具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片制造技术

本申请案涉及一种具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片。揭示一种装置电阻得以减小的半导体装置。所述半导体装置包括半导体芯片，其中所述芯片的安置有电路元件的中心部分处的芯片厚度是均匀的且不同于在远离所述电路元件的芯片侧面附近的芯片厚度。件的芯片侧面附近的芯片厚度。件的芯片侧面附近的芯片厚度。

【技术实现步骤摘要】
具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片


[0001]本申请案涉及具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片。

技术介绍

[0002]半导体装置的演变趋势是薄芯片。一个原因是例如手机及平板TV等最终产品的薄化。此外，薄芯片在至少两个方面表现更好：随着芯片变薄，散热更好且装置电阻减小而使得功耗更低。例如硅等半导体材料具有有限的电阻率。流过半导体材料的电将电力转换成热量而不是功且通常是不期望的。
[0003]减小装置电阻的一种方式是利用更薄的芯片来构造装置。集成电路(IC)构造在具有特定厚度的半导体晶片中以在物理上支撑晶片中的电路元件。在前段工艺完成之后，将晶片移动到后段工艺，所述后段工艺通常包含背面研磨步骤以减小晶片厚度，然后在从晶片切下个别芯片并进行封装。目前，最先进的晶片薄化技术是TAIKO薄化工艺，TAIKO薄化工艺是经改进的背面研磨工艺，其研磨晶片的中间部分且在晶片周围留下3mm的边缘。在制造环境中，taiko薄化工艺可将半导体晶片薄化到约50μm；实验报告已报告已达到40μm。taiko薄化的缺点是装备成本高且在从晶片切下薄且易碎的芯片之后难以处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：半导体芯片，其具有芯片顶部表面、芯片底部表面及正交芯片侧面；电路元件，其在所述芯片顶部表面附近安置在所述芯片的中心部分中；且所述芯片在所述电路元件附近在所述芯片的所述中心部分处具有均匀的第一厚度，且在远离所述电路元件的所述芯片侧面附近具有与所述第一厚度不同的变化的第二厚度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：线性壁结构，其沿着所述芯片侧面安置，封围所述芯片的所述中心部分；所述壁结构具有从所述芯片顶部表面朝向所述芯片底部表面延伸的外表面及朝向所述芯片的所述中心部分的外延部分；且所述外延部分具有变化的厚度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其进一步包括模制化合物层，所述模制化合物层覆盖芯片背表面及所述壁结构的内表面。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其进一步包括金属层，所述金属层安置在所述模制化合物层与所述芯片底部表面之间。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述芯片底部表面在所述壁结构附近是凹形的。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述壁结构的所述外表面不被金属层覆盖。7.根据权利要求2所述的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：达尔科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：