电流复用低噪声混频器制造技术

本公开提供一种电流复用低噪声混频器，涉及无线收发技术领域，能够在单个功能模块中实现低噪声放大和混频功能。具体技术方案为：射频输入信号通过低噪声混频级进入增益放大级，经过增益放大级增益放大的I/Q两路信号输入到多相滤波器，经过多相滤波器的镜像抑制后产生的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。

【技术实现步骤摘要】
电流复用低噪声混频器


[0001]本公开涉及无线收发
，尤其涉及一种电流复用低噪声混频器。

技术介绍

[0002]无线通信系统经历了从分立器件到集成电路的发展，在射频集成电路涉及中，低噪声放大器和混频器是现代无线通信系统的两个关键的射频部件，其中，低噪声放大器和混频器分别实现低噪声放大和混频的功能。随着无线电应用的发展以及电子通信系统对低功耗的要求，射频前端模块逐渐走向融合，如何在单个功能模块实现低噪声放大和混频功能是急需解决的问题。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种电流复用低噪声混频器，能够在单个功能模块中实现低噪声放大和混频功能，极大的降低了射频前端的功耗。所述技术方案如下：
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种电流复用低噪声混频器，包括：低噪声混频级、增益放大级、多相滤波器和求和电路；
[0005]低噪声混频级的输入端与射频输入信号连接，低噪声混频级的输出端与增益放大级的输入端连接，增益放大级的输出端与多相滤波器的输入端连接，多相滤波器的输出端与求和电路的输入端连接；射频输入信号通过低噪声混频级进入增益放大级，经过增益放大级增益放大的I/Q两路信号输入到多相滤波器，经过多相滤波器的镜像抑制后产生的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。
[0006]在一个实施例中，低噪声混频级包括：第一NMOS管～第八NMOS管、第一电容～第二电容、第一电阻～第十一电阻；
[0007]视频输入信号通过第二电容接第一NMOS管的栅极，第一NMOS管的栅极通过第十一电阻接第八NMOS管的栅极，第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的漏极接第二NMOS管的源极和第三NMOS管的源极；第八NMOS管的栅极接第八NMOS管的漏极，第八NMOS管的源极接地，第八NMOS管的漏极接第一偏置电压；第一NMOS管的基极和第八NMOS管的基极接地；第一电容的一端接第一NMOS管的栅极，第一电容的另一端接地；
[0008]第二NMOS管的栅极接第二偏置电压，第二NMOS管的源极接第三NMOS管的源极，第二NMOS管的漏极接第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极；第三NMOS管的栅极通过第十电阻、第九电阻接第二偏置电压，第三NMOS管的源极接第一NMOS管的漏极，第三NMOS管的漏极接第六NMOS管的源极和第七NMOS管的源极，第二NMOS管和第三NMOS管的基极接地；
[0009]第四NMOS管的栅极通过第四电容接正交本振信号，第四NMOS管的源极第五NMOS管的源极，第四NMOS管的漏极通过第一电阻接电源电压；第五NMOS管的栅极通过第三电容接正交本振信号，第五NMOS管的源极接第二NMOS管的漏极，第五NMOS管的漏极通过第二电阻接电源电压；第四NMOS管的基极和第五NMOS管的基极接电源电压；第五电阻的一端接第四NMOS管的栅极，第五电阻的另一端接第三偏置电压；第六电阻的一端接第五NMOS管的栅极，
第六电阻的另一端接第三偏置电压；
[0010]第六NMOS管的栅极通过第五电容接正交本振信号，第六NMOS管的源极接第七NMOS管的源极，第六NMOS管的漏极通过第三电阻接电源电压；第七NMOS管的栅极通过第六电容接正交本振信号，第七NMOS管的源极接第三NMOS管的漏极，第七NMOS管的漏极通过第四电阻接电源电压；第六NMOS管的基极和第七NMOS管的基极接电源电压；第七电阻的一端接第六NMOS管的栅极，第七电阻的另一端接第三偏置电压；第八电阻的一端接第七NMOS管的栅极，第八电阻的另一端接第三偏置电压；
