NMOS器件制造方法和NMOS器件技术

本发明专利技术公开了一种NMOS器件制造方法，在硅片上进行氧化层热生长前，先进行P型离子注入，形成阱区。本发明专利技术与现有技术相比，有效提高金属氧化物半导体NMOS器件的电子迁移率，得到较高的饱和电流，实现在相同的驱动电压下提高器件速度。此方法与传统工艺兼容，仅需改变工艺流程顺序而不增减任何工艺流程，极易实现而且成本低廉。成本低廉。成本低廉。

【技术实现步骤摘要】
NMOS器件制造方法和NMOS器件


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种NMOS器件制造方法和NMOS器件。

技术介绍

[0002]自从金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件问世以来，器件尺寸就遵循摩尔定律在缩小，只有不断缩小器件的尺寸，提高集成电路的集成度，才能获得更高的性能和更低的成本。然而，随着现在的集成电路需求越来越多样化以及器件尺寸越来越小，我们需要不断提高器件中电子迁移率，以此来降低功耗，提高器件的电流承载能力，因此如何提高器件电子迁移率也是一直比较关注的问题。
[0003]电子迁移率与载流子浓度一起决定了半导体材料的电导率大小，迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。另外电子迁移率可影响器件的工作频率，双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，而晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时提高晶体管的开关转换速度。r/>[0004]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NMOS器件制造方法，其特征在于：在硅片上进行氧化层热生长前，先进行P型离子注入，形成阱区。2.如权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：所述P型离子中包含硼。3.如权利要求1所述的器件制造方法，其特征在于：所述氧化层热生长的温度为800摄氏度。4.如权利要求1所述的器件制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：轩慎龙，勾鹏，刘巍，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：