一种宽范围调压控制系统技术方案

一种宽范围调压控制系统，包括高压发生器、正/负高压控制电路、交流耦合1/整流滤波1、交流耦合2/整流滤波2、正高压调压单元、直流分量控制单元；其中，高压发生器中的高压变压器高压绕组分别与交流耦合1/整流滤波1和交流耦合2/整流滤波2连接，正/负高压控制电路分别与直流分量控制单元和正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与直流分量控制单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元在正/负高压输出端连接，正/负高压输出端通过电压反馈电路与正/负高压控制电路连接，本实用新型专利技术可根据指令通过闭环调节输出对应的正/负高压，其具有输出范围宽、负载能力强、功耗低等优点。功耗低等优点。功耗低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种宽范围调压控制系统


[0001]本技术涉及激光打印控制系统，具体是一种宽范围调压控制系统。

技术介绍

[0002]激光打印机等设备中，通常需要多路独立可调的高压直流电源，每一路高压直流电源都由一个受控的电子高压发生器产生，因此需要多个独立受控的电子高压发生器予以满足。电子高压发生器中必须用到高压变压器、大功率晶体管等体积较大、成本较高的元件，这种多个独立的高压发生器构成的多路独立可调高压直流电源存在结构复杂、体积大、成本高的缺点。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种宽范围调压控制系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种宽范围调压控制系统，包括高压发生器、正/负高压控制电路、交流耦合1/整流滤波1、交流耦合2/整流滤波2、正高压调压单元、直流分量控制单元；其中，高压发生器中的高压变压器高压绕组分别与交流耦合1/整流滤波1和交流耦合2/整流滤波2连接，正/负高压控制电路分别与直流分量控制单元和正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与直流分量控制单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元在正/负高压输出端连接，正/负高压输出端通过电压反馈电路与正/负高压控制电路连接。
[0006]所述交流耦合1/整流滤波1包含2个电容C1
‑
1、C1
‑
2，2个二极管D1
‑
1、D1
‑
2，1个电阻R1/>‑
1，1个稳压二极管ZD1
‑
1；电容C1
‑
1的一端接高压发生器的变压器输出绕组一端，电容C1
‑
1的另一端接二极管D1
‑
1的阴极和二极管D1
‑
2的阳极，二极管D1
‑
1的阳极接地，二极管D1
‑
2的阴极接电阻R1
‑
1一端，电阻R1
‑
1另一端接电容C1
‑
2和稳压二极管ZD1
‑
1的阴极，电容C1
‑
2的另一端接地，稳压二极管ZD1
‑
1阳极接地，稳压二极管ZD1
‑
1的阴极接正高压调压单元输入。
[0007]所述交流耦合2/整流滤波2包含3个电容C2
‑
1、C2
‑
2、C2
‑
3，2个二极管D2
‑
1和D2
‑
2；电容C2
‑
1一端接高压发生器的变压器输出绕组一端，电容C2
‑
1另一端接二极管D2
‑
1的阳极和二极管D2
‑
2的阴极，二极管D2
‑
1的阴极接电容C2
‑
2的一端，电容C2
‑
2另一端接地，二极管D2
‑
2的阳极接C2
‑
3的一端，电容C2
‑
3的另一端接地，二极管D2
‑
2的阳极接正/负高压输出端。
[0008]所述正高压调压单元包含1个稳压二极管ZD1
‑
2，1个电阻R1
‑
2，1个光电耦合器U1
‑
1，一个以上PNP晶体管Q3，一个以上电阻R3，稳压二极管ZD1
‑
2阴极接正负高压控制电路输出端，稳压二极管ZD1
‑
2阳极接电阻R1
‑
2一端，电阻R1
‑
2另一端接光电耦合器U1
‑
1的二极管阳极，光电耦合器U1
‑
1的二极管阴极接地，光电耦合器集电极接交流耦合整流滤波电路，同
时光电耦合器的集电极接晶体管Q3
‑
1的发射极，光电耦合器的发射极接晶体管Q3
‑
1的基极，晶体管Q3
‑
1的集电极接晶体管Q3
‑
2的发射极，电阻R3
‑
1两端分别接晶体管Q3
‑
1和晶体管Q3
‑
2的基极，第m个晶体管的基极与第m
‑
1个电阻一端和第m个电组的一端连接，第m个电阻的另一端连接第m个晶体管的集电极，第m个晶体管发射极与第m
‑
