【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
光刻(photolithography)技术是常用的一种图形化方法，是半导体制造工艺中最为关键的生产技术。随着半导体工艺节点的不断减小，形成于衬底上的图形的特征尺寸(criticaldimension，CD)不断缩小，图形密度不断增加，相邻两个图形的间距(pitch)相应也不断缩小，甚至达到光刻工艺克服光刻分辨率的极限。而且，随着半导体集成电路的设计复杂度的提高，通常需要在同一衬底上形成尺寸类型的目标图形，例如：目标图形的宽度不同，或者，相邻目标图形的间隔不同。
技术实现思路
本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高目标图形的形貌质量和尺寸精度。为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的待刻蚀层，所述基底包括第一区域和第二区域，形成于所述第一区域的目标图形间距小于形成于所述第二区域的目标图形间距；在所...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的待刻蚀层，所述基底包括第一区域和第二区域，形成于所述第一区域的目标图形间距小于形成于所述第二区域的目标图形间距；/n在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层；/n形成保形覆盖所述第一掩膜层和基底的侧墙材料层，位于所述第一掩膜层的侧壁的所述侧墙材料层作为掩膜侧墙，剩余的所述侧墙材料层作为牺牲层，其中，位于所述第一区域的所述第一掩膜层和掩膜侧墙用于构成第一掩膜结构，位于所述第二区域的所述第一掩膜层和掩膜侧墙用于构成第二掩膜结构；/n对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理，所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的待刻蚀层，所述基底包括第一区域和第二区域，形成于所述第一区域的目标图形间距小于形成于所述第二区域的目标图形间距；
在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层；
形成保形覆盖所述第一掩膜层和基底的侧墙材料层，位于所述第一掩膜层的侧壁的所述侧墙材料层作为掩膜侧墙，剩余的所述侧墙材料层作为牺牲层，其中，位于所述第一区域的所述第一掩膜层和掩膜侧墙用于构成第一掩膜结构，位于所述第二区域的所述第一掩膜层和掩膜侧墙用于构成第二掩膜结构；
对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理，所述横向减薄处理适于减小所述第一掩膜结构的宽度；
去除位于所述基底上的所述牺牲层；
以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述基底，将所述待刻蚀层图形化成多个凸起的目标图形。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述待刻蚀层为核心材料层；
将所述待刻蚀层图形化成多个凸起的目标图形后，所述目标图形为核心层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层的步骤包括：形成覆盖所述基底的第一掩膜材料层；
形成覆盖所述第一掩膜材料层的平坦化层；
形成覆盖所述平坦化层的抗反射涂层；
在所述第一区域和第二区域的所述抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射涂层、平坦化层和第一掩膜材料层，将所述第一掩膜材料层图形化成第一掩膜层。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述待刻蚀层上的第二掩膜材料层；
在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的耐刻蚀度小于所述第二掩膜材料层的耐刻蚀度；
以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述基底，将所述待刻蚀层图形化成多个凸起的目标图形的步骤包括：以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述第二掩膜材料层，形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层露出的所述待刻蚀层。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保形覆盖所述第一掩膜层和基底的侧墙材料层...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪世良，刘盼盼，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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