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本发明公开了基于SCR的新型凹槽结构ESD防护器件，包括衬底，衬底上形成n阱区和p阱区，n阱区的右侧与p阱区的左侧相连，n阱区上从左至右形成n阱接触n+区、p+区，p阱区上从左至右形成n+区、p阱接触p+区，n阱接触n+区接阳极电位，n+区...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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