显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于提升显示产品的显示亮度。所述显示基板包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素，所述多个子像素呈阵列分布；所述多个子像素包括：多个第一子像素和多个第二子像素，所述第一子像素包括第一子像素驱动电路，所述第一子像素驱动电路包括第一驱动晶体管；所述第二子像素包括第二子像素驱动电路，所述第二子像素驱动电路包括第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比。本发明专利技术提供的显示基板用于形成具有显示功能的显示装置。基板用于形成具有显示功能的显示装置。基板用于形成具有显示功能的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
显示基板、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板、显示装置。

技术介绍

[0002]有源矩阵有机发光二极管(英文：Active Matrix Light Emitting Diode，简称：AMOLED)显示屏，具有自发光、广色域、高对比度、轻薄等优点。被广泛应用于手机、穿戴电子设备、车载等小尺寸和中大尺寸显示产品中。
[0003]由于中大尺寸显示产品的显示亮度远高于小尺寸显示产品，中大尺寸的显示产品对显示亮度提出了更高的要求，因此，如何更好的提升显示产品的显示亮度成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种显示基板、显示装置，用于提升显示产品的显示亮度。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]本专利技术的第一方面提供一种显示基板，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素，所述多个子像素呈阵列分布；所述多个子像素包括：
[0007]多个第一子像素，所述第一子像素包括第一子像素驱动电路，所述第一子像素驱动电路包括第一驱动晶体管；所述第一驱动晶体管包括第一栅极层和第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道图形，所述第一沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第一栅极层在所述基底上的正投影内部；所述第一沟道图形用于形成所述第一驱动晶体管的沟道；
[0008]多个第二子像素，所述第二子像素包括第二子像素驱动电路，所述第二子像素驱动电路包括第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管包括第二栅极层和第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道图形，所述第二沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第二栅极层在所述基底上的正投影内部；所述第二沟道图形用于形成所述第二驱动晶体管的沟道；
[0009]所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比。
[0010]可选的，所述第一驱动晶体管的沟道宽长比W1/L1与所述第二驱动晶体管的沟道宽长比W2/L2之间满足：2
×
(W2/L2)≤W1/L1≤5
×
(W2/L2)。
[0011]可选的，所述第一沟道图形包括第一沟道边界，所述第一栅极层包括第一栅极边界，所述第一沟道边界与所述第一栅极边界相邻，所述第一沟道边界的延伸方向与所述第一栅极边界的延伸方向大致相同，所述第一沟道边界在所述基底上的正投影，与所述第一栅极边界在所述基底上的正投影之间具有最小的第一距离d1，d1满足：4μm≤d1≤8μm。
[0012]可选的，所述第一沟道图形包括第一子图形，第二子图形和第三子图形；所述第一子图形的至少部分沿第一方向延伸，所述第二子图形的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第三子图形的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；
[0013]所述第一子图形与所述第三子图形的第一端耦接，所述第二子图形与所述第三子图形的第二端耦接，所述第一子图形位于所述第三子图形的第一侧，所述第二子图形位于
所述第三子图形的第二侧，所述第一侧和所述第二侧沿所述第一方向相对。
[0014]可选的，所述第三子图形在所述第二方向具有第一长度d2，d2满足：3μm≤d2≤4μm。
[0015]可选的，所述第三子像素包括第三子像素驱动电路，所述第三子像素驱动电路包括第三驱动晶体管；所述第三驱动晶体管包括第三栅极层和第三有源层，所述第三有源层包括第三沟道图形，所述第三沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第三栅极层在所述基底上的正投影内部，所述第三沟道图形用于形成所述第三驱动晶体管的沟道；
[0016]所述第三驱动晶体管的沟道宽长比W3/L3与所述第二驱动晶体管的沟道宽长比W2/L2之间满足：W3/L3≤W2/L2≤2
×
(W3/L3)。
[0017]可选的，所述第一沟道图形呈几字型。
[0018]可选的，所述第一子像素还包括：第一存储电容，所述第一存储电容包括相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间具有第一正对面积S1；
[0019]所述第二子像素包括第二存储电容，所述第二存储电容包括相对设置的第三极板和第四极板，所述第三极板与所述第四极板之间具有第二正对面积S2，S2小于S1。
