公开了一种对频率进行混频或倍频的装置，包括：金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括：微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及通道结构，所述通道结构包括分别穿过所述金属壳体并与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述信号输出通道与所述微带线所在的平面成一角度地引出。该装置通过将信号输出通道由平行于微带线所在的平面的方向引出改为成角度地引出，以避免射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道存在于同一平面而导致集成度较差的问题。集成度较差的问题。集成度较差的问题。
【技术实现步骤摘要】
对频率进行混频或倍频的装置
[0001]本公开涉及通信
，尤其涉及一种对频率进行混频或倍频的装置。
技术介绍
[0002]近年来，太赫兹波技术作为重要的研究领域，在国内外已经受到越来越广泛的关注。然而，无论太赫兹波应用于哪个方面以及哪个频段，都离不开对太赫兹波的接收，对于最为常用的基于超外差体制的接收机来说，实现频率下变频作用的混频器是其中的一个关键部件。在固态太赫兹雷达和通信等系统中，由于低噪声放大器实现较为困难，混频器就成为了接收端的第一级，所以混频器性能的好坏直接关系到整个接收机系统的性能。同时，由于同频段高性能本振源实现难度大，所以采用分谐波混频技术是解决此问题的有效途径。
[0003]随着系统性能要求的提升，对接收机的指标需求也不断提高，为提高集成度或者成像分辨率，接收机的多通路集成是一个关键问题。由于当前太赫兹混频器主流采用铜或铝等金属腔体材料，可以达到较好的通道间隔距离，所以目前仍以单通道独立的形式来拼接多通道，但是由于金属腔体机械加工要求的限制，很难将多通道间距做小来提高整体集成度。
技术实现思路
[0004]本公开的一个目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。
[0005]根据本公开的实施例，提供了一种对频率进行混频或倍频的装置，包括：包括：
[0006]金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；
[0007]至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括：
[0008]微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及
[0009]通道结构，所述通道结构包括分别穿过所述金属壳体并与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述信号输出通道与所述微带线所在的平面成一角度地引出。
[0010]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述信号输出通道垂直于所述微带线所在的平面。
[0011]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述信号输出通道采用下列方式中的一种引出：a.SMA接头；b.玻璃绝缘子；c.同轴金属柱结构。
[0012]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述SMA接头通过金丝绑定与所述微带线的频率输出端口连接。
[0013]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述玻璃绝缘子通过金丝绑定与所述微带线的频率输出端口连接。
[0014]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述同轴金属柱结构包括金属针以及沿所述金属针的轴向方向套设在所述金属针上的多个间隔设置的第二柱状部，所述第二柱状
部中的一个与所述金属壳体连接，所述金属针通过金丝绑定与所述微带线的频率输出端口连接。
[0015]根据本公开的一种示例性实施例的装置，相邻的两个所述第二柱状部的直径不同。
[0016]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述变频单元的所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道均垂直于所述微带线的长度方向引入并耦合到所述微带线。
[0017]根据本公开的一种示例性实施例的装置，所述变频单元的所述射频信号输入通道和所述本振信号输入通道的引入方向是相反的。
[0018]根据本公开的一种示例性实施例的装置，当所述变频单元的数量为多个时，多个所述变频单元被分成一组或两组，每组所述变频单元沿所述微带线的长度方向排成一排。
[0019]根据本公开的一种示例性实施例的装置，当多个所述变频单元被分成两组时，两组所述变频单元分别设置在所述盒体和所述盖体中，并呈镜像对称排布。
[0020]根据本公开的一种示例性实施例的装置，每排所述变频单元的射频信号输入通道互相平行且端口对齐，每排所述变频单元的本振信号输入通道互相平行且端口对齐。
[0021]根据本公开的一种示例性实施例的装置，每排所述变频单元的信号输出通道互相平行，且每排所述变频单元中相邻的两个信号输出通道的引出方向是相反的。
[0022]根据本公开的一种示例性实施例的装置，当所述变频单元的数量为多个时，多个所述变频单元的本振信号输入通道通过功分器汇集到一个端口。
[0023]根据本公开上述各种实施例所述的对频率进行混频或倍频的装置，通过将信号输出通道的引出方向由平行于微带线所在平面的方向改为与微带线所在平面成一角度的方向，从而避免了射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道存在于同一平面内而导致集成度较差的问题。
附图说明
[0024]图1示出根据本公开的一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0025]图2示出根据本公开的另一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0026]图3示出根据本公开的再一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0027]图4示出根据本公开的又一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0028]图5根据本公开的一种示例性实施例的玻璃绝缘子的示意图。
[0029]图6示出根据本公开的再一种示例性实施例的具有单个变频单元的太赫兹混频器的意图。
[0030]图7示出根据本公开的又一种示例性实施例的具有多个变频单元的太赫兹混频器的示意图。
[0031]图8根据本公开的一种示例性实施例的同轴金属柱结构的示意图。
[0032]图9示出根据本公开的又一种示例性实施例的太赫兹混频器的多个变频单元在盒
体上的分布示意图。
[0033]图10示出根据本公开的又一种示例性实施例的太赫兹混频器的多个变频单元在盖体上的分布示意图。
具体实施方式
[0034]虽然将参照含有本公开的较佳实施例的附图充分描述本公开，但在此描述之前应了解本领域的普通技术人员可修改本文中所描述的专利技术，同时获得本公开的技术效果。因此，须了解以上的描述对本领域的普通技术人员而言为一广泛的揭示，且其内容不在于限制本公开所描述的示例性实施例。
[0035]另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。在其他情况下，公知的结构和装置以图示的方式体现以简化附图。
[0036]根据本公开的总体上的专利技术构思，提供了一种对频率进行混频或倍频的装置，其包括金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及通道结构，所述通道结构包括穿过所述金属壳体并分别与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述信号输出通道与所述微带线所在的平面成一角度地引出。
[0037]根据本公开的太赫兹混频器是射频过渡微带线混频器，主要包括金属壳体以及位于金属壳体内的至少一个变频单元，该金属壳体包括盒体以及例如通过螺丝与盒体扣合在一起的盖体，当盒体和盖体扣合在本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对频率进行混频或倍频的装置，包括：金属壳体，所述金属壳体包括盒体和盖体，所述盒体和所述盖体扣合在一起以限定一金属腔体；至少一个变频单元，所述至少一个变频单元包括：微带线，所述微带线位于所述金属腔体内；以及通道结构，所述通道结构包括分别穿过所述金属壳体并与所述微带线耦合的射频信号输入通道、本振信号输入通道和信号输出通道，所述信号输出通道与所述微带线所在的平面成一角度地引出。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述信号输出通道垂直于所述微带线所在的平面。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述信号输出通道采用下列方式中的一种引出：a.SMA接头；b.玻璃绝缘子；c.同轴金属柱结构。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述SMA接头通过金丝绑定与所述微带线的频率输出端口连接。5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述玻璃绝缘子通过金丝绑定与所述微带线的频率输出端口连接。6.根据权利要求3所述的装置，其中，所述同轴金属柱结构包括金属针以及沿所述金属针的轴向方向套设在所述金属针上的多个间隔设置的第二柱状部，所述第二柱状部中的一个与所述金属壳体连接，所述金属针通过金丝绑定与所述微带线的频率输出端口连接。7.根据权利要求6所述的装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志强，李元景，赵自然，胡海帆，马旭明，黄士卫，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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