制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置制造方法及图纸

一种制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置，包括垫盘、托盘、石英窗和垫盘运动机构，垫盘、托盘、冷却盘和石英窗由上至下依次设置，垫盘连接在垫盘运动机构的动力输出端；垫盘内设置有加热装置。所述垫盘运动机构，包括支架、升降转轴、升降机构和旋转机构，升降机构和旋转机构均设置在支架上，升降转轴连接在升降机构上并与旋转机构连接，升降转轴的顶端连接所述垫盘。本实用新型专利技术通过垫盘运动机构调节生长垫盘高度和旋转速率、加热垫盘的方式控制外延薄膜沉积效率，优化各外延区域的沉积速率，随着生长过程中籽晶衬底高度的升高动态调节垫盘的高度并旋转，能保证同一籽晶衬底的生长延续性与均匀性，保证了晶体质量。保证了晶体质量。保证了晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置


[0001]本技术涉及一种用于制备亚微米级金刚石薄膜的装置，属于金刚石同质或异质外延生长


技术介绍

[0002]金刚石具有超高的硬度、高热导率、高热学稳定性与5.47eV的禁带宽度且广域透光等出色的物理化学性能，一直备受各领域的关注，被称为“终极半导体材料”。目前半导体器件用的金刚石单晶主要靠硼、磷等元素进行掺杂或表面氢原子终端来实现材料导电。其中元素掺杂的技术还有大量掺杂浓度、激活与电阻率较高等科学技术问题需要解决。而氢原子终端已经可以实现低载流子密度的电学传导。近20年来，各国科学家都针对于不同金刚石单晶衬底质量、不同氢终端接触、氢终端表面处理对于后续半导体器件的影响做出了大量的研究。金刚石表面碳原子悬挂键连接氢原子形成氢终端后表现出负电子亲和势，使得金刚石表面产生电荷极化效应，导致表面附近的碳原子产生能带弯曲形成二维空穴气(2DHG)实现表界面导电。因此非掺杂本征金刚石基半导体器件仅适用金刚石表界面形成电学完成空穴传输。
[0003]目前微波等离子体化学气相沉积是制备高质量金刚石本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置，其特征是：包括垫盘、托盘、石英窗和垫盘运动机构，垫盘、托盘、冷却盘和石英窗由上至下依次设置，垫盘连接在垫盘运动机构的动力输出端；垫盘内设置有加热装置。2.根据权利要求1所述的制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置，其特征是：所述加热装置包括加热块，加热块下方设置有电热阻丝，电热阻丝连接温控仪。3.根据权利要求1所述的制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置，其特征是：所述冷却盘内设置有冷却水循环管路。4.根据权利要求1所述的制备亚微米级金刚石薄膜的化学气相沉积装置，其特征是：所述垫盘运动机构，包括支架、升降转轴、升降机构和旋转机构，升降机构和旋转机构均设置在支架上，升降转轴连接在升降机构上并与旋转机构连接，升降转轴的顶端连接所述垫盘。5.根据权利要求4所述的制备亚微米级金刚石薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王希玮，曹振忠，王笃福，徐现刚，王盛林，
申请(专利权)人：济南金刚石科技有限公司，
类型：新型
国别省市：