一种还原炉进料喷嘴制造技术

本实用新型专利技术涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种还原炉进料喷嘴。主要技术方案为：一种还原炉进料喷嘴，包括:本体、喷腔和喷槽；所述本体为圆柱体；所述本体的外壁上具有螺纹结构；所述喷腔设置在所述本体上，与所述本体同轴设置；所述喷腔从所述本体的一端连通至所述本体的另一端；所述喷槽设置在所述本体的外壁上；所述喷槽从所述本体的一端延伸至所述本体的另一端；所述喷槽为沿直线延伸的凹槽结构；所述喷槽的延伸直线与所述本体的轴线具有预定夹角；所述喷槽为多个；多个所述喷槽以所述本体的轴线为中心阵列设置。采用本实用新型专利技术能够改善还原炉内的气场及流体分布，提升硅棒生长速率，提高产品品质。提高产品品质。提高产品品质。

【技术实现步骤摘要】
一种还原炉进料喷嘴


[0001]本技术涉及多晶硅生产
，尤其涉及一种还原炉进料喷嘴。

技术介绍

[0002]在多晶硅的生产技术中，改良西门子法为主要的生产方法。在改良西门子法生产多晶硅时，多晶硅还原炉的进料情况直接影响到多晶硅产品的品质、能耗等关键生产数据，而进料喷嘴的结构决定着进料情况。现使用的还原炉进料喷嘴为中心一个孔，根据还原炉的炉型及进料需要和产品来调整孔的大小。由于喷嘴只有中心孔一个孔，使喷嘴喷出的料只有一股且流速快，对还原炉内的硅芯扰动大，造成生长后期硅棒表面浓度变化慢，硅棒生长慢且表观较差，不利于生产高品质的多晶硅产品。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术提供一种还原炉进料喷嘴，主要目的在于改善还原炉内的气场及流体分布，提升硅棒生长速率，提高产品品质。
[0004]为达到上述目的，本技术主要提供如下技术方案：
[0005]本技术的实施例提供一种还原炉进料喷嘴，包括:本体、喷腔和喷槽；
[0006]所述本体为圆柱体；所述本体的外壁上具有螺纹结构；
[0007]所述喷腔设置在所述本体上，与所述本体同轴设置；所述喷腔从所述本体的一端连通至所述本体的另一端；
[0008]所述喷槽设置在所述本体的外壁上；所述喷槽从所述本体的一端延伸至所述本体的另一端；所述喷槽为沿直线延伸的凹槽结构；
[0009]所述喷槽的延伸直线与所述本体的轴线具有预定夹角；
[0010]所述喷槽为多个；多个所述喷槽以所述本体的轴线为中心阵列设置。
[0011]进一步地，所述喷腔的横截面为圆形。
[0012]进一步地，所述喷腔为圆柱形。
[0013]可替代地，所述喷腔具有输入部和输出部；物料从所述输入部输入，从所述输出部输出；
[0014]所述喷腔的输入部的直径较输出部的直径大。
[0015]进一步地，所述喷槽从所述本体的一端至所述本体的另一端的深度一致。
[0016]进一步地，所述喷槽的深度不大于所述喷腔的直径；
[0017]所述喷槽的宽度不大于所述喷腔的直径。
[0018]进一步地，所述本体的端部具有盲孔结构；所述盲孔结构至少为两个。
[0019]进一步地，所述本体的端部具有凹槽结构。
[0020]进一步地，所述预定夹角为25
°
～45
°
。
[0021]进一步地，所述喷槽为4个或6个或8个或10个。
[0022]借由上述技术方案，本技术还原炉进料喷嘴至少具有下列优点：
[0023]能够改善还原炉内的气场及流体分布，提升硅棒生长速率，提高产品品质。
[0024]上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0025]图1为本技术实施例提供的一种还原炉进料喷嘴的主视示意图；
[0026]图2为本技术实施例提供的一种还原炉进料喷嘴的俯视示意图；
[0027]图3为图2的剖面示意图。
[0028]图中所示：
[0029]1为本体，1
‑
1为螺纹结构，1
‑
2为盲孔结构，2为喷腔，3为喷槽。
具体实施方式
