用于MOCVD设备反应腔的测量装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了用于MOCVD设备反应腔的测量装置。该测量装置包括环形底座、活动架杆和测量组件，环形底座包括开口朝上的第一凹槽和开口朝下的第二凹槽，第一凹槽包括上下设置的第一环腔和第二环腔，第二凹槽与MOCVD设备反应腔的环形壁固定；活动架杆的滚轮设在第二环腔内，连接杆设在第一环腔内，刻度杆的两端通过连接杆与滚轮相连；测量组件包括垂直相连的千分表和深度尺，深度尺测杆可沿第一固定组件上下移动且可通过第一固定组件沿刻度杆水平移动，千分表可通过水平固定杆和第二固定组件随深度尺测杆上下移动。该装置将深度尺与千分尺固定于可平面360度自由旋转的活动架杆上，能实现反应腔内任何位置的数据测量并保证测量位置一致性及测量精度。位置一致性及测量精度。位置一致性及测量精度。

【技术实现步骤摘要】
用于MOCVD设备反应腔的测量装置


[0001]本专利技术属于芯片领域，具体而言，涉及用于MOCVD设备反应腔的测量装置。

技术介绍

[0002]金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术，能够在生长过程中精确控制外延厚度，在半导体生长和芯片制造领域具有重要意义。随着金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)设备在半导体行业的广泛应用，MOCVD设备（如G3或G4机型）的反应腔内配件安装之后的测量也越来越多。其中，MOCVD设备反应腔内大盘（susceptor）的水平度和偏心度是影响外延薄膜质量的重要因素，在进行气相外延生长之前，需要严格控制并测量大盘（susceptor）的水平度和偏心度是否符合要求，以确保外延层均匀生长。
[0003]然而，目前涉及使用最多的测量工具为千分尺及深度尺两种，而这两种测量工具大多都是手动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，包括：环形底座，所述环形底座的内周壁和外周壁之间形成有沿所述环形底座周向布置的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽上下布置，且所述第一凹槽开口朝上，所述第二凹槽开口朝下，所述第一凹槽包括上下设置的第一环腔和第二环腔，所述第二环腔内周壁半径小于所述第一环腔内周壁半径，所述第二环腔外周壁半径大于所述第一环腔外周壁半径，所述环形底座上表面上靠近其内周壁和/或外周壁的区域标刻有沿所述环形底座周向分布的刻度，所述环形底座适于通过所述第二凹槽固定在所述MOCVD设备反应腔的环形壁上端；活动架杆，所述活动架杆包括刻度杆、连接杆和滚轮，所述滚轮设在所述第二环腔内，所述连接杆设在所述第一环腔内，所述刻度杆的两端通过所述连接杆与所述滚轮相连且可通过所述滚轮沿所述环形底座的周向旋转；测量组件，所述测量组件包括千分表和深度尺，所述千分表包括千分表表盘和与所述千分表表盘相连的千分表测杆，所述深度尺包括深度尺测杆和设在所述深度尺测杆上的深度显示屏，所述深度尺测杆上设有第一固定组件和第二固定组件，所述第一固定组件与所述刻度杆相连，所述深度尺测杆可沿所述第一固定组件上下移动且可通过所述第一固定组件沿所述刻度杆水平移动，所述千分表通过水平固定杆与所述第二固定组件相连，所述水平固定杆可沿所述第二固定组件水平移动，所述第二固定组件可随所述深度尺测杆上下移动。2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述第一环腔、所述第二环腔和和所述第二凹槽同轴设置；和/或，所述环形底座上表面上靠近其内周壁的区域标刻有沿所述环形底座周向分布的刻度。3.根据权利要求2所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述第一环腔、所述第二环腔和和所述第二凹槽的中心轴与所述环形底座的内周壁和外周壁之间的中心面重合。4.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备反应腔的测量装置，其特征在于，所述MOCVD设备反应腔包括一个大盘和设在所述大盘上的8个小盘，8个所述小盘沿所述MOCVD设备反应腔的周向均匀分布，所述大盘上沿其周向形成有8个凸起的三角区，所述小盘与所述三角区交替布置，所述环形底座上表面形成的刻度中，0度和180度的刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：尧舜，刘晨晖，董国亮，
申请(专利权)人：华芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：