1个晶体管的集电极连接，第m个晶体管的集电极连接正/负高压输出端。
[0009]所述直流分量控制单元包含1个PNP晶体管Q2
‑
1，1个NPN晶体管Q2
‑
2，4个电阻R2
‑
1、R2
‑
2、R2
‑
3、R2
‑
4，一个以上PNP晶体管Q4，一个以上电阻R4；电阻R2
‑
1一端连接正负高压控制电路输出端，电阻R2
‑
1另一端晶体管Q2
‑
1的基极，电阻R2
‑
2一端接基准电压+Vref，电阻R2
‑
2另一端接晶体管Q2
‑
1的基极，晶体管Q2
‑
1的发射极接基准电压+Vref，晶体管Q2
‑
1的集电极接电阻R2
‑
3的一端，电阻R2
‑
3的另一端接晶体管Q2
‑
2的基极，电阻R2
‑
4一端接晶体管Q2
‑
2的基极，电阻R2
‑
4的另一端接地，晶体管Q2
‑
2的发射极接地，晶体管Q2
‑
2的集电极接晶体管Q4
‑
1的基极，晶体管Q4
‑
1的发射极接地，晶体管Q4
‑
1的集电极接晶体管Q4
‑
2的发射极，电阻R4
‑
1的一端接晶体管Q4
‑
1的基极，电阻R4
‑
1的另一端接晶体管Q4
‑
2的基极，电阻R4
‑
2一端接晶体管Q4
‑
2的基极，第m个电阻的一端接二极管D2
‑
1阴极，第m个电阻另一端接第m个晶体管的基极，第m个晶体管的集电极接二极管D2
‑
1的阴极，第m个晶体管的发射极接第m
‑
1个晶体管的集电极，第m个晶体管的基极接第m
‑
1个电阻的一端，第m
‑
1个电阻的另一端接第m
‑
1个晶体管的基极。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0011]1、本技术可根据指令通过闭环调节输出对应的正/负高压，其具有输出范围宽、负载能力强、功耗低等优点；
[0012]2、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽范围调压控制系统，包括高压发生器、正/负高压控制电路、交流耦合1/整流滤波1、交流耦合2/整流滤波2、正高压调压单元、直流分量控制单元；其特征在于，高压发生器中的高压变压器高压绕组分别与交流耦合1/整流滤波1和交流耦合2/整流滤波2连接，正/负高压控制电路分别与直流分量控制单元和正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元连接，交流耦合整流滤波与直流分量控制单元连接，交流耦合整流滤波与正高压调压单元在正/负高压输出端连接，正/负高压输出端通过电压反馈电路与正/负高压控制电路连接。2.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述交流耦合1/整流滤波1包含2个电容C1
‑
1、C1
‑
2，2个二极管D1
‑
1、D1
‑
2，1个电阻R1
‑
1，1个稳压二极管ZD1
‑
1；电容C1
‑
1的一端接高压发生器的变压器输出绕组一端，电容C1
‑
1的另一端接二极管D1
‑
1的阴极和二极管D1
‑
2的阳极，二极管D1
‑
1的阳极接地，二极管D1
‑
2的阴极接电阻R1
‑
1一端，电阻R1
‑
1另一端接电容C1
‑
2和稳压二极管ZD1
‑
1的阴极，电容C1
‑
2的另一端接地，稳压二极管ZD1
‑
1阳极接地，稳压二极管ZD1
‑
1的阴极接正高压调压单元输入。3.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述交流耦合2/整流滤波2包含3个电容C2
‑
1、C2
‑
2、C2
‑
3，2个二极管D2
‑
1和D2
‑
2；电容C2
‑
1一端接高压发生器的变压器输出绕组一端，电容C2
‑
1另一端接二极管D2
‑
1的阳极和二极管D2
‑
2的阴极，二极管D2
‑
1的阴极接电容C2
‑
2的一端，电容C2
‑
2另一端接地，二极管D2
‑
2的阳极接C2
‑
3的一端，电容C2
‑
3的另一端接地，二极管D2
‑
2的阳极接正/负高压输出端。4.根据权利要求1所述的一种宽范围调压控制系统，其特征在于，所述正高压调压单元包含1个稳压二极管ZD1
‑
2，1个电阻R1
‑
2，1个光电耦合器U1
‑
1，一个以上PNP晶体管Q3，一个以上电阻R3，稳压二极管ZD1
‑
2阴极接正负高压控制电路输出端，稳压二极管ZD1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝春荣，
申请(专利权)人：惠州市有为创科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：