一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件制造技术

本发明专利技术公开了基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件，包括衬底，衬底上形成n阱区和p阱区，n阱区的右侧与p阱区的左侧相连，n阱区上从左至右形成n阱接触n+区、p+区，p阱区上从左至右形成n+区、p阱接触p+区，n阱接触n+区接阳极电位，n+区接阴极电位，p阱接触p+区接阴极电位，p+区接阳极电位，n阱区的左上角形成第一隔离槽，n阱区上且位于n阱接触n+区和p+区之间形成第二隔离槽，n阱区和p阱区之间形成第三隔离槽，p阱区上且位于n+区和p阱接触p+区之间形成第四隔离槽，p阱区的右上角形成第五隔离槽，第三隔离槽中填充有凹槽，凹槽接阳极电位。本发明专利技术防护器件具有维持电压高、触发电压低的特点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件


[0001]本专利技术属于微电子学与固体电子
，涉及一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件。

技术介绍

[0002]静电放电(ESD)是一种常见的自然现象，在集成电路领域，静电放电是引起电子产品失效、可靠性降低的主要原因之一。随着半导体集成电路的迅速发展，器件特征尺寸不断缩小，遭受静电损伤的风险也随之增大，因此如何有效进行静电防护变得越来越重要。
[0003]常用的ESD防护器件有二极管、双极晶体管、场效应管、可控硅整流器等。这其中可控硅整流器(SCR)由于其优异的单位面积电流泄放能力，在静电防护领域备受推崇。传统的SCR用作ESD器件时，其导通时内部寄生的NPN与PNP管相互提供基区电流形成强的正反馈效应，导致其触发后发生明显的回滞(snapback)现象，因此它的维持电压较低，容易引起电源电压的闩锁(latch up)效应，而由于阱区的低掺杂，也导致传统SCR的触发电压较高。为了更好的满足深亚微米乃至纳米工艺中对于ESD设计窗口的要求，需要对传统的SCR进行改进，降低触发电压、提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件，其特征在于，包括衬底(1)，所述衬底(1)上形成n阱区(2)和p阱区(3)，所述n阱区(2)的右侧边缘与p阱区(3)的左侧边缘相连，所述n阱区(2)上从左至右形成n阱接触n+区(5)、p+区(6)，所述p阱区(3)上从左至右形成n+区(7)、p阱接触p+区(8)，所述n阱接触n+区(5)接阳极电位，所述n+区(7)接阴极电位，所述p阱接触p+区(8)接阴极电位，所述p+区(6)接阳极电位，所述n阱区(2)的左上角形成第一隔离槽(4)，所述第一隔离槽(4)的左侧边缘与衬底(1)的左侧边缘相连，所述n阱区(2)上且位于n阱接触n+区(5)和p+区(6)之间形成第二隔离槽(10)，所述n阱区(2)和p阱区(3)之间形成第三隔离槽(11)，所述p阱区(3)上且位于n+区(7)和p阱接触p+区(8)之间形成第四隔离槽(12)，所述p阱区(3)的右上角形成第五隔离槽(13)，所述第五隔离槽(13)的右侧边缘和衬底(1)的右侧边缘相连，所述第三隔离槽(11)中填充有凹槽(9)，所述凹槽(9)接阳极电位。2.根据权利要求1所述的一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件，其特征在于，所述凹槽(9)为金属材料或者多晶硅。3.根据权利要求1所述的一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件，其特征在于，所述凹槽(9)的厚度为0.15μm，宽度为0.5μm。4.根据权利要求1所述的一种基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件，其特征在于，所述衬底(1)采用Si，厚度为4μm～4.8μm，掺杂类型为B离子，掺杂浓度为1
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，党跃栋，刘纯，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：