一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法，所述晶圆清洗装置包括清洗辊，其为圆筒状结构，所述清洗辊设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动；供液管，其平行于所述清洗辊并设置于晶圆的侧部，所述供液管配置有第一喷嘴和第二喷嘴；以及旋转驱动部，其设置于供液管的端部并驱动其绕轴线旋转，使得第一喷嘴和第二喷嘴喷射的清洗液能够覆盖晶圆的中心至边缘的区域；所述第一喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场小于所述第二喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
本专利技术属于晶圆清洗
，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。
技术介绍
集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片制造工艺中，清洗是最重要和最频繁的步骤之一。清洗的目的是为了避免微量离子和金属颗粒对半导体器件的污染，保障半导体器件的性能和合格率。晶圆清洗方式有：滚刷清洗、兆声清洗等，其中，滚刷清洗应用较为广泛。滚刷清洗中，晶圆设置于壳体的支撑滚轮，设置于晶圆两侧的滚刷绕其轴线滚动以接触清洗移除晶圆表面的颗粒物。如专利CN209551448U公开的晶圆的处理装置，后处理单元包括滚刷装置，滚刷装置包括安装壳(箱体)，晶圆可转动地设在安装壳(箱体)内，滚刷绕其轴线滚动地设置于安装壳(箱体)内并位于晶圆两侧；滚刷与晶圆接触，在滚刷滚动的过程中移除晶圆表面的污染物。安装壳的内侧壁配置有清洗液供给部，清洗液供给部设置于晶圆的两侧。目前，清洗液的喷射角度是固定不变的，这样容易在晶圆表面形成涡流，部分颗粒物在涡流中聚集，不利于滚刷对颗粒物的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：/n清洗辊，其为圆筒状结构，所述清洗辊设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动；/n供液管，其平行于所述清洗辊设置，所述供液管配置有第一喷嘴和第二喷嘴；/n以及旋转驱动部，其设置于供液管的端部并驱动供液管绕轴线旋转，使得第一喷嘴和第二喷嘴喷射的清洗液能够覆盖晶圆的中心至边缘的区域；所述第一喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场小于所述第二喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
清洗辊，其为圆筒状结构，所述清洗辊设置于晶圆的两侧并绕其轴线滚动；
供液管，其平行于所述清洗辊设置，所述供液管配置有第一喷嘴和第二喷嘴；
以及旋转驱动部，其设置于供液管的端部并驱动供液管绕轴线旋转，使得第一喷嘴和第二喷嘴喷射的清洗液能够覆盖晶圆的中心至边缘的区域；所述第一喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场小于所述第二喷嘴喷射的清洗液在晶圆表面形成的流场。


2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴和第二喷嘴的数量为多个，其沿所述供液管的长度方向设置；所述第一喷嘴与晶圆所在平面的夹角不等于第二喷嘴与晶圆所在平面的夹角。


3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述旋转驱动部摆动至第一位置时，所述第一喷嘴朝向晶圆的中心区域喷射清洗液；所述旋转驱动部摆动至第二位置时，所述第二喷嘴朝向晶圆的边缘区域喷射清洗液。


4.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角小于第二喷嘴的轴线与晶圆所在平面的夹角。


5.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一喷嘴和第二喷嘴相互匹配并交错设置，其位于所述供液管的外周侧且与所述供液管的内部相连通，清洗液经由供液管自第一喷嘴...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘远航，马旭，王江涛，赵德文，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12