【技术实现步骤摘要】
用于生产高品质多晶硅的还原循环氢气深冷除杂的方法及装置
[0001]本专利技术涉及一种用于生产高品质多晶硅的还原循环氢气深冷除杂的方法及装置,属于气体深冷分离领域。
技术介绍
[0002]多晶硅是光伏和半导体行业广泛应用的材料之一。高品质多晶硅有两种,一种是太阳能级中的N型单晶,比目前市场上现有的P型单晶纯度要求更高;另外一种是电子级多晶硅,一般要求含硅量大于99.9999%以上,超高纯度达到9N,甚至11N。生产多晶硅的还原炉尾气中主要含有H2、HCl、SiHCl3、SiCl4等,经过尾气回收装置烟气吸收塔分离了99%以上的氯硅烷,同时有少量的B、P杂质随氯硅烷进入精馏装置,H2和大部分其他杂质进入尾气回收装置吸收解吸系统。而循环H2中极微量的杂质都会导致多晶硅性能严重下降,因此,有效去除循环H2中极微量杂质是提高多晶硅质量的关键。
[0003]在多晶硅还原炉中H2除了与氯硅烷发生还原反应以外,还可能和B、P杂质发生反应,故多晶硅还原炉尾气可能含有BCl3、PCl3、B2H6、PH3等杂质。在尾气回收装置中BCl3、PCl3等可以通过加压冷凝、碳吸附塔吸附,吸附过程中SiCl4从H2中分离,但PH3、AsH3、B2H6难以直接去除。随着还原炉内的H2不断循环,杂质PH3、AsH3、B2H6可能在循环H2中不断积累,最终影响多晶硅成品质量,所以除去循环氢气中的杂质是提高多晶硅质量的关键。
[0004]目前,针对循环氢气深冷除杂的工艺研究较少,可供参考的专利文献不多。专利号CN105293438A报道了
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于生产高品质多晶硅的还原循环氢气深冷除杂的装置;其特征是,包括除硼磷烷吸附柱、硼磷烷
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氢气一级气气换热器、硼磷烷
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氢气二级气气换热器、硼磷烷深冷器、硼磷烷
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氢气二级气气换热分相罐、硼磷烷深冷气气换热分相罐、硼磷烷
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氯化氢吸收塔、硼磷烷
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氯化氢吸收塔进气气冷器、硼磷烷
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氯化氢吸收塔进气预冷器、硼磷烷
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氯化氢
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氢气解吸塔、还原尾气凝液罐、吸收塔进料凝液罐、还原尾气液冷器和活性炭吸附塔;硼磷烷
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氯化氢吸收塔塔顶设置一出料管线连接硼磷烷
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氢气一级气气换热器热端进口,硼磷烷
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氢气一级气气换热器热端出口经管线连接硼磷烷
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氢气二级气气换热器热端进口,塔顶硼磷烷
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氢气二级气气换热器热端出口与硼磷烷
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氢气二级气气换热分相罐连接,硼磷烷
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氢气二级气气换热分相罐出口分别连接硼磷烷深冷器热端进口和硼磷烷
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氯化氢吸收塔进料凝液罐,硼磷烷深冷器热端出口经管线连接硼磷烷深冷气气换热分相罐,硼磷烷深冷气气换热分相罐出口分别连接除硼磷烷吸附柱顶部和硼磷烷
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氯化氢吸收塔进料凝液罐,除硼磷烷吸附柱底部管线连接硼磷烷
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氢气一级气气换热器冷端进口,硼磷烷
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氢气一级气气换热器冷端出口管线连接硼磷烷
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氢气二级气气换热器冷端进口,硼磷烷
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氢气二级气气换热器冷端出口管线连接硼磷烷
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氯化氢吸收塔进气气冷器冷端进口,提供冷量,硼磷烷
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氯化氢吸收塔进料凝液罐出料管连接硼磷烷
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氯化氢吸收塔进气预冷器冷端入口,硼磷烷
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氯化氢吸收塔进气预冷器冷端出口经管线连接还原尾气凝液罐,还原尾气凝液罐出料管连接还原尾气液冷器的冷端进口,硼磷烷
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氯化氢吸收塔进气气冷器冷端出口管线连接活性炭吸附塔,还原尾气液冷器的冷端出口和硼磷烷
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【专利技术属性】
技术研发人员:黄国强,黄琪琪,王乃治,张妙磊,张宇,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:
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