[0020]可选的，130％*S2小于S1。
[0021]可选的，所述第三极板的面积小于所述第一极板的面积。
[0022]可选的，沿第一方向，所述第一极板与所述第三极板的长度相等；沿所述第二方向，所述第一极板的长度大于所述第三极板的长度。
[0023]可选的，所述多个子像素还包括：
[0024]多个第三子像素，所述第三子像素包括第三存储电容，所述第三存储电容包括相对设置的第五极板和第六极板，所述第五极板与所述第六极板之间具有第三正对面积S3，110％*S3小于S2。
[0025]可选的，在垂直于所述基底的方向上，所述第一极板的厚度小于所述第二极板的厚度，所述第二极板的厚度小于所述第三极板的厚度。
[0026]可选的，所述第一子像素包括蓝色子像素，所述第二子像素包括红色子像素和/或绿色子像素。
[0027]基于上述显示基板的技术方案，本专利技术的第二方面提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
[0028]本专利技术提供的技术方案中，通过设置所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比，增加了所述第一驱动晶体管产生的驱动电流，从而有效提升了所述第一子像素的发光亮度。在将所述第一子像素作为蓝色子像素时，能够提升显示基板中蓝色子像素的发光亮度，从而提升了显示基板的整体显示亮度。
[0029]而且，本专利技术提供的技术方案中，通过设置所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比，降低了所述第一子像素的数据信号范围，使第一子像素的数据信号范围与所述第二子像素的数据信号范围更加接近，从而提高了显示基板在模组产线(MDL)的Gamma良率，提高了显示基板产线的生产产能及效率。
附图说明
[0030]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本发
明的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0031]图1为本专利技术实施例提供的显示基板的第一布局示意图；
[0032]图2为本专利技术实施例提供的第二驱动晶体管的布局示意图；
[0033]图3为本专利技术实施例提供的第一驱动晶体管的第一布局示意图；
[0034]图4为本专利技术实施例提供的第一驱动晶体管的第二布局示意图；
[0035]图5为本专利技术实施例提供的显示基板的第二布局示意图；
[0036]图6为本专利技术实施例提供的第一驱动晶体管的第三布局示意图；
[0037]图7为本专利技术实施例提供的第一驱动晶体管的第四布局示意图；
[0038]图8为本专利技术实施例提供的显示基板的第三布局示意图；
[0039]图9为本专利技术实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素，所述多个子像素呈阵列分布；所述多个子像素包括：多个第一子像素，所述第一子像素包括第一子像素驱动电路，所述第一子像素驱动电路包括第一驱动晶体管；所述第一驱动晶体管包括第一栅极层和第一有源层，所述第一有源层包括第一沟道图形，所述第一沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第一栅极层在所述基底上的正投影内部；所述第一沟道图形用于形成所述第一驱动晶体管的沟道；多个第二子像素，所述第二子像素包括第二子像素驱动电路，所述第二子像素驱动电路包括第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管包括第二栅极层和第二有源层，所述第二有源层包括第二沟道图形，所述第二沟道图形在所述基底上的正投影位于所述第二栅极层在所述基底上的正投影内部；所述第二沟道图形用于形成所述第二驱动晶体管的沟道；所述第二驱动晶体管的沟道宽长比小于所述第一驱动晶体管的沟道宽长比。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一驱动晶体管的沟道宽长比W1/L1与所述第二驱动晶体管的沟道宽长比W2/L2之间满足：2
×
(W2/L2)≤W1/L1≤5
×
(W2/L2)。3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述第一沟道图形包括第一沟道边界，所述第一栅极层包括第一栅极边界，所述第一沟道边界与所述第一栅极边界相邻，所述第一沟道边界的延伸方向与所述第一栅极边界的延伸方向大致相同，所述第一沟道边界在所述基底上的正投影，与所述第一栅极边界在所述基底上的正投影之间具有最小的第一距离d1，d1满足：4μm≤d1≤8μm。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一沟道图形包括第一子图形，第二子图形和第三子图形；所述第一子图形的至少部分沿第一方向延伸，所述第二子图形的至少部分沿所述第一方向延伸，所述第三子图形的至少部分沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；所述第一子图形与所述第三子图形的第一端耦接，所述第二子图形与所述第三子图形的第二端耦接，所述第一子图形位于所述第三子图形的第一侧，所述第二子图形位于所述第三子图形的第二侧，所述第一侧和所述第二侧沿所述第一方向相对。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第三子图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：都蒙蒙，王蓉，田东辉，樊聪，董向丹，袁长龙，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：