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本发明公开了一种NMOS器件制造方法，在硅片上进行氧化层热生长前，先进行P型离子注入，形成阱区。本发明与现有技术相比，有效提高金属氧化物半导体NMOS器件的电子迁移率，得到较高的饱和电流，实现在相同的驱动电压下提高器件速度。此方法与传统工艺...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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