硅基OLED显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基OLED显示面板及其制备方法，硅基OLED显示面板包括基板；发光器件层，发光器件层包括自基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层所述子电极层的电阻差异大于设定阈值。本实施例的硅基OLED显示面板的发光功能单元相互分离，使得相邻发光器件的发光功能单元之间互不接触，进而使得发光功能层之间不存在载流子的横向流动，避免硅基OLED显示面板的横向漏电。同时，包括至少两层子电极层的第二电极层整体电阻较大，从而抑制第二电极层中载流子的横向流动，进一步避免硅基OLED显示面板的横向漏电。漏电。漏电。

【技术实现步骤摘要】
硅基OLED显示面板及其制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种硅基OLED显示面板及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅基OLED(Organic Electroluminescence Display，有机电致发光显示器)因其具有亮度、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快和功耗低等优异的特点，使其发展非常迅速。
[0003]但是，目前，硅基OLED显示面板均存在载流子的横向流动导致的横向漏电问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种硅基OLED显示面板及其制备方法，以实现降低硅基OLED显示面板的横向漏电。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种硅基OLED显示面板，包括：
[0006]基板；
[0007]发光器件层，所述发光器件层包括自所述基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；所述第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；所述发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，所述发光功能单元与所述第一电极对应设置；所述第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层所述子电极层的电阻差异大于设定阈值。
[0008]可选的，所述硅基OLED显示面板还包括像素限定层，所述像素限定层位于所述基板的一侧，所述像素限定层包括限定本体部和开口，所述限定本体部至少位于相邻所述第一电极之间以及相邻所述发光功能层之间，所述发光功能层位于所述开口中。
[0009]可选的，所述第二电极层包括自所述发光功能层一侧向所述发光功能层远离所述基板方向层叠设置的第一子电极层、第二子电极层和第三子电极层，所述第二子电极层的阻值大于所述第一子电极层的阻值和所述第三子电极层的阻值。
[0010]可选的，所述第一子电极层包括多个相互绝缘的第二电极，所述第二电极与所述第一电极对应设置；所述发光功能单元位于所述第一电极与对应的所述第二电极之间，且所述第一电极、与所述第一电极对应的所述发光功能单元和与所述第一电极对应的第二电极包括在同一发光器件内。
[0011]可选的，所述发光器件的所述第二电极在所述基板上的垂直投影覆盖所述发光功能单元的在所述基板的垂直投影；
[0012]且在设定方向上，所述发光器件的所述发光功能单元的尺寸小于所述第二电极的尺寸；
[0013]可选的，设定方向包括所述硅基OLED显示面板中所述发光器件排布的行方向和/或列方向。
[0014]可选的，所述第一子电极层、所述第三子电极层的电阻率均在103Ω*cm数量级，所
述第二子电极层的电阻率在105Ω*cm数量级。
[0015]可选的，所述第一子电极层为整面连续的面状电极。
[0016]可选的，所述第一子电极层厚度为100
‑
5000A，所述第二子电极层厚度为10
‑
500A，所述第三子电极层厚度为500
‑
3000A。
[0017]可选的，所述发光功能层包括自所述第一电极层一侧向所述第一电极层远离所述基板方向层叠设置的第一发光层、第二发光层、电荷产生层和第三发光层，所述第一发光层、所述第二发光层、所述第三发光层发光颜色均不同；
[0018]可选的，所述第一发光层发红光、所述第二发光层发绿光、所述第三发光层发蓝光。
[0019]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种硅基OLED显示面板的制备方法，该硅基OLED显示面板的制备方法包括：
[0020]提供基板；
[0021]在所述基板的一侧依次形成第一电极层、发光功能层和包括至少两层子电极层的第二电极层；
[0022]其中，所述第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；所述发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，所述发光功能单元与所述第一电极对应设置；至少两层所述子电极层的电阻差异大于设定阈值。
