存储器设备和包括其的电子设备制造技术

一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括连接到一条位线并配置为分布式地存储N比特数据的M个存储器单元，其中，N是自然数，并且M是2以上且N以下的自然数，M个存储器单元包括具有不同感测裕度的第一存储器单元和第二存储器单元；以及包括页缓冲器的存储器控制器，该存储器控制器配置为将N比特数据分布式地存储在M个存储器单元中并依次读取存储在M个存储器单元中的数据以获得N比特数据，以及配置为使用N比特数据来执行操作的操作逻辑，存储器控制器配置为向第一存储器单元和第二存储器单元提供不同的读取电压。器单元提供不同的读取电压。器单元提供不同的读取电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备和包括其的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求享有2019年12月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2019
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0175039号的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用合并于此。


[0003]本专利技术构思涉及存储器设备和包括其的电子设备。

技术介绍

[0004]存储器设备可以提供用于写入和擦除数据或读取记录的数据的功能。存储器设备包括多个存储器单元，一般，可写入每个存储器单元的数据的大小具有固定值。在应用于最近提出的神经形态系统、自主驱动设备等的存储器设备中，能够执行预定操作的操作逻辑可以安装在该存储器设备内部。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一方面在于提供一种存储器设备，其能够通过取决于比特数将用于由包括在存储器设备内部的操作逻辑处理的神经网络计算的数据分布式地存储在两个或更多个存储器单元中而提高操作逻辑的计算速度。
[0006]根据一示例实施例，一种存储器设备包括：存储器单元阵列，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括连接到一条位线并配置为分布式地存储N比特数据的M个存储器单元，其中，N是自然数，并且M是2以上且N以下的自然数，M个存储器单元包括具有不同感测裕度的第一存储器单元和第二存储器单元；以及包括页缓冲器的存储器控制器，该存储器控制器配置为将N比特数据分布式地存储在M个存储器单元中并依次读取存储在M个存储器单元中的数据以获得N比特数据，并且包括配置为使用N比特数据来执行操作的操作逻辑，存储器控制器配置为向第一存储器单元和第二存储器单元提供不同的读取电压。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在存储器单元阵列中，M个存储器单元被连贯地设置。3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一存储器单元的感测裕度大于第二存储器单元的感测裕度。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，存储在第一存储器单元中的数据的比特数小于或等于存储在第二存储器单元中的数据的比特数。5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，在N比特数据之中，与存储在第二存储器单元中的数据相比，存储在第一存储器单元中的数据是比特串的最高位数据。6.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，存储在第一存储器单元中的数据的比特数等于存储在第二存储器单元中的数据的比特数，其中，第一存储器单元在编程时的阈值电压分布的阈值电压的最小值大于第二存储器单元在编程时的阈值电压分布的阈值电压的最大值。7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，页缓冲器包括用于存储从M个存储器单元获得的数据的数据锁存器，并且数据锁存器中的至少一些具有不同的脱扣电压。8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中，用于存储从第一存储器单元获得的数据的第一数据锁存器的脱扣电压小于用于存储从第二存储器单元获得的数据的第二数据锁存器的脱扣电压。9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，存储器控制器包括连接到位线的充电开关和连接到充电开关的充电电容器；以及其中，存储器控制器配置为使在第一存储器单元的第一读取操作中在充电电容器中所充的第一电荷量不同于在第二存储器单元的第二读取操作中在充电电容器中所充的第二电荷量。10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，存储器控制器配置为将用于在第一读取操作中对充电电容器进行充电的时间设置为比用于在第二读取操作中对充电电容器进行充电的时间长。11.根据权利要求1所述的存储器设备，配置为使得当页缓冲器获得N比特数据时，操作逻辑使用N比特数据来执行操作而无需校正错误的操作。12.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，操作逻辑配置为使用N比特数据来执行卷积操作。13.一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括连接到多条位线和多条字线的多个存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：金佳琳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：