一种复合金属箔及线路板制造技术

本实用新型专利技术公开一种复合金属箔及线路板，复合金属箔包括：介质层、调节层、第一电阻层和第一导电层，调节层设置在介质层的一侧；第一电阻层形成在调节层远离介质层的一侧，调节层远离介质层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使第一电阻层靠近调节层的一侧和远离调节层的一侧的至少部分区域形成第二凸起结构，第一导电层形成在第一电阻层远离调节层的一侧。第二凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。此外，通过改变调节层的第一凸起结构，调节第一电阻层的形貌和粗糙度，可以对埋入式电阻的产品性能进行精确调节。节。节。

【技术实现步骤摘要】
一种复合金属箔及线路板


[0001]本技术涉及复合金属箔
，尤其涉及一种复合金属箔及线路板。

技术介绍

[0002]随着无线通讯和电子设备的高速发展，电子设备朝着精密化、小型化和轻薄化演化，因此，要求电子设备内部的元器件的尺寸要尽可能的向小型化、轻薄化发展。
[0003]电子设备内部的电阻元件由之前的带针脚的插接电阻，到贴片电阻，再到埋入式电阻，逐渐向轻薄化发展。埋入式电阻的制备过程大致如下：将复合金属箔贴附电路板上，通过刻蚀工艺刻蚀出埋入式电阻。
[0004]埋入式电阻的应用终端电子产品内部的电路板上集成有众多埋入式电阻，而电路对静电高压相当敏感，当带静电的人或物体接触到这些埋入式电阻时，会产生静电释放，当静电高压冲击电路后，容易被静电高压击穿，从而使得埋入式电阻功能失效。

技术实现思路

[0005]本技术实施例的一个目的在于：提供复合金属箔，能够提高第一电阻层的载流量，进而提高第一电阻层的耐ESD(Electro
‑
Static Discharge，静电释放)性能，进而提高埋入式电阻的抗静电击穿性能。
[0006]本技术实施例的另一个目的在于：提供一种线路板，包括本技术实施例提供的复合金属箔。
[0007]为达上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0008]第一方面，本技术实施例提供了一种复合金属箔，包括：介质层、调节层、第一电阻层和第一导电层；
[0009]所述调节层设置在所述介质层的一侧；
[0010]所述第一电阻层形成在所述调节层远离所述介质层的一侧；
[0011]所述调节层远离所述介质层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的至少部分区域形成第二凸起结构；
[0012]所述第一导电层形成在所述第一电阻层远离所述调节层的一侧。
[0013]可选的，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm
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30μm。
[0014]可选的，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于0.5％。
[0015]可选的，所述调节层远离所述介质层的一侧的全部区域均设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的全部区域均形成第二凸起结构。
[0016]可选的，所述调节层远离所述介质层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的第
一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的至少部分区域形成多个连续的第二凸起结构。
[0017]可选的，所述调节层远离所述介质层的一侧的全部区域均设置有多个连续的第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的全部区域均形成多个连续的第二凸起结构。
[0018]可选的，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的全部区域均形成连续的第二凸起结构，以使所述第一电阻层形成连续的波浪起伏结构。
[0019]可选的，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm
‑
10μm，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于20％。
[0020]可选的，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm
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10μm，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于50％。
[0021]可选的，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm
‑
10μm，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于200％。
[0022]可选的，所述介质层远离所述调节层的一侧设置有第二电阻层和第二导电层，所述第二电阻层位于所述介质层与所述第二导电层之间。
[0023]可选的，所述第一电阻层的材质包括镍、铬、铂、钯、钛中的至少一种单质金属，和/或镍铬合金、镍磷合金或铬硅合金。
[0024]可选的，所述第一电阻层为单层结构或至少两层结构。
[0025]第二方面，本技术实施例还提供了一种线路板，包括本技术第一方面提供的复合金属箔。
[0026]本技术实施例提供的复合金属箔，包括介质层、调节层、第一电阻层和第一导电层，调节层设置在介质层的一侧；第一电阻层形成在调节层远离介质层的一侧，调节层远离介质层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使第一电阻层靠近调节层的一侧和远离调节层的一侧的至少部分区域形成第二凸起结构，第一导电层形成在第一电阻层远离调节层的一侧。第二凸起结构的存在，增大了第一电阻层的截面积，提高了第一电阻层的载流量，进而提高了第一电阻层的耐ESD性能，提高了埋入式电阻的抗静电击穿性能。此外，通过改变调节层的第一凸起结构，调节第一电阻层的形貌和粗糙度，可以对埋入式电阻的产品性能进行精确调节。
附图说明
[0027]下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。
[0028]图1A为本技术实施例提供的一种复合金属箔的结构示意图；
[0029]图1B为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0030]图2A为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0031]图2B为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0032]图2C为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0033]图3为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0034]图4A为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0035]图4B为本技术实施例提供的另一种复合金属箔的结构示意图；
[0036]图5A为本技术实施例提供的一种复合金属箔的制备方法的流程图
[0037]图5B为本技术实施例提供的在介质层上形成调节层的示意图；
[0038]图5C为本技术实施例提供的在调节层远离介质层的一侧形成第一凸起结构的示意图；
[0039]图5D为本技术实施例提供的在调节层上形成第一电阻层的示意图；
[0040]图5E为本技术实施例提供的在第一电阻层上形成第一导电层的示意图。
具体实施方式
[0041]为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合金属箔，其特征在于，包括：介质层、调节层、第一电阻层和第一导电层；所述调节层设置在所述介质层的一侧；所述第一电阻层形成在所述调节层远离所述介质层的一侧；所述调节层远离所述介质层的一侧的至少部分区域设置有第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的至少部分区域形成第二凸起结构；所述第一导电层形成在所述第一电阻层远离所述调节层的一侧。2.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Rz的范围均为0.1μm
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30μm。3.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的粗糙度Sdr的范围均为大于或等于0.5％。4.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述调节层远离所述介质层的一侧的全部区域均设置有所述第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的全部区域均形成所述第二凸起结构。5.根据权利要求1所述的复合金属箔，其特征在于，所述调节层远离所述介质层的一侧的至少部分区域设置有多个连续的所述第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的至少部分区域形成多个连续的所述第二凸起结构。6.根据权利要求5所述的复合金属箔，其特征在于，所述调节层远离所述介质层的一侧的全部区域均设置有多个连续的所述第一凸起结构，以使所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的全部区域均形成多个连续的所述第二凸起结构。7.根据权利要求5所述的复合金属箔，其特征在于，所述第一电阻层靠近所述调节层的一侧和远离所述调节层的一侧的全部区域均形成连续的所述第二凸起结构，以使所述第一电阻层形...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏陟，
申请(专利权)人：广州方邦电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：