一种异质结电池制备方法及异质结电池技术

本申请实施例中提供了一种异质结电池制备方法及异质结电池，属于太阳能电池技术领域，异质结电池制备方法包括在晶体硅与传统的双层本征非晶硅层结构之间增加一层CO2掺杂非晶硅层形成具有三层结构的本征非晶硅层，具体操作工艺流程为：提供晶体硅衬底；清洗制绒；采用CVD沉积工艺在衬底的P面和N面的至少一侧面制备第一层，第一层为CO2掺杂非晶硅层；采用CVD沉积工艺在上一步得到的衬底的P面和N面均制备第二层和位于第二层上的第三层，其中，第二层为无H掺杂本征非晶硅层，所述第三层为H掺杂本征非晶硅层。通过本申请的处理方案，改善界面钝化质量，使光生电流和开路电压均有所增加，提高了电池转化效率。提高了电池转化效率。提高了电池转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池制备方法及异质结电池


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种异质结电池制备方法及异质结电池。

技术介绍

[0002]作为一项代替传统能源发电技术，“光伏”被认为是最有前景的新能源产业之一。近些年来，以太阳能电池为主的光伏产业大规模发展，异质结(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm，简称HJT)电池为其中之一。
[0003]传统的异质结电池的工艺流程为：清洗制绒
→
CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)沉积非晶硅薄膜
→
PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)沉积透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxide，透明导电氧化物薄膜)
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丝网印刷。其中非晶硅薄膜又包括本征非晶硅层和掺杂非晶硅层，本征非晶硅层的引入抑制衬底晶硅的外延生长，提升界面质量，从而增加电池光电转换效率。
[0004]本征非晶硅膜层通常采用两层结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶体硅衬底，所述衬底的一侧为P面，另一侧为N面；对所述衬底进行清洗制绒；在所述衬底的P面和N面的至少一侧面制备第一层，所述第一层为CO2掺杂非晶硅层；在所述第一层制备完成后的所述衬底的P面和N面均分别制备第二层和位于所述第二层上的第三层，其中，所述第二层为无H掺杂本征非晶硅层，所述第三层为H掺杂本征非晶硅层。2.根据权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述第一层的厚度范围为0.5
‑
3nm，第二层的厚度范围为3
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5nm，第三层的厚度范围为4
‑
6nm。3.根据权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述第一层的制作工艺为：工艺温度范围为180
‑
220℃，预热时间范围为5
‑
15min，功率范围为200
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400W，SiH4气体流量范围为200
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400sccm，CO2气体流量范围为200
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400sccm，气体压强范围为50
‑
100Pa，极间距范围为23
‑
30mm。4.根据权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述第一层的制作工艺为：工艺温度范围为180
‑
220℃，预热时间范围为5
‑
15min，功率范围为400
‑
1500W，SiH4气体流量范围为200
‑
400sccm，CO2气体流量范围为200
‑
400sccm，气体压强范围为50
‑
100Pa，极间距范围为23
‑
30mm。5.根据权利要求1所述的异质结电池制备方法，其特征在于，所述第二层的制作工艺为：工艺温度范围为180
‑
220℃，预热时间范围为5
‑
15min，功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：