[0023]本专利技术实施例提供了硅基OLED显示面板及其制备方法，硅基OLED显示面板包括基板和发光器件层，发光器件层包括自基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，发光功能单元与第一电极对应设置；第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层子电极层的电阻差异大于设定阈值。本专利技术实施例的硅基OLED显示面板的发光功能单元相互分离，使得相邻发光器件的发光功能单元之间互不接触，进而使得发光功能层之间不存在载流子的横向流动，避免硅基OLED显示面板的横向漏电。同时，包括至少两层子电极层的第二电极层整体电阻较大，从而抑制第二电极层中载流子的横向流动，进一步避免硅基OLED显示面板的横向漏电。
附图说明
[0024]图1是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板的截面结构示意图。
[0025]图2是本专利技术实施例提供的另一种硅基OLED显示面板的截面结构示意图。
[0026]图3是本专利技术实施例提供的另一种硅基OLED显示面板的截面结构示意图。
[0027]图4是本专利技术实施例提供的另一种硅基OLED显示面板的截面结构示意图。
[0028]图5是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板的俯视图。
[0029]图6是本专利技术实施例提供的另一种硅基OLED显示面板的俯视图。
[0030]图7是本专利技术实施例提供的另一种硅基OLED显示面板的截面结构示意图。
[0031]图8是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板的制备方法的流程图。
[0032]图9是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板制备过程中完成沉积第一子电极层时的截面结构示意图。
[0033]图10是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板制备过程中对第一子电极层
进行图案化时的截面结构示意图。
[0034]图11是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板制备过程中对第一子电极层完成图案化时的截面结构示意图。
[0035]图12是本专利技术实施例提供的一种硅基OLED显示面板制备过程中完成沉积第二子电极层时的截面结构示意图。
[0036]图13是本专利技术实施例提供的另一种硅基OLED显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0038]正如
技术介绍
中所述，现有硅基OLED显示面板存在横向漏电的问题。经专利技术人研究发现，出现上述问题的原因在于，现有技术中，发光功能层为整面连通的结构，相邻发光器件的发光功能层中的载流子横向流动，导致硅基OLED显示面板的横向漏电，同时，阴极层电阻较小，导致阴极层中也存在一定的载流子的横向流动，从而也会导致OLED显示面板的横向漏电。
[0039]基于上述原因，本专利技术实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED显示面板，其特征在于，包括：基板；发光器件层，所述发光器件层包括自所述基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；所述第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；所述发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，所述发光功能单元与所述第一电极对应设置；所述第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层所述子电极层的电阻差异大于设定阈值。2.根据权利要求1所述的硅基OLED显示面板，其特征在于，还包括像素限定层，所述像素限定层位于所述基板的一侧，所述像素限定层包括限定本体部和开口，所述限定本体部至少位于相邻所述第一电极之间以及相邻所述发光功能层之间，所述发光功能层位于所述开口中。3.根据权利要求1或2所述的硅基OLED显示面板，其特征在于，所述第二电极层包括自所述发光功能层一侧向所述发光功能层远离所述基板方向层叠设置的第一子电极层、第二子电极层和第三子电极层，所述第二子电极层的阻值大于所述第一子电极层的阻值和所述第三子电极层的阻值。4.根据权利要求3所述的硅基OLED显示面板，其特征在于，所述第一子电极层包括多个相互绝缘的第二电极，所述第二电极与所述第一电极对应设置；所述发光功能单元位于所述第一电极与对应的所述第二电极之间，且所述第一电极、与所述第一电极对应的所述发光功能单元和与所述第一电极对应的第二电极包括在同一发光器件内。5.根据权利要求4所述的硅基OLED显示面板，其特征在于，所述发光器件的所述第二电极在所述基板上的垂直投影覆盖所述发光功能单元的在所述基板的垂直投影；且在设定方向上，所述发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉龙，季渊，潘仲光，
申请(专利权)人：南京昀光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：