极片、所述第一外侧电极片以及所述第二外侧电极片外；其中，所述中间电极片的第一散热面穿过所述塑封体并裸露于所述塑封体的外侧。
[0007]可选地，所述中间电极片还包括焊接基岛，所述焊接基岛与所述第一散热面一体成型，所述第一外侧电极片包括第二散热面，所述第二外侧电极片包括第三散热面，所述焊接基岛的两面分别与所述半导体芯片连接，所述第二散热面与所述第三散热面也与所述半导体芯片连接；其中，所述第二散热面与所述第三散热面沿所述塑封体的两侧露出。
[0008]可选地，所述中间电极片还包括第一端子，所述第一外侧电极片还包括第二端子，所述第二外侧电极片还包括第三端子，所述第一端子、所述焊接基岛以及所述第一散热面一体成型，所述第二端子、所述第二散热面一体成型，所述第三端子、所述第三散热面一体成型；其中，所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子与所述塑封体的底面共面，且所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子的端面露出所述塑封体。
[0009]可选地，所述第一端子设置于所述焊接基岛的一侧，所述第二端子、所述第三端子分别设置于所述第二散热面、所述第三散热面的远离所述第一端子的一侧。
[0010]可选地，所述第一端子设置于所述焊接基岛的端部或中间位置。
[0011]可选地，所述中间电极片的形状设置为长方形或正方形。
[0012]可选地，所述芯片封装结构包括第一半导体芯片与第二半导体芯片，所述中间电极片的数量为一个，所述第一外侧电极片、所述第一半导体芯片、所述中间电极片、所述第二半导体芯片以及所述第二外侧电极片依次连接。
[0013]可选地，所述至少两个半导体芯片包括瞬态二极管芯片、放电管芯片或二极管芯片。
[0014]另一方面，本申请实施例还提供了一种芯片封装结构制作方法，用于制作上述的芯片封装结构，所述方法包括：制作至少一个第一电极片，其中，所述第一电极片包括两个对称设置且连接的中间电极片；制作第二电极片与第三电极片，其中，所述第二电极片包括两个对称设置且连接的第一外侧电极片，所述第三电极片包括两个对称设置且连接的第二外侧电极片；将所述第二电极片、所述至少两个半导体芯片、所述第一电极片以及所述第三电极片依序置于烧结模具中进行烧结，以使相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片，且所述第一外侧电极片与所述第二外侧电极片分别位于所述至少两个半导体芯片的最外侧；将所述第二电极片、所述至少两个半导体芯片、所述第一电极片以及所述第三电极片进行塑封，以形成待切割器件；沿所述待切割器件的中间位置进行切割，以获取两个所述芯片封装结构，其中，所述中间电极片的第一散热面穿过所述塑封体并裸露于所述塑封体的外侧。
[0015]可选地，所述将所述第二电极片、所述至少两个半导体芯片、所述第一电极片以及所述第三电极片进行塑封的步骤包括：对所述第二电极片与所述第三电极片朝向外侧的一面贴膜；将所述第二电极片、所述至少两个半导体芯片、所述第一电极片以及所述第三电极片置于塑封模具，并进行加温注塑成型；在所述沿所述待切割器件的中间位置进行切割，以获取两个所述芯片封装结构的步骤之后，所述方法还包括：去除所述第二电极片与所述第三电极片表面的膜。
[0016]相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：本申请提供了一种芯片封装结构及其制作方法，该芯片封装结构包括塑封体、至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片，相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片，第一外侧电极片与第二外侧电极片分别位于至少两个半导体芯片的最外侧，塑封体套设于至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片外；其中，中间电极片的第一散热面穿过塑封体并裸露于塑封体的外侧。一方面，本申请将至少两个半导体芯片封装于同一芯片封装结构中，因此能够有效的减小芯片封装结构的体积。另一方面，由于可以通过中间电极片的第一散热面进行散热，因此本申请提供的芯片封装结构的散热能力得到了提升。
[0017]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
[0019]图1为本申请实施例提供的芯片封装结构的处于第一视角的结构示意图。
[0020]图2为本申请实施例提供的芯片封装结构的处于第二视角的结构示意图。
[0021]图3为本申请实施例提供的芯片封装结构去除塑封体后处于第一视角的结构示意图。
[0022]图4为本申请实施例提供的芯片封装结构去除塑封体后处于第二视角的结构示意图。
[0023]图5为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第一种拓扑电路图。
[0024]图6为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第二种拓扑电路图。
[0025]图7为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第三种拓扑电路图。
[0026]图8为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第四种拓扑电路图。
[0027]图9为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第五种拓扑电路图。
[0028]图10为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第六种拓扑电路图。
[0029]图11为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第七种拓扑电路图。
[0030]图12为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第八种拓扑电路图。
[0031]图13为本申请实施例提供的芯片封装结构组成的第九种拓扑电路图。
[0032]图14为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括塑封体、至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片，相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片，所述第一外侧电极片与所述第二外侧电极片分别位于所述至少两个半导体芯片的最外侧，所述塑封体套设于所述至少两个半导体芯片、所述至少一个中间电极片、所述第一外侧电极片以及所述第二外侧电极片外；其中，至少一个所述中间电极片的第一散热面穿过所述塑封体并裸露于所述塑封体的外侧；所述中间电极片还包括焊接基岛，所述焊接基岛与所述第一散热面一体成型，所述第一外侧电极片包括第二散热面，所述第二外侧电极片包括第三散热面，所述焊接基岛的两面分别与所述半导体芯片连接，所述第二散热面与所述第三散热面也与所述半导体芯片连接；其中，所述第二散热面与所述第三散热面沿所述塑封体的两侧露出；所述中间电极片还包括第一端子，所述第一外侧电极片还包括第二端子，所述第二外侧电极片还包括第三端子，所述第一端子、所述焊接基岛以及所述第一散热面一体成型，所述第二端子、所述第二散热面一体成型，所述第三端子、所述第三散热面一体成型；其中，所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子与所述塑封体的底面共面，且所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子的端面露出所述塑封体。2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一端子设置于所述焊接基岛的一侧，所述第二端子、所述第三端子分别设置于所述第二散热面、所述第三散热面的远离所述第一端子的一侧。3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一端子设置于所述焊接基岛的端部或中间位置。4.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述中间电极片的形状设置为长方形或正方形。5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括第一半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成森，吴家健，孙健锋，钱嘉丽，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：