一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，方法包括：提供阴极；在阴极上形成量子点发光层；在量子点发光层远离阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；在第一过渡金属氧化物层远离量子点发光层的一侧形成石墨烯层；采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；在第二过渡金属氧化物层远离石墨烯层的一侧形成阳极，得到量子点发光二极管。本发明专利技术通过增设第一过渡金属氧化物层、石墨烯层和第二过渡金属氧化物层的夹心结构作为空穴注入层来提高空穴的注入能力，在量子点发光二极管上实现电子与空穴的主动平衡，提升电子空穴对的复合效率，使器件的发光效率得到提高。使器件的发光效率得到提高。使器件的发光效率得到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]自QLEDs器件第一次被报道以来，很多研究者致力于高质量的量子点材料的合成以及优化量子点器件的结构来获得高性能、高稳定性的量子点电致发光器件。在早期量子点器件的结构较为简单，例如在两个电极之间夹着量子点材料作为发光层，这种结构器件的外量子效率通常非常低。后来在电极和发光层之间分别引入空穴注入层、空穴传输层和电子注入层、电子传输层，这可以有效的提高器件的整体效率。目前常用作电子传输层的材料的氧化锌，其电子传输速率远远大于一般的空穴层材料(如有机高分子材料聚乙烯基咔唑(PVK)，1,2,4,5-四(三氟甲基)苯(TFB)，聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)等和有机小分子材料4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)，4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)等)的空穴传输速率，这就更导致过多的电子被注入到量子点发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供阴极；在所述阴极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧形成第一过渡金属氧化物层；在所述第一过渡金属氧化物层远离所述量子点发光层的一侧形成石墨烯层；采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离所述第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层；在所述第二过渡金属氧化物层远离所述石墨烯层的一侧形成阳极，以得到所述量子点发光二极管。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在形成所述量子点发光层之后，形成所述第一过渡金属氧化物层之前，还包括：在所述量子点发光层远离所述阴极的一侧形成空穴传输层。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述采用蒸镀的方法在所述石墨烯层远离所述第一过渡金属氧化物层的一侧形成第二过渡金属氧化物层的步骤，包括：在所述石墨烯层上蒸镀过渡金属氧化物，所述过渡金属氧化物部分被所述石墨烯层中的石墨烯还原，以得到所述第二过渡金属氧化物层。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的温度为250～350℃；和/或所述蒸镀的速率为1～2nm/s。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述蒸镀包括真空电流加热型蒸镀、真空电子束轰击加热型蒸镀和真空激光加热型蒸镀中的一种。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一过渡金属氧化物层中的过渡金属元素与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓承雨，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：