【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及其制作方法
[0001]本申请涉及芯片塑封
,具体而言,涉及一种芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
[0002]现有的功率半导体器件的封装,不管是单芯片还是多芯片,普遍采用芯片平面排布单面散热形式。
[0003]然而,这种散热方式不仅导致电子功率器件体积大,重量重,不符合电力电子模块高密度、轻量化的要求,同时其散热能力也不佳。
[0004]综上所述,现有的功率半导体器件在封装时存在体积大、重量重以及散热能力不佳的问题。
技术实现思路
[0005]本申请的目的在于提供一种芯片封装结构及其制作方法,以解决现有技术中功率半导体器件在封装时存在体积大、重量重以及散热能力不佳的问题。
[0006]为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:一方面,本申请实施例提供了一种芯片封装结构,所述芯片封装结构包括塑封体、至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片,相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片,所述第一外侧电极片与所述第二外侧电极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构包括塑封体、至少两个半导体芯片、至少一个中间电极片、第一外侧电极片以及第二外侧电极片,相邻两个半导体芯片之间至少包括一个中间电极片,所述第一外侧电极片与所述第二外侧电极片分别位于所述至少两个半导体芯片的最外侧,所述塑封体套设于所述至少两个半导体芯片、所述至少一个中间电极片、所述第一外侧电极片以及所述第二外侧电极片外;其中,至少一个所述中间电极片的第一散热面穿过所述塑封体并裸露于所述塑封体的外侧;所述中间电极片还包括焊接基岛,所述焊接基岛与所述第一散热面一体成型,所述第一外侧电极片包括第二散热面,所述第二外侧电极片包括第三散热面,所述焊接基岛的两面分别与所述半导体芯片连接,所述第二散热面与所述第三散热面也与所述半导体芯片连接;其中,所述第二散热面与所述第三散热面沿所述塑封体的两侧露出;所述中间电极片还包括第一端子,所述第一外侧电极片还包括第二端子,所述第二外侧电极片还包括第三端子,所述第一端子、所述焊接基岛以及所述第一散热面一体成型,所述第二端子、所述第二散热面一体成型,所述第三端子、所述第三散热面一体成型;其中,所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子与所述塑封体的底面共面,且所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子的端面露出所述塑封体。2.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一端子设置于所述焊接基岛的一侧,所述第二端子、所述第三端子分别设置于所述第二散热面、所述第三散热面的远离所述第一端子的一侧。3.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一端子设置于所述焊接基岛的端部或中间位置。4.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述中间电极片的形状设置为长方形或正方形。5.如权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构包括第一半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:王成森,吴家健,孙健锋,钱嘉丽,
申请(专利权)人:捷捷半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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