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本申请公开了一种零层刻蚀方法，该方法应用于目标芯片产品的制作过程中，零层光刻是在制作过程中在目标层次的工序之前进行的光刻，目标层次是晶圆上不形成光刻对位标记的层次结构，该方法包括：在晶圆上覆盖光阻；通过零层掩模板，以目标产品对应的曝光步长进...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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