透明导电膜制造技术

本发明专利技术涉及透明导电膜(10)，其具有：具有表面(14a，14b)的基底(14)；在基底(14)的表面(14a，14b)的一个或多个部分上面的纳米线层(12，12a)；和在包括纳米线层(12，12a)的所述部分上的导电层(16，16a)，导电层(16，16a)包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。纳米管(CNT)和粘合剂。纳米管(CNT)和粘合剂。

【技术实现步骤摘要】
透明导电膜
[0001]本申请是国际申请日为2016年4月21日、申请号为201680030973.7、专利技术名称为“透明导电膜”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容涉及透明导电膜。

技术介绍

[0003]目前使用的许多常用的透明导电膜依赖于无机化合物来提供必要的导电性。为了提供期望的透明度，总膜厚限于约50
‑
100nm。常见的导电薄膜化合物为氧化铟锡(ITO)。基于ITO的薄膜在上述透明度范围内提供约100
‑
约300Ω/
□
的薄层电阻。然而，基于ITO的薄膜具有脆性和高成本的缺点。

技术实现思路

[0004]以下提及的所有实例和特征可以任何技术上可行的方式组合。
[0005]在一个方面中，透明导电膜(TCF)包括具有表面的基底、在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面的纳米线层、和在包括所述纳米线层的所述部分上的导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
[0006]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述纳米线可为银或铜纳米线。所述纳米线层可包括纳米线粘合剂。所述纳米线层可包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂，在一个非限制性实例中其为光学增亮剂(optical brightener)。所述纳米线层可具有约10mg/m2‑
约100mg/m2纳米线。所述纳米线层可在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
[0007]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层粘合剂可包括聚合物，在一个非限制性实例中其为离聚物。在一个非限制性实例中所述离聚物可为磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物
‑
共聚物。所述导电层粘合剂可具有不大于约1.5的折射率。
[0008]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层可进一步包括粘度改进剂(调节剂，modifier)。所述导电层可进一步包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。所述TCF还可包括促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的在所述基底上的连接层(tie layer)。所述连接层可包括聚合物例如甲基丙烯酸甲酯共聚物。所述连接层可具有配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。所述基底可具有两个相反表面；其中存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个；和其中在两个纳米线层上均存在导电层。
[0009]本文中特征还在于制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括提供具有表面的基底，在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面沉积纳米线层，和在包括所述纳米线层的所述部分上图案化导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
[0010]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述纳米线可为银或铜纳米线。所
述纳米线层可具有纳米线粘合剂。所述纳米线层可包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂；所述添加剂可为光学增亮剂。所述纳米线层可具有约10mg/m2‑
约100mg/m2纳米线。所述纳米线层可在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
[0011]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层粘合剂可包括聚合物，其可为离聚物例如但不限于磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物
‑
共聚物。所述导电层粘合剂可具有不大于约1.5的折射率。
[0012]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述导电层可进一步包括粘度改进剂。所述粘度改进剂可为短效(fugitive)材料。所述导电层还可包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。所述基底可具有两个相反表面，并且可存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个并且在两个纳米线层上均存在导电层。
[0013]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述方法可进一步包括在所述沉积步骤之前在所述基底的顶部表面上产生促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的连接层。所述连接层可包括配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。所述连接层可包括聚合物例如甲基丙烯酸甲酯共聚物。可在小于全部所述纳米线层上图案化所述导电层，从而留下暴露的纳米线，然后可将所述暴露的纳米线除去。
[0014]本专利技术的实施方式例如有：
[0015]1.透明导电膜(TCF)，其包括：
[0016]具有表面的基底；
[0017]在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面的纳米线层；和
[0018]在包括所述纳米线层的所述部分上的导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
[0019]2.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线包括银或铜纳米线。
[0020]3.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层包括纳米线粘合剂。
[0021]4.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂。
[0022]5.如条目4所述的TCF，其中所述添加剂包括光学增亮剂。
[0023]6.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层包括约10mg/m2‑
约100mg/m2纳米线。
[0024]7.如条目1所述的TCF，其中所述纳米线层在总计包括比所述基底的所述表面的全部小的部分上。
[0025]8.如条目1所述的TCF，其中所述导电层粘合剂包括聚合物。
[0026]9.如条目8所述的TCF，其中所述导电层粘合剂包括离聚物。
[0027]10.如条目9所述的TCF，其中所述导电层粘合剂包括磺化的基于四氟乙烯的含氟聚合物
‑
共聚物。
[0028]11.如条目1所述的TCF，其中所述导电层粘合剂具有不大于约1.5的折射率。
[0029]12.如条目1所述的TCF，其中所述导电层进一步包括粘度改进剂。
[0030]13.如条目1所述的TCF，其中所述导电层进一步包括导电纳米颗粒和石墨烯的至少一种。
[0031]14.如条目1所述的TCF，其进一步包括促进所述纳米线和CNT的至少一种对所述基底的粘附的在所述基底上的连接层。
[0032]15.如条目14所述的TCF，其中所述连接层包括配置成改变所述连接层的光学性质的添加剂。
[0033]16.如条目14所述的TCF，其中所述连接层包括聚合物。
[0034]17.如条目16所述的TCF，其中所述聚合物包括甲基丙烯酸甲酯共聚物。
[0035]18.如条目1所述的TCF，其中所述基底具有两个相反表面；其中存在两个纳米线层，在两个这样的表面的一个或多个部分上各一个；和其中在两个纳米线层上均存在导电层。
[0036]19.制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括：
[0037]提供具有表面的基底；
[0038]在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面沉积纳米线层；和
[0039]在包括所述纳米线层的所述部分上图案化导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括：提供具有表面的基底；在所述基底的表面上面沉积金属纳米线层；在所述金属纳米线层上面以图案方式印刷导电层，使得所述金属纳米线层的一部分未被所述导电层覆盖，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂；以及除去未被所述导电层覆盖的金属纳米线层以提供具有期望的导电性图案的TCF。2.如权利要求1所述的方法，其中通过擦拭除去未被所述导电层覆盖的金属纳米线层。3.如权利要求1所述的方法，其中金属纳米线包括银或铜纳米线。4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括纳米线粘合剂。5.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂。6.如权利要求5所述的方法，其中所述添加剂包括光学增亮剂。7.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括约10mg/m2‑
约100mg/m2纳米线。8.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括离聚物。9.如权利要求8所述的方法，其中所述导电层粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：小罗伯特F普赖诺，SP亚瑟，DJ亚瑟，
申请(专利权)人：峡谷科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：