处理工具以及处理晶片的方法技术

本公开涉及一种处理工具，所述处理工具包括第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。第一晶片安装框架被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架被配置成固持掩蔽晶片。掩蔽晶片包括由穿过掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在目标晶片上的预定沉积图案。沉积室被配置成当第一晶片安装框架与第二晶片安装框架夹持在一起以固持目标晶片及掩蔽晶片时接纳第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过掩模图案中的所述多个开口从材料沉积源沉积材料，以在目标晶片上以预定沉积图案形成材料。案形成材料。案形成材料。

【技术实现步骤摘要】
处理工具以及处理晶片的方法


[0001]本专利技术的实施例是有关于处理工具以及处理晶片的方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)是包括发射电致发光层(emissive electroluminescent layer)的发光二极管，所述发射电致发光层包括响应于电流而发光的有机化合物。因此，当电流经过OLED时，发射层会发光。
[0003]可在阵列中不同的相应位置处利用不同的有机化合物形成这种OLED的阵列，以在那些相应位置处产生不同的颜色(例如，红色、蓝色及绿色)。因此，通过向阵列的各种OLED提供合适的电流，可产生由不同颜色的下伏区构成的数字图像。

技术实现思路

[0004]在一些实施例中，本公开涉及一种处理工具。所述处理工具包括：第一晶片安装框架，包括第一啮合面及第一耦合总成。所述第一啮合面被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架包括第二啮合面及第二耦合总成，所述第二耦合总成被配置成啮合所述第一耦合总成以将所述第一晶片安装框架耦合到所述第二晶片安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理工具，包括：第一晶片安装框架，包括第一啮合面及第一耦合总成，其中所述第一啮合面被配置成固持目标晶片；第二晶片安装框架，包括第二啮合面及第二耦合总成，所述第二耦合总成被配置成啮合所述第一耦合总成以将所述第一晶片安装框架耦合到所述第二晶片安装框架，所述第二晶片安装框架被配置成将掩蔽晶片固持在所述第二啮合面上，其中所述掩蔽晶片包括由穿过所述掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在所述目标晶片上的预定沉积图案；以及沉积室，被配置成当所述第一耦合总成与所述第二耦合总成进行啮合以固持所述目标晶片及所述掩蔽晶片时接纳所述第一晶片安装框架及所述第二晶片安装框架，所述沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过所述掩模图案中的所述多个开口从所述材料沉积源沉积材料，以在所述目标晶片上以所述预定沉积图案形成所述材料。2.根据权利要求1所述的处理工具，还包括：机器人总成，被配置成将成像器件排列在所述目标晶片与所述掩蔽晶片之间，所述成像器件被配置成确定所述目标晶片上的目标对准标记的位置及所述掩蔽晶片上的掩蔽对准标记的位置；以及对准总成，被配置成沿第一直线轴线移动所述掩蔽晶片及所述目标晶片中的至少一个晶片，沿第二直线轴线移动所述至少一个晶片，和/或通过在所述至少一个晶片的面上的旋转来移动所述至少一个晶片，以使所述目标对准标记对准所述掩蔽对准标记，所述第一直线轴线沿所述至少一个晶片的所述面，所述第二直线轴线沿所述至少一个晶片的所述面且垂直于所述第一直线轴线。3.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述第一啮合面包括穿过所述第一啮合面的窗口，所述窗口被配置成允许查看所述目标晶片上的目标对准标记。4.根据权利要求1所述的处理工具，其中所述第一晶片安装框架包括第一固持环，所述第一固持环从所述第一啮合面延伸以在侧向上环绕所述目标晶片；且其中所述第二晶片安装框架包括第二固持环，所述第二固持环从所述第二啮合面延伸以在侧向上环绕所述掩蔽晶片。5.一种处理晶片的方法，包括：将目标晶片固持在第一晶片安装框架上；将第一掩蔽晶片固持在第二晶片安装框架上，其中所述第一掩蔽晶片包括由穿过所述第一掩蔽晶片的第一多个开口构成的第一掩模图案，所述第一掩模图案对应于将形成在所述目标晶片上的第一预定沉积图案；测量所述目标晶片上的目标对准标记与所述第一掩蔽晶片上的第一对准标记之间的第一不对准量，并移动所述目标晶片及所述第一掩蔽晶片中的至少一者以减小所述第一不对准量，从而将所述第一掩蔽晶片与所述目标晶片对准；在已将所述第一掩蔽晶片与所述目标晶片对准之后，将所述第一晶片安装框架夹持到所述第二晶片安装框架；将包括已对准的所述目标晶片与所述第一掩蔽晶片的夹持在一起的所述第一晶片安
装框架...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丙寅，蔡嘉雄，黄信华，张宇行，林勇志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：