【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池组件
[0001]本技术涉及太阳能电池
,具体涉及一种太阳能电池组件。
技术介绍
[0002]对于多个双面异质结太阳能电池平行串联而成的太阳能电池组件,由于串联的需求,因而具有N型掺杂层一侧作为正面的太阳能电池和P型掺杂层一侧作为正面的太阳能电池。双面异质结太阳能电池的N型掺杂层和P型掺杂层由于掺杂层的材质不同,N型掺杂层一侧和P型掺杂层一侧分别作为正面时的实际功率不同,N型掺杂层一侧作为正面时的功率较高而P型掺杂层一侧作为正面时的功率较低,实际太阳能电池的双面率(指在入射光相同的情况下N型掺杂层作为正面时太阳能电池的最大输出功率和P型掺杂层作为正面时太阳能电池的最大输出功率之比)约为90%左右。太阳能电池组件整体的最大输出功率受到功率较低的电池(P型掺杂层作为正面的电池)的限制,最大输出功率较高的电池(N型掺杂层作为正面的电池)光电转化形成的电能不能形成完全输出,使得太阳能电池组件整体的功率偏低。
技术实现思路
[0003]因此本技术提供一种太阳能电池组件,以缓解太阳能电池组件整体的输出功率
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池组件,其特征在于,包括:多个串联连接的太阳能电池;所述太阳能电池包括:半导体衬底层;N型掺杂层,所述N型掺杂层位于所述半导体衬底层的一侧;P型掺杂层,所述P型掺杂层位于所述半导体衬底层背向所述N型掺杂层的一侧;位于所述N型掺杂层背向所述半导体衬底层一侧的第一透明导电层,位于所述P型掺杂层背向所述半导体衬底层一侧的第二透明导电层,所述第二透明导电层的载流子迁移率高于所述第一透明导电层的载流子迁移率;其中:部分所述太阳能电池的P型掺杂层位于正面,部分所述太阳能电池的N型掺杂层位于正面。2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一透明导电层的载流子迁移率为100cm2/v
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s~160cm2/v
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s;所述第二透明导电层的载流子迁移率为30cm2/v
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s~80cm2/v
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s。3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一透明导电层和第二透明导电层均为铟系氧化物。4.根据权利要求3所述的太阳能电池组件,其特征在于,所述第一透明导电层为掺锡氧化铟;所述第二透明导电层为掺锡氧化铟或者掺钨氧化铟。5.根据权利要求1
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4任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙,
类型:新型
国别省市:
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