半导体封装结构及其制造方法技术

本申请公开了一种半导体封装结构及其制造方法，包括：散热基板；绝缘基板，绝缘基板设于散热基板上，绝缘基板包括绝缘片以及分别设于绝缘片两侧的第一导电体以及第二导电体；半导体芯片，半导体芯片设于绝缘基板背离散热基板的一侧，且半导体芯片的第一连接端与第二导电体电性连接；金属支架，金属支架包括相互连接的引线框架以及连接结构，连接结构与半导体芯片的第二连接端以及第三连接端接触连接，且连接结构与第二导电体接触连接；封装结构，封装结构包围散热基板、绝缘基板、半导体芯片以及连接结构，引线框架的输出端从封装结构的一侧伸出。在本申请实施例的半导体封装结构中，焊接次数减少，连接的稳定性提高并散热效率提升。升。升。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体封装结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]传统的内绝缘封装设计工艺流程是下铜支架上焊陶瓷片，然后焊上铜支架，再焊芯片已经打铝线或者铜片焊接把芯片的电性引到上支架的管脚上。塑封本体厚度较大，封装成本高，同时芯片到器件表面的散热路径较长，产品的散热能力较差。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法，其铜支架与半导体芯片之间直接连接，减少了焊接次数，提高了连接的稳定性，降低故障率。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种半导体封装结构，包括：散热基板；绝缘基板，绝缘基板设于散热基板上，绝缘基板包括绝缘片以及分别设于绝缘片两侧的第一导电体以及第二导电体，第一导电体朝向散热基板设置；半导体芯片，半导体芯片设于绝缘基板背离散热基板的一侧，且半导体芯片的第一连接端与第二导电体电性连接；金属支架，金属支架包括相互连接的引线框架以及连接结构，连接结构与半导体芯片的第二连接端以及第三连接端接触连接，且连接结构与第二导电体接触连接；封装结构，封装结构包围散热基板、绝缘基板、半导体芯片以及连接结构，引线框架的输出端从封装结构的一侧伸出。
[0005]根据本申请实施例的一个方面，引线框架包括第一引脚、第二引脚，连接结构包括第一连接片、第二连接片，第一连接片与第一引脚电性连接，第二连接片与第二引脚电性连接，第一连接片与半导体芯片的第二连接端接触连接，第二连接片与半导体芯片的第三连接端接触连接。
[0006]根据本申请实施例的一个方面，绝缘基板在散热基板上的正投影覆盖半导体芯片在散热基板上的正投影，第二导电体的一部分朝向金属支架露出。
[0007]根据本申请实施例的一个方面，引线框架包括第三引脚，连接结构包括第三连接片，第三连接片与第三引脚电性连接，第三连接片与第二导电体接触连接。
[0008]根据本申请实施例的一个方面，绝缘片使用陶瓷、橡胶、聚酰亚胺中的任意一种材料制成，第二导电体包括铜、铝、金中的任意一种。
[0009]根据本申请实施例的一个方面，绝缘基板为双面覆铜陶瓷片。
[0010]第二方面，本申请实施例还提供一种半导体封装结构的制造方法，用于制作如上述的半导体封装结构，制造方法包括如下步骤：取散热基板以及绝缘基板，将绝缘基板的第一导电体与散热基板连接；取半导体芯片，将半导体芯片的一侧与绝缘基板背离散热基板的一侧连接，且绝缘基板的第二导电体与半导体芯片的第一连接端接触连接；取金属支架，将金属支架的连接结构与半导体芯片的第二连接端以及第三连接端接触连接，且连接结构与第二导电体接触连接；取封装结构，将封装结构包围散热基板、绝缘基板、半导体芯片以及连接结构，并将引线框架的输出
端从封装结构的一侧伸出。
[0011]根据本申请实施例的一个方面，在半导体芯片安装至绝缘基板上的步骤中，第二导电体的一部分朝向金属支架露出。
[0012]根据本申请实施例的一个方面，半导体芯片的第一连接端与第二导电体之间通过焊接连接，连接结构与半导体芯片的第二连接端以及第三连接端接触通过焊接连接，连接结构与第二导电体通过焊接连接，焊接的材料为锡膏，焊接的方式为点焊。
[0013]根据本申请实施例的一个方面，散热基板、绝缘基板、半导体芯片以及金属支架连接完成后，进行烘烤固化，然后进行封装结构的安装。
[0014]在本申请实施例的半导体封装结构中，将金属支架与半导体芯片之间进行接触连接，取消金线连接，减少焊接的次数，提高了连接的稳定性，降低故障；并将金属支架设于整个半导体结构的顶层，使金属支架直接与外围的散热材料接触，提升散热效率。
附图说明
[0015]通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
[0016]图1为根据本申请一个实施例提供的半导体封装结构的剖视结构示意图；图2为根据本申请一个实施例提供的半导体封装结构的金属支架的结构示意图；图3为根据本申请一个实施例提供的半导体封装结构的半导体芯片的结构示意图；图4为根据本申请一个实施例提供的半导体封装结构的制造方法的流程示意图；图5a
‑
5e示出根据本申请一个实施例提供的半导体封装结构在制备过程中的示意图。
[0017]附图标记说明10
‑
散热基板；101
‑
第一锡膏；102
‑
第二锡膏；103
‑
第三锡膏；104
‑
第四锡膏；105
‑
第五锡膏；20
‑
绝缘基板；201
‑
绝缘片；202
‑
第一导电体；203
‑
第二导电体；30
‑
半导体芯片；301
‑
第一连接端；302
‑
第二连接端；303
‑
第三连接端；40
‑
金属支架；401
‑
引线框架；402
‑
连接结构；403
‑
第一引脚；404
‑
第二引脚；405
‑
第一连接片；406
‑
第二连接片；407
‑
第三引脚；408
‑
第三连接片；50
‑
封装结构。
具体实施方式
[0018]下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本专利技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本专利技术，并不被配置为限定本专利技术。对于本领域技术人员来说，本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术更好的理解。
[0019]需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0020]应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：散热基板；绝缘基板，所述绝缘基板设于所述散热基板上，所述绝缘基板包括绝缘片以及分别设于所述绝缘片两侧的第一导电体以及第二导电体，所述第一导电体朝向所述散热基板设置；半导体芯片，所述半导体芯片设于所述绝缘基板背离所述散热基板的一侧，且所述半导体芯片的第一连接端与所述第二导电体电性连接；金属支架，所述金属支架包括相互连接的引线框架以及连接结构，所述连接结构与所述半导体芯片的第二连接端以及第三连接端接触连接，且所述连接结构与所述第二导电体接触连接；封装结构，所述封装结构包围所述散热基板、绝缘基板、半导体芯片以及连接结构，所述引线框架的输出端从所述封装结构的一侧伸出。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线框架包括第一引脚、第二引脚，所述连接结构包括第一连接片、第二连接片，所述第一连接片与所述第一引脚电性连接，所述第二连接片与所述第二引脚电性连接，所述第一连接片与所述半导体芯片的第二连接端接触连接，所述第二连接片与所述半导体芯片的第三连接端接触连接。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘基板在所述散热基板上的正投影覆盖所述半导体芯片在所述散热基板上的正投影，所述第二导电体的一部分朝向所述金属支架露出。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线框架包括第三引脚，所述连接结构包括第三连接片，所述第三连接片与所述第三引脚电性连接，所述第三连接片与所述第二导电体接触连接。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘片使用陶瓷、橡胶、聚酰亚胺中的任意一种材料制成，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵良，陈松，
申请(专利权)人：瑞能半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：