零层刻蚀方法技术

本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；进行刻蚀，刻蚀至目标深度；去除光阻。本申请通过在目标芯片产品的零层刻蚀过程中，通过形成有不同可应用于不同芯片产品的对准图形的零层掩模板，基于目标芯片产品对应的曝光步长进行曝光，因此不需要设计目标芯片产品的专用零层曝光掩模板，降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
零层刻蚀方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种零层刻蚀方法。
技术介绍
在半导体制作过程中，由于第一层结构通常为离子注入层，在制作过程中不留下对位标记，因此后续的层次难以与第一层对准，鉴于此，可通过在第一层结构前进行零层光刻，在第零层形成光刻标记，使第一层能够与后续的层次进行对准。另外，外延工艺对对位标记的影响较大，部分流程也会引入零层光刻。相关技术中，对于不同的产品，需要制作不同类型的光刻掩模板，使用不同的光刻掩模板分别进行零层光刻。然而，使用相关技术中提供的零层刻蚀方法，由于需要制作不同类型的光刻掩模板，导致制造成本较高。
技术实现思路
本申请提供了一种零层刻蚀方法，可以解决相关技术中提供的零层刻蚀方法由于需要针对不同芯片产品设计不同的光刻掩模板所导致的制造成本较高问题。一方面，本申请实施例提供了一种零层刻蚀方法，所述方法应用于目标芯片产品的制作过程中，所述零层光刻是在所述制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，所述目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，所述方法包括：在所述晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种零层刻蚀方法，其特征在于，所述方法应用于目标芯片产品的制作过程中，所述零层光刻是在所述制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，所述目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，所述方法包括：/n在所述晶圆上覆盖光阻；/n通过零层掩模板，以所述目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，所述零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；/n进行刻蚀，刻蚀至目标深度；/n去除所述光阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种零层刻蚀方法，其特征在于，所述方法应用于目标芯片产品的制作过程中，所述零层光刻是在所述制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，所述目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，所述方法包括：
在所述晶圆上覆盖光阻；
通过零层掩模板，以所述目标产品对应的曝光步长进行曝光，在目标区域曝光出对准图形，所述零层掩模板上形成有可应用于不同芯片产品的对准图形；
进行刻蚀，刻蚀至目标深度；
去除所述光阻。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光后的对准图形与下一层次的曝光场的交界之间的距离小于预设距离，所述下一层次是在所述方法后，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振海，吴长明，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32