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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够在衬底上形成无孔隙且无缝隙的膜。半导体器件的制造方法具有下述工序：于第1温度向衬底供给成膜气体，在衬底上形成至少含有氧及碳且碳浓度为20at％以上的第1膜的工序；和于第1温度以上的...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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