公开了一种对频率进行混频或倍频的装置，包括：金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括：微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及通道结构，所述通道结构包括穿过所述金属壳体并分别与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述射频信号输入通道所在的平面、所述本振信号输入通道所在的平面和所述信号输出通道所在的平面中的至少两者不共面。该装置装置可以避免射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道存在于同一平面而导致集成度较差的问题。的问题。的问题。
A device that mixes or multiplies frequencies
【技术实现步骤摘要】
对频率进行混频或倍频的装置
[0001]本公开涉及通信
，尤其涉及一种对频率进行混频或倍频的装置。
技术介绍
[0002]近年来，太赫兹波技术作为重要的研究领域，在国内外已经受到越来越广泛的关注。无论太赫兹波应用于哪个方面以及哪个频段，都离不开对太赫兹波的接收，对于最为常用的基于超外差体制的接收机来说，实现频率下变频作用的混频器是其中的一个关键部件。在固态太赫兹雷达和通信等系统中，由于低噪声放大器实现较为困难，混频器就成为了接收端的第一级，所以混频器性能的好坏直接关系到整个接收机系统的性能。同时，由于同频段高性能本振源实现难度大，所以采用分谐波混频技术是解决此问题的有效途径。
[0003]随着系统性能要求的提升，对接收机的指标需求也不断提高，为提高集成度或者成像分辨率，接收机的多通路集成是一个关键问题。由于当前太赫兹混频器主流采用铜或铝等金属腔体材料，可以达到较好的通道间隔距离，所以目前仍以单通道独立的形式来拼接多通道，但是由于金属腔体机械加工要求的限制，很难将多通道间距做小来提高整体集成度。
技术实现思路
[0004]本公开的一个目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。
[0005]根据本公开的实施例，提供了一种对频率进行混频或倍频的装置，包括：
[0006]金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；
[0007]至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括：
[0008]微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及
[0009]通道结构，所述通道结构包括穿过所述金属壳体并分别与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述射频信号输入通道所在的平面、所述本振信号输入通道所在的平面和所述信号输出通道所在的平面中的至少两者不共面。
[0010]在一些示例性实施例中，所述信号输出通道垂直于所述微带线所在的平面引出。
[0011]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均平行于所述微带线所在的平面引入。
[0012]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均垂直于所述微带线的长度方向引入。
[0013]在一些示例性实施例中，当所述变频单元的数量为多个时，多个所述变频单元被分成一组或两组，每组所述变频单元沿所述微带线的长度方向排成一排。
[0014]在一些示例性实施例中，当多个所述变频单元被分成两组时，两组所述变频单元分别设置在所述盒体和所述盖体中，并呈镜像对称排布。
[0015]在一些示例性实施例中，每排所述变频单元的射频信号输入通道互相平行且端口
对齐，每排所述变频单元的本振信号输入通道互相平行且端口对齐。
[0016]在一些示例性实施例中，每排所述变频单元的信号输出通道互相平行，且每排所述变频单元中相邻的两个信号输出通道的引出方向是相反的。
[0017]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均平行于所述微带线的长度方向，并通过一次转弯耦合到所述微带线。
[0018]在一些示例性实施例中，所述信号输出通道平行于所述微带线所在的平面引出。
[0019]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均垂直于所述微带线所在的平面引入。
[0020]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道的引入方向是相反的。
[0021]在一些示例性实施例中，当所述变频单元的数量为多个时，多个所述变频单元被分成一组或两组，每组所述变频单元沿垂直于所述微带线的长度方向的方向排成一排。
[0022]在一些示例性实施例中，当多个所述变频单元被分成两组时，两组所述变频单元分别设置在所述盒体和所述盖体中，并呈镜像对称排布。
[0023]在一些示例性实施例中，每排所述变频单元的射频信号输入通道互相平行且端口对齐，每排所述变频单元的本振信号输入通道互相平行且端口对齐。
[0024]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道和所述本振输入频道中的一者平行于所述微带线所在的平面引入，并通过一次转弯耦合到所述微带线，所述射频信号输入通道和所述本振输入频道中的另一者垂直于所述微带线所在的平面引入。
[0025]在一些示例性实施例中，所述射频信号输入通道的引入方向和所述信号输出通道的引出方向是相同的。
[0026]在一些示例性实施例中，当所述变频单元的数量为多个时，多个所述变频单元被分成一组或两组，每组所述变频单元沿垂直于所述微带线的长度方向的方向排成一排。
[0027]在一些示例性实施例中，当多个所述变频单元被分成两组时，两组所述变频单元分别设置在所述盒体和所述盖体中，并呈镜像对称排布。
[0028]在一些示例性实施例中，当所述通道结构的数量为多个时，多个所述通道结构的本振信号输入通道通过功分器汇集到一个端口。
[0029]根据本公开上述各种实施例所述的对频率进行混频或倍频的装置，通过将射频信号输入通道所在的平面、本振信号输入通道所在的平面和信号输出通道所在的平面中的至少两者不共面，以避免射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道存在于同一平面而导致集成度较差的问题。
附图说明
[0030]图1示出根据本公开的一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0031]图2示出根据本公开的另一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0032]图3示出根据本公开的再一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0033]图4示出根据本公开的又一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0034]图5根据本公开的一种示例性实施例的玻璃绝缘子的示意图。
[0035]图6示出根据本公开的再一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的意图。
[0036]图7示出根据本公开的又一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0037]图8根据本公开的一种示例性实施例的同轴金属柱结构的示意图。
[0038]图9示出根据本公开的一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0039]图10示出图9所示的具有单个变频单元的太赫兹混频器的另一示意图。
[0040]图11示出根据本公开的再一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0041]图12示出根据本公开的又一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0042]图13示出图12所示的具有单个变频单元的太赫兹混频器的另一示意图。
[0043]图14示出根据本公开的再一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的意图。
[0044]图15示出根据本公开的再一种示例性实本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对频率进行混频或倍频的装置，包括：金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括：微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及通道结构，所述通道结构包括穿过所述金属壳体并分别与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述射频信号输入通道所在的平面、所述本振信号输入通道所在的平面和所述信号输出通道所在的平面中的至少两者不共面。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述信号输出通道垂直于所述微带线所在的平面引出。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均平行于所述微带线所在的平面引入。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均垂直于所述微带线的长度方向引入。5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置，其中，当所述变频单元的数量为多个时，多个所述变频单元被分成一组或两组，每组所述变频单元沿所述微带线的长度方向排成一排。6.根据权利要求5所述的装置，其中，当多个所述变频单元被分成两组时，两组所述变频单元分别设置在所述盒体和所述盖体中，并呈镜像对称排布。7.根据权利要求6所述的装置，其中，每排所述变频单元的射频信号输入通道互相平行且端口对齐，每排所述变频单元的本振信号输入通道互相平行且端口对齐。8.根据权利要求7所述的装置，其中，每排所述变频单元的信号输出通道互相平行，且每排所述变频单元中相邻的两个信号输出通道的引出方向是相反的。9.根据权利要求3所述的装置，其中，所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均平行于所述微带线的长度方向，并通过一次转弯耦合到所述微带线。10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述信号输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵自然，陈志强，李元景，胡海帆，马旭明，黄士卫，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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