气体喷头制造技术

本实用新型专利技术为一种气体喷头，提供安装在面下型(Face Down)的化学气相沉积反应腔室中，且相邻于反应腔室内的基板，气体喷头更连接一管路总成，以喷散管路总成所供应的气体，如此在基板上形成薄膜。本实用新型专利技术气体喷头包括复数层排气单元，复数层排气单元于一轴向上层叠设置，且每一排气单元分别连通管路总成上不同的管路，每一排气单元上环设有复数排气孔，越靠近基板的排气单元的排气孔的截面积越小，令越靠近基板的气体流速越快。气体喷头的设计可令越靠近基板的气体流速越快，以改善粉尘飘散或残留在基板表面，造成的合格率损失问题。造成的合格率损失问题。造成的合格率损失问题。

【技术实现步骤摘要】
气体喷头


[0001]本技术涉及一种应用于制造或处理半导体的技术，特别是一种能减少粉尘残留的气体喷头。

技术介绍

[0002]有机金属化学气相沉积法(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)是在基板上成长半导体薄膜的一种制程方法。
[0003]有机金属化学气相沉积法在成长半导体薄膜时，利用喷头将载气及有机金属气体导入反应腔室中，使反应腔室中均匀地充满气体，以在晶圆基板的反应面上成长半导体薄膜，过程中喷头输出气体的流量与稳定度，为影响半导体制程品质的其中一项重要环节。
[0004]在有机金属化学气相沉积法的制程中，基板的反应面与反应气体的接触是否均匀，以及是否有粉尘飘散附着在基板的反应面上等问题，都会直接影响薄膜形成的品质。
[0005]因此，若能降低粉尘沉积在表面，就能解决晶片合格率下降的问题，进而提升生产制作品质。
[0006]有鉴于此，本技术遂针对上述现有技术的缺失，提出一种气体喷头，以有效克服上述的问题。
技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体喷头，安装在气相沉积的反应腔室中，且相邻于该反应腔室内的基板，该气体喷头连接一管路总成，令该气体喷头能够喷散该管路总成供应的气体，以在设置在该反应腔室中的该基板上形成薄膜，其特征在于，该气体喷头包括：复数层排气单元，该复数层排气单元于一轴向上层叠设置，且每一该排气单元分别连通该管路总成上不同的管路，每一该排气单元上环设有复数排气孔，由一端该排气单元的该复数排气孔截面积至另一端该排气单元的该复数排气孔截面积逐渐增大，令越靠近该基板的该排气单元的该排气孔截面积越小。2.如权利要求1所述的气体喷头，其特征在于，每一该排气...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭钦，刘峰，
申请(专利权)人：苏州雨竹机电有限公司，
类型：新型
国别省市：