状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置，把各存储单元的栅极连接在不同的字线上，把各存储单元的漏极连接在不同的位线上，当只需要对部分存储单元进行编程或擦除时，只向需要操作的存储单元的字线施加相应的电压，不向其它存储单元的字线施加该电压，从而无需操作的存储单元不会受到额外的压力，避免由于这些额外的压力影响存储单元的电学特性。特性。特性。

【技术实现步骤摘要】
状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置


[0001]本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置。

技术介绍

[0002]一般情况下，芯片内部会有一些独立的小存储区域,例如状态寄存器，状态存储器一般包括多个存储单元、多根字线和多根位线，现有的状态存储器的所有存储单元一般是设置在同一根字线不同的位线上。例如图4所示的状态存储器，其中的存储单元有两个（cell0和cell1，此处仅为示例，存储单元不限于是两个），两个存储单元设置在同一根字线WL_0上（图中的横线WL为字线，竖线bl为位线）。这种状态存储器在进行写操作时的流程包括至少一次擦除和擦除验证、编程、编程验证、更新状态寄存器的数据至逻辑控制模块，其中，在执行编程操作和擦除操作时，通过字线向存储单元的栅极施加电压，而由于所有存储单元共用一根字线，因此会同时向所有存储单元的栅极施加电压，从而对其中不需要操作的存储单元造成压力，使存储单元的电学特性变差。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的不足之处，本申请实施例的目的在于提供一种状态寄存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种状态寄存器，包括多个存储单元、多根字线和多根位线；所述多个存储单元的漏极连接在不同的位线上；其特征在于，所述多个存储单元的栅极连接在不同的字线上 。2.根据权利要求1所述的状态寄存器，其特征在于，包括16根所述字线和16根所述位线。3.根据权利要求1所述的状态寄存器，其特征在于，包括22根所述字线和22根所述位线。4.一种芯片，其特征在于，包括权利要求1
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3任一项所述的状态寄存器。5.一种状态寄存器的写操作方法，其特征在于，基于权利要求1
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3任一项所述的状态寄存器，包括步骤：获取写指令；擦除判断：判断是否需要进行擦除操作，若需要则跳转至擦除步骤，否则跳转至编程判断步骤；擦除：只向需要被擦除且其值为0的存储单元对应的字线施加第一负电压，使对应的存储单元的值由0变为1；擦除验证：检测是否所有需要被擦除的存储单元的值均为1，若是则通过验证，否则跳回至擦除步骤；编程判断：判断是否需要进行编程操作，若需要则跳转至编程步骤，否则跳转至数据更新步骤；编程：根据所述写指令向需要被编程的存储单元对应的字线施加第一正电压，使对应的存储单元的值由1变为0；编程验证：检测需要被编程的单元的值是否全部为0，若是则通过验证，否则跳回至编程步骤；数据更新：更新状态寄存器的数据至逻辑控制模块。6.根据权利要求5所述的状态寄存器的写操作方法，其特征在于，擦除验证的步骤包括：在所有需要被擦除的存储单元对应的字线上施加读电压，并在所有需要被擦除的存储单元对应的位线上施加对应的漏极电压；获取各需要被擦除的存储单元的漏极电流以检测各需要被擦除的存储单元的值是否为1。7.根据权利要求5所述的状态寄存器的写操作方法，其特征在于，编程验证的步骤包括：在需要被编程的存储单元对应的字线上施加读电压，并在需...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘梦，温靖康，鲍奇兵，高益，吴彤彤，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：