[0011]第七电容的一端接作为低噪声混频级的输出端，第七电容的另一端接第八电容的一端；第八电容的一端接第一电阻的一端，第八电容的另一端接第九电容的一端；第九电容的一端接第二电阻的一端，第九电容的另一端作为低噪声混频级的输出端；第十电容的一端作为低噪声混频级的输出端，第十电容的另一端接第十一电容的一端；第十一电容的一端接第三电阻的一端，第十一电容的另一端接第十二电容的一端，第十二电容的另一端作为低噪声混频级的输出端。
[0012]在一个实施例中，增益放大级包括：第九NMOS管～第十五NMOS管、第十二电阻～第十九电阻、以及，第十二电容～第二十二电容；
[0013]第九NMOS管的栅极接第九NMOS管的漏极，第九NMOS管的源极接地，第九NMOS管的漏极接第一偏置电压；第十NMOS管的栅极接第九NMOS管的栅极，第十NMOS管的源极接地，第十NMOS管的漏极接第十二NMOS管的源极和第十三NMOS管的源极；第十一NMOS管的栅极接第十NMOS管的栅极，第十一NMOS管的源极接地，第十一NMOS管的漏极接第十四NMOS管的源极和第十五NMOS管的源极；第九NMOS管的基极、第十NMOS管的基极和第十一NMOS管的基极接地；
[0014]第十二NMOS管的栅极通过第十三电容接低噪声混频级的输出端，第十二NMOS管的源极接第十三NMOS管的源极，第十二NMOS管的漏极通过第十二电阻接电源电压；第十三NMOS管的栅极通过第十四电容接低噪声混频级的输出端，第十三NMOS管的源极接第十NMOS管的漏极，第十三NMOS管的漏极通过第十三电阻接电源电压；第十二NMOS管的基极和第十三NMOS管的基极接电源电压；第十六电阻的一端与第十二NMOS管的栅极连接，第十六电阻的另一端接第四偏置电压；第十八电阻的一端接第十三NMOS管的栅极，第十八电阻的另一端接第四偏置电压；
[0015]第十四NMOS管的栅极通过第十六电容接低噪声混频级的输出端，第十四NMOS管的源极接第十五NMOS管的源极，第十四NMOS管的漏极通过第十四电阻接电源电压；第十五NMOS管的栅极通过第十五电容接低噪声混频级的输出端，第十五NMOS管的源极接第十一NMOS管的漏极，第十五NMOS管的漏极通过第十五电阻接电源电压；第十四NMOS管的基极和第十五NMOS管的基极接电源电压；第十七电阻的一端接第十五NMOS管的栅极，第十七电阻的另一端接第四偏置电压；第十九电阻的一端接第十四NMOS管的栅极，第十九电阻的另一端接第四偏置电压；
[0016]第十七电容的一端作为增益放大级的输出端，第十七电容的另一端接第十八电容的一端；第十八电容的一端接第十二电阻的一端，第十八电容的另一端接第十九电容的一端；第十九电容的一端接第十三电阻的一端，第十九电容的另一端作为增益放大级的输出端；第二十电容的一端作为增益放大级的输出端，第二十电容的另一端接第二十一电容的
一端；第二十一电容的一端接第十四电阻的一端，第二十一电容的另一端接第二十二电容的一端，第二十二电容的一端接第十五电阻的一端，第二十二电容的另一端作为增益放大级的输出端。
[0017]在一个实施例中，多相滤波器包括：第二十电阻～第三十五电阻，以及，第二十三电容～第三十八电容；
[0018]第二十电阻的一端接增益放大级的输出端，第二十电阻的另一端接第二十一电阻的一端，第二十一电阻的另一端接第二十二电阻的一端，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流复用低噪声混频器，其特征在于，包括：低噪声混频级、增益放大级、多相滤波器和求和电路；所述低噪声混频级的输入端与射频输入信号连接，所述低噪声混频级的输出端与所述增益放大级的输入端连接，所述增益放大级的输出端与所述多相滤波器的输入端连接，所述多相滤波器的输出端与所述求和电路的输入端连接；所述射频输入信号通过所述低噪声混频级进入所述增益放大级，经过所述增益放大级增益放大的I/Q两路信号输入到所述多相滤波器，经过所述多相滤波器的镜像抑制后产生的I/Q两路信号经过求和电路相加后输出。2.