【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆精准切割装置
[0001]本技术涉及切割装置
,具体为一种半导体晶圆精准切割装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品,随着晶圆的使用需求越来越大,晶圆的加工生产的效率亟需提高。在现有技术中对晶圆大多是采用激光切割方式,这种方式不仅无污染而且效率高,但是在节能方面,由于激光切割本身的耗能就相对比较大,因此虽然效率高了,但是实际生产过程中的能源消耗也是很大的,给企业的生产提高了很大的成本。现有的晶圆切割装置,不能够对切割刀进行定位,也不能对切割部位进行降温。
技术实现思路
[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足,本技术提供了一种精准切割,快速切割的半导体晶圆精准切割装置。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:本技术的一种半导体晶圆精准切割装置,包括支撑座、平衡调节杆、底座、水 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆精准切割装置,其特征在于,包括支撑座(4)、平衡调节杆(3)、底座(1)、水平气泡(2)、竖杆(8)切割机(14)、激光切割机(16)、显微镜(26)、放大镜(21)、切割液箱(18)、抽液泵(5)以及置物台(22),所述平衡调节杆(3)设置在底座(1)顶底部,且贯穿底座(1),所述水平气泡(2)设置在底座(1)顶部,且与平衡调节杆(3)连接,所述平衡调节杆(3)上设有调节螺母(28),所述支撑座(4)安装在平衡调节杆(3)底部,所述切割液箱(18)以及抽夜泵安装在底座(1)上,所述抽液泵(5)外侧设有保护壳,所述保护壳与切割液箱(18)连接,所述置物台(22)设置在切割液箱(18)以及保护壳顶部,所述抽液泵(5)上设有吸液管(6)以及出液管(7),所述吸液管(6)贯穿保护壳以及切割液箱(18),伸入切割液箱(18)底部,所述出液管(7)贯穿保护壳,延伸至靠近置物台(22)位置处,所述竖杆(8)设置在保护壳以及切割液箱(18)的两侧,且每侧设有两个,所述竖杆(8)上设有限位孔以及滑槽,所述放大镜、切割机(14)以及激光切割机(16)与竖杆(8)之间设有安装块(9),所述安装块(9)上设有安装孔以及滑块,所述安装孔与限位孔之间设有插销(13)连接,所述安装块(9)通过滑块插入滑槽内以及插销(13)插入安装孔以及限位孔内安装在竖杆(8)上,所述放大镜(21)与安装块(9)之间设有放大镜伸缩杆(20)连接,所述切割机(14)与安装块(9)之间设有第一伸缩杆(11)以及第二伸缩杆(12)连接,所述激光切割机(16)与安装块(9)之间设有第三伸缩杆以及第四伸缩杆(19)连接,所述切割机(14)以及激光切割机(16)位于放大镜(21)后侧,所述第一伸缩杆(11)、第二伸缩杆(12)、第三伸缩杆(17)以及第四伸缩杆(19)上设有连接孔,所述第一伸缩杆(11)与第二伸缩杆(12)之间的连接孔设有插销(13)...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡国涛,
申请(专利权)人:济南潼鑫电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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