【技术实现步骤摘要】
多尔蒂功率放大器、系统及控制方法
[0001]本专利技术涉及射频
,尤其涉及一种多尔蒂功率放大器、系统及控制方法。
技术介绍
[0002]多尔蒂功率放大器技术是提高射频功率放大效率的一种常用技术。理想多尔蒂功率放大器的基本原理是利用一对放大器的并行组合来对射频输入信号进行放大。然而,多尔蒂功率放大器的线性度和功率附加效率对多尔蒂功率放大器的性能影响较大。因此,如何在保证线性度的同时提高多尔蒂功率放大器的功率附加效率成为目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供一种多尔蒂功率放大器、系统及控制方法,以解决多尔蒂功率放大器的功率附加效率较低的问题。
[0004]一种多尔蒂功率放大器,包括:
[0005]载波放大电路;
[0006]峰值放大电路;
[0007]峰值偏置电路,被配置为提供峰值偏置信号至所述峰值放大电路;
[0008]检测控制电路,被配置为检测所述载波放大电路的工作状态,并在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时,提 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多尔蒂功率放大器,其特征在于,包括:载波放大电路;峰值放大电路;峰值偏置电路,被配置为提供峰值偏置信号至所述峰值放大电路;检测控制电路,被配置为检测所述载波放大电路的工作状态,并在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时,提供第一峰值偏置信号至所述峰值偏置电路;在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时,提供第二峰值偏置信号至所述峰值偏置电路;其中,所述第二峰值偏置信号的幅值大于所述第一峰值偏置信号的幅值。2.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时,所述峰值偏置电路向所述峰值放大电路提供第一偏置信号,所述第一偏置信号不足以使所述载波放大电路导通;在所述载波放大电路接近饱和状态或者到达饱和状态时,所述峰值偏置电路向所述峰值放大电路提供第二偏置信号,所述第二偏置信号足以使所述载波放大电路导通;其中,所述第二偏置信号的幅值大于所述第一偏置信号的幅值。3.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述检测控制电路包括第一偏置信号源;所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管;所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,第三端与所述峰值放大电路的输入端相连;所述第一偏置信号源,被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时,提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管;在所述检测载波放大电路接近或者到达饱和状态时,提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。4.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源;所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管;所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连,所述第二偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连;所述第二偏置信号源,被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管;所述第一偏置信号源,被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时,提供第一峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管;在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时,提供第二峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管。5.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源;所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管和第二峰值偏置晶体管;所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连;所述第二偏置信号源的输出端与所述第二峰值偏置晶体管的第一端相连,所述第二峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,所述第二峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大
电路的输入端相连;所述第二偏置信号源,被配置为提供第三峰值偏置信号至所述第一峰值偏置晶体管;所述第一偏置信号源,被配置为在所述载波放大电路未接近饱和状态或者未到达饱和状态时,提供第一峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管;在所述载波放大电路接近饱和状态或到达饱和状态时,提供第二峰值偏置信号至所述第二峰值偏置晶体管。6.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述检测控制电路包括第一偏置信号源和第二偏置信号源;所述峰值偏置电路包括第一峰值偏置晶体管;所述第一偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,所述第一峰值偏置晶体管的第三端与所述峰值放大电路的输入端相连;所述第二偏置信号源的输出端与所述第一峰值偏置晶体管的第一端相连;在...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡自洁,邱皓川,倪建兴,
申请(专利权)人:锐石创芯深圳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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