根据权利要求1所述的电流复用低噪声混频器，其特征在于，所述低噪声混频级包括：第一NMOS管～第八NMOS管、第一电容～第二电容、第一电阻～第十一电阻；视频输入信号通过第二电容接第一NMOS管的栅极，第一NMOS管的栅极通过第十一电阻接第八NMOS管的栅极，第一NMOS管的源极接地，第一NMOS管的漏极接第二NMOS管的源极和第三NMOS管的源极；第八NMOS管的栅极接第八NMOS管的漏极，第八NMOS管的源极接地，第八NMOS管的漏极接第一偏置电压；第一NMOS管的基极和第八NMOS管的基极接地；第一电容的一端接第一NMOS管的栅极，第一电容的另一端接地；第二NMOS管的栅极接第二偏置电压，第二NMOS管的源极接第三NMOS管的源极，第二NMOS管的漏极接第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极；第三NMOS管的栅极通过第十电阻、第九电阻接第二偏置电压，第三NMOS管的源极接第一NMOS管的漏极，第三NMOS管的漏极接第六NMOS管的源极和第七NMOS管的源极，第二NMOS管和第三NMOS管的基极接地；第四NMOS管的栅极通过第四电容接正交本振信号，第四NMOS管的源极第五NMOS管的源极，第四NMOS管的漏极通过第一电阻接电源电压；第五NMOS管的栅极通过第三电容接正交本振信号，第五NMOS管的源极接第二NMOS管的漏极，第五NMOS管的漏极通过第二电阻接电源电压；第四NMOS管的基极和第五NMOS管的基极接电源电压；第五电阻的一端接第四NMOS管的栅极，第五电阻的另一端接第三偏置电压；第六电阻的一端接第五NMOS管的栅极，第六电阻的另一端接第三偏置电压；第六NMOS管的栅极通过第五电容接正交本振信号，第六NMOS管的源极接第七NMOS管的源极，第六NMOS管的漏极通过第三电阻接电源电压；第七NMOS管的栅极通过第六电容接正交本振信号，第七NMOS管的源极接第三NMOS管的漏极，第七NMOS管的漏极通过第四电阻接电源电压；第六NMOS管的基极和第七NMOS管的基极接电源电压；第七电阻的一端接第六NMOS管的栅极，第七电阻的另一端接第三偏置电压；第八电阻的一端接第七NMOS管的栅极，第八电阻的另一端接第三偏置电压；第七电容的一端接作为低噪声混频级的输出端，第七电容的另一端接第八电容的一端；第八电容的一端接第一电阻的一端，第八电容的另一端接第九电容的一端；第九电容的一端接第二电阻的一端，第九电容的另一端作为低噪声混频级的输出端；第十电容的一端作为低噪声混频级的输出端，第十电容的另一端接第十一电容的一端；第十一电容的一端接第三电阻的一端，第十一电容的另一端接第十二电容的一端，第十二电容的另一端作为低噪声混频级的输出端。3.根据权利要求1所述的电流复用低噪声混频器，其特征在于，所述增益放大级包括：第九NMOS管～第十五NMOS管、第十二电阻～第十九电阻、以及，第十二电容～第二十二电
容；第九NMOS管的栅极接第九NMOS管的漏极，第九NMOS管的源极接地，第九NMOS管的漏极接第一偏置电压；第十NMOS管的栅极接第九NMOS管的栅极，第十NMOS管的源极接地，第十NMOS管的漏极接第十二NMOS管的源极和第十三NMOS管的源极；第十一NMOS管的栅极接第十NMOS管的栅极，第十一NMOS管的源极接地，第十一NMOS管的漏极接第十四NMOS管的源极和第十五NMOS管的源极；第九NMOS管的基极、第十NMOS管的基极和第十一NMOS管的基极接地；第十二NMOS管的栅极通过第十三电容接低噪声混频级的输出端，第十二NMOS管的源极接第十三NMOS管的源极，第十二NMOS管的漏极通过第十二电阻接电源电压；第十三NMOS管的栅极通过第十四电容接低噪声混频级的输出端，第十三NMOS管的源极接第十NMOS管的漏极，第十三NMOS管的漏极通过第十三电阻接电源电压；第十二NMOS管的基极和第十三NMOS管的基极接电源电压；第十六电阻的一端与第十二NMOS管的栅极连接，第十六电阻的另一端接第四偏置电压；第十八电阻的一端接第十三NMOS管的栅极，第十八电阻的另一端接第四偏置电压；第十四NMOS管的栅极通过第十六电容接低噪声混频级的输出端，第十四NMOS管的源极接第十五NMOS管的源极，第十四NMOS管的漏极通过第十四电阻接电源电压；第十五NMOS管的栅极通过第十五电容接低噪声混频级的输出端，第十五NMOS管的源极接第十一NMOS管的漏极，第十五NMOS管的漏极通过第十五电阻接电源电压；第十四NMOS管的基极和第十五NMOS管的基极接电源电压；第十七电阻的一端接第十五NMOS管的栅极，第十七电阻的另一端接第四偏置电压；第十九电阻的一端接...

【专利技术属性】
技术研发人员：周伟，
申请(专利权)人：北斗天地股份有限公司，
类型：新型
国别省市：