[0030]为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术申请的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
[0031]如图1至图3所示，本技术的一个实施例提出的一种还原炉进料喷嘴，包括:本体1、喷腔2和喷槽3；本体1为圆柱体；本体1的外壁上具有螺纹结构1
‑
1，用于与还原炉连接。喷腔2设置在本体1上，与本体1同轴设置；喷腔2从本体1的一端连通至本体1的另一端；优选，喷腔2的横截面为圆形，便于加工，且物料流动均匀。当然，也不排除喷腔2的横截面为其它多边形结构。
[0032]本实施例优选，喷腔2为圆柱形，即从本体1的一端延伸至另一端的通孔。可替代地，喷腔2具有输入部和输出部；物料从输入部输入，从输出部输出；喷腔2的输入部的直径较输出部的直径大，以增加流体的喷出速度。
[0033]喷槽3设置在本体1的外壁上；喷槽3从本体1的一端延伸至本体1的另一端；喷槽3为沿直线延伸的凹槽结构；喷槽3的延伸直线与本体1的轴线具有预定夹角；本实施例优选，喷槽3从本体1的一端至本体1的另一端的深度一致，以使流体流动均匀；进一步优选，喷槽3的深度不大于喷腔2的直径；喷槽3的宽度不大于喷腔2的直径，以使单个喷槽3的流量小于喷腔2的流量，以保证整体的喷射均匀。进一步优选，预定夹角为25
°
～45
°
，以使喷槽3的流出的流体能够以喷腔2流出的流体为中心旋转，最后形成混合。
[0034]喷槽3为多个；多个喷槽3以本体1的轴线为中心阵列设置。优选，喷槽3为4个或6个或8个或10个，当然也可以为其它数量。可以更加需要进行调整。
[0035]本技术的一个实施例提出的一种还原炉进料喷嘴，能够改善还原炉内的气场及流体分布，提升硅棒生长速率，提高产品品质，增加产品致密料比例。
[0036]本技术的一个实施例提出的一种还原炉进料喷嘴，结构简单，加工成本低，且可以降低产品能耗。
[0037]作为上述实施例的优选，本体1的端部具有盲孔结构1
‑
2；盲孔结构1
‑
2至少为两个，用于卡设操作工具，以转动本体1，对本体1进行安装或卸载。
[0038]可替代优选，本体1的端部具有凹槽结构，也可以实现卡设操作工具，以转动本体1。
[0039]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0040]本技术使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制，各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓、铆钉、焊接等常规手段，机械、零件和设备均采用现有技术中，常规的型号，加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式，在此不再详述。
[0041]以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种还原炉进料喷嘴，其特征在于，包括:本体、喷腔和喷槽；所述本体为圆柱体；所述本体的外壁上具有螺纹结构；所述喷腔设置在所述本体上，与所述本体同轴设置；所述喷腔从所述本体的一端连通至所述本体的另一端；所述喷槽设置在所述本体的外壁上；所述喷槽从所述本体的一端延伸至所述本体的另一端；所述喷槽为沿直线延伸的凹槽结构；所述喷槽的延伸直线与所述本体的轴线具有预定夹角；所述喷槽为多个；多个所述喷槽以所述本体的轴线为中心阵列设置。2.根据权利要求1所述的还原炉进料喷嘴，其特征在于，所述喷腔的横截面为圆形。3.根据权利要求2所述的还原炉进料喷嘴，其特征在于，所述喷腔为圆柱形。4.根据权利要求2所述的还原炉进料喷嘴，其特征在于，所述喷腔具有输入部和输出部；物料从所述输入部输入，从所述输出部输出；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹仁苏，杨德志，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：