基于六芳基联咪唑分子开关的紫外正性光刻胶及使用方法技术

本发明专利技术属于微电子加工材料技术领域，更具体地，涉及一种基于六芳基联咪唑分子开关的紫外正性光刻胶及使用方法。其包括含低聚物二元醇、官能化的六芳基联咪唑分子开关交联剂以及自由基淬灭剂的A胶和包含催化剂和二异氰酸酯的B胶。利用该光刻胶进行光刻时，该光刻胶聚合物曝露于紫外光照下，六芳基联咪唑(HABI)单元中两个咪唑环之间的动态C

【技术实现步骤摘要】
基于六芳基联咪唑分子开关的紫外正性光刻胶及使用方法


[0001]本专利技术属于微电子加工材料
，更具体地，涉及一种基于六芳基联咪唑分子开关的紫外正性光刻胶及使用方法。

技术介绍

[0002]光刻胶是电子化学品中技术壁垒最高的材料，具有纯度要求高、生产工艺复杂、前期投资大、技术积累期长等特征，属于资本技术双密集型产业。光刻胶主要应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是印刷线路板(PCB)、液晶显示屏(LCD)与半导体产业链的上游关键材料。
[0003]光刻技术通过不断缩短所用光源的波长来提高分辨率。目前，深紫外光刻被普遍使用。深紫外因波长更短，可显著减少衍射现象，大大提高光刻胶投影曝光分辨率。深紫外光刻胶的研究始于20世纪90年代，因之前使用的酚醛树脂
‑
重氮萘醌体系在248纳米处有强的非光漂白性吸收,光敏性很差，无法继续用于深紫外光刻工艺中。为此，人们后续开发了其他几种体系的成膜树脂，如聚甲基丙烯酸甲酯及其衍生物、聚对羟基苯乙烯及其衍生物与N取代的马来酰亚胺衍生物等。它们普遍采用化学增幅型技术路线，即在光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于六芳基联咪唑分子开关的紫外正性光刻胶，其特征在于，包括A胶和B胶；其中：所述A胶含有低聚物二元醇、官能化的六芳基联咪唑分子开关交联剂以及自由基淬灭剂；所述B胶中含有催化剂和二异氰酸酯；使用时，所述A胶和B胶混合，其中低聚物二元醇、官能化的六芳基联咪唑分子开关交联剂能够在所述催化剂的催化条件下与二异氰酸酯发生逐步加成聚合，得到所述光刻胶；利用该光刻胶进行光刻时，在紫外光照下，聚合物网络结构中的六芳基联咪唑单元中两个咪唑环之间的动态C
‑
N共价键响应光照裂解，聚合物因而解聚形成低聚物；所述自由基淬灭剂用于确保该光刻胶在曝光解聚形成低聚物后不会自发复原，从而保证光刻胶曝光部分形成的低聚物能被显影液快速溶解，而未曝光部分不溶于显影液，显影后得到具有高分辨率的目标正性图案。2.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述低聚物二元醇为聚酯型二元醇或聚醚性二元醇；所述低聚物二元醇其分子量为200～10000。3.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述官能化的六芳基联咪唑分子开关交联剂为以六芳基联咪唑为分子主体而修饰设计得到的带羟基官能团的分子开关，其中六芳基联咪唑具有如下式(一)所示的结构：4.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述官能化的六芳基联咪唑分子开关交联剂为以六芳基联咪唑为分子主体而修饰设计得到的带羟基官能团的分子开关，且该分子开关结构中的苯环上部分氢原子被吸电子基团取代，所述吸电子基团优选为卤素原子或硝基。5.如权利要求3所述的光刻胶，其特征在于，所述自由基淬灭剂为式(一)所示的六芳基联咪唑分子，或为以该六芳基联咪唑为分子主体进行的非羟基修饰且非氨基修饰的六芳基...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱明强，向诗力，李冲，
申请(专利权)人：湖北高碳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：