透明导电膜制造技术

本发明专利技术涉及透明导电膜(10)，其具有：具有表面(14a，14b)的基底(14)；在基底(14)的表面(14a，14b)的一个或多个部分上面的纳米线层(12，12a)；和在包括纳米线层(12，12a)的所述部分上的导电层(16，16a)，导电层(16，16a)包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。纳米管(CNT)和粘合剂。纳米管(CNT)和粘合剂。

【技术实现步骤摘要】
透明导电膜
[0001]本申请是国际申请日为2016年4月21日、申请号为201680030973.7、专利技术名称为“透明导电膜”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本公开内容涉及透明导电膜。

技术介绍

[0003]目前使用的许多常用的透明导电膜依赖于无机化合物来提供必要的导电性。为了提供期望的透明度，总膜厚限于约50
‑
100nm。常见的导电薄膜化合物为氧化铟锡(ITO)。基于ITO的薄膜在上述透明度范围内提供约100
‑
约300Ω/
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的薄层电阻。然而，基于ITO的薄膜具有脆性和高成本的缺点。

技术实现思路

[0004]以下提及的所有实例和特征可以任何技术上可行的方式组合。
[0005]在一个方面中，透明导电膜(TCF)包括具有表面的基底、在所述基底的所述表面的一个或多个部分上面的纳米线层、和在包括所述纳米线层的所述部分上的导电层，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂。
[0006]实施方式可包括以下特征之一、或其任意组合。所述纳米线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.制造透明导电膜(TCF)的方法，其包括：提供具有表面的基底；在所述基底的表面上面沉积金属纳米线层；在所述金属纳米线层上面以图案方式印刷导电层，使得所述金属纳米线层的一部分未被所述导电层覆盖，所述导电层包括碳纳米管(CNT)和粘合剂；以及除去未被所述导电层覆盖的金属纳米线层以提供具有期望的导电性图案的TCF。2.如权利要求1所述的方法，其中通过擦拭除去未被所述导电层覆盖的金属纳米线层。3.如权利要求1所述的方法，其中金属纳米线包括银或铜纳米线。4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括纳米线粘合剂。5.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括配置成改变所述纳米线层的光学性质的添加剂。6.如权利要求5所述的方法，其中所述添加剂包括光学增亮剂。7.如权利要求1所述的方法，其中所述金属纳米线层包括约10mg/m2‑
约100mg/m2纳米线。8.如权利要求1所述的方法，其中所述导电层粘合剂包括离聚物。9.如权利要求8所述的方法，其中所述导电层粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：小罗伯特F普赖诺，SP亚瑟，DJ亚瑟，
申请(专利权)人：峡谷科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：