半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够在衬底上形成无孔隙且无缝隙的膜。半导体器件的制造方法具有下述工序：于第1温度向衬底供给成膜气体，在衬底上形成至少含有氧及碳且碳浓度为20at％以上的第1膜的工序；和于第1温度以上的第2温度向形成有第1膜的衬底供给含氧及氢气体，使第1膜改性为第2膜的工序。第2膜的工序。第2膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质


[0001]本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序的一工序，存在进行在衬底上形成硅氧碳氮化膜(SiOCN膜)、碳氧化硅膜(SiOC膜)等膜的处理的情况(例如，参见专利文献1、2)。在该情况下，有时在表面形成有沟槽、孔等凹部的衬底上形成上述膜，存在根据凹部处的纵横比，在凹部内形成的上述膜中产生缝隙、孔隙的情况。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
140944号公报
[0006]专利文献2：日本特开2013
‑
225657号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]本专利技术的目的在于，提供能够在衬底上形成无孔隙且无缝隙的膜的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本专利技术的一方案，提供进行下述工序的技术：r/>[0011](本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体器件的制造方法，其具有：(a)于第1温度向衬底供给成膜气体，在所述衬底上形成至少含有氧及碳且碳浓度为20at％以上的第1膜的工序；和(b)于所述第1温度以上的第2温度向形成有所述第1膜的所述衬底供给含氧及氢气体，使所述第1膜改性为第2膜的工序。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的表面设有凹部，在(a)中以埋入所述凹部内的方式形成所述第1膜。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1膜至少含有硅、氧及碳。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第2膜至少含有硅、氧及碳。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第1膜至少含有硅、氧、碳及氮。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第2膜至少含有硅、氧、碳及氮。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述成膜气体包含含硅气体、含碳气体及含氧气体，或者，所述成膜气体包含含硅及碳气体及含氧气体。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将非同时地进行向所述衬底供给所述含硅气体的工序、向所述衬底供给所述含碳气体的工序、和向所述衬底供给所述含氧气体的工序的循环进行规定次数，或者，将非同时地进行向所述衬底供给所述含硅及碳气体的工序和向所述衬底供给所述含氧气体的工序的循环进行规定次数。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述成膜气体包含含硅气体、含碳及氮气体及含氧气体，或者，所述成膜气体包含含硅及碳气体、含氮气体及含氧气体。10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，将非同时地进行向所述衬底供给所述含硅气体的工序、向所述衬底供给所述含碳及氮气体的工序、和向所述衬底供给所述含氧气体的工序的循环进行规定次数，或者，将非同时地进行向所述衬底供给所述含硅及碳气体的工序、向所述衬底供给所述含氮气体的工序、和向所述衬底供给所述含氧气体的工序的循环进行规定次数。11.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，(a)中供给的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下广树，桥本良知，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：