亲水滑水化处理剂和表面处理方法技术

提供能够通过低温下的干燥形成具有亲水性也具有水滴除去性的被膜的亲水滑水化处理剂、使用了该亲水滑水化处理剂的表面处理方法、通过该表面处理方法形成了亲水滑水性被膜的基材、以及通过该表面处理方法形成了亲水滑水性被膜的热交换器用翅片材。一种处理剂，设为含有具备含亲水性链的基和水解性基这两者的特定结构有机硅化合物、以及金属醇盐。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】亲水滑水化处理剂和表面处理方法
本专利技术涉及亲水滑水化处理剂、使用了该亲水滑水化处理剂的表面处理方法、通过该表面处理方法形成了亲水滑水性被膜的基材、以及通过该表面处理方法形成了亲水滑水性被膜的热交换器用翅片材。
技术介绍
以往，已知有对金属基材的表面实施亲水化处理的技术。例如，在使用铝的热交换器中，为了防止冷凝水附着在翅片表面引起的噪声的产生、水滴飞溅导致的污染等问题，对翅片表面实施亲水化处理。作为对金属基材的亲水化处理中使用的亲水化处理剂，例如，提出了含有具有乙酰乙酰基和氧化烯基的改性聚乙烯醇系树脂、以及交联剂的亲水化处理剂(参照专利文献1)。利用专利文献1中记载的亲水化处理剂，能够形成不仅亲水性优异，而且耐水性也优异的被膜。然而，在亲水性优异的被膜上，有冷凝水稳定化而难以被除去的倾向。即，越是亲水性优异的被膜，水滴除去性越差。于是，作为亲水且水滴除去性优异的处理剂，公开了含有亲水性聚合物(a)和交联剂(b)的亲水性涂料(参照专利文献2)。然而，专利文献2记载的亲水性涂料会引发使用交联剂的固化反应，必须进行高温下的烘烤干燥。具体地，通常必须在原材料达到的最高温度约为150～约250℃、优选190～240℃的高温下烧印(引用文献2第[0063]段)。与此相对，也提出了可在低温下干燥、能够形成滑水性优异的被膜的表面处理剂(参照专利文献3)。专利文献3记载的处理剂含有有机硅烷和金属醇盐，通过在含有有机溶剂、水、催化剂的溶液中共水解-缩聚来获得被膜。然而，专利文献3记载的被膜不是亲水性的，而是疏水性的，其接触角为100°左右。因此是无法在需要亲水性被膜的材料中应用的状况。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-141625号公报专利文献2：日本特开2016-155923号公报专利文献3：日本特开2013-213181号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术是鉴于上述
技术介绍
做出的，其目的在于，提供能够通过低温下的干燥形成具有亲水性也具有水滴除去性的被膜的亲水滑水化处理剂、使用了该亲水滑水化处理剂的表面处理方法、通过该表面处理方法形成了亲水滑水性被膜的基材、以及通过该表面处理方法形成了亲水滑水性被膜的热交换器用翅片材。用于解决课题的方法为了解决上述课题，本专利技术人等进行了深入研究。于是，发现如果制成含有具有含亲水性链的基和水解性基这两者的特定结构有机硅化合物、以及金属醇盐的处理剂，则能够解决上述课题，从而完成了本专利技术。即，本专利技术为一种亲水滑水化处理剂，其含有在至少1个硅原子上结合有至少1个含亲水性链的基和至少1个水解性基的有机硅化合物(A)、以及金属醇盐(B)，前述有机硅化合物(A)与前述金属醇盐(B)的摩尔比(A/B)为0.07～0.4。前述含亲水性链的基可以为下述式(1)所表示的基。[化1](式中，R1为氢原子、烷基、烷氧基、环烷基、烯基、芳香族烃基或羟基，R2为碳数1～5的亚烷基，当1个含亲水性链的基中存在多个R2的情况下，各R2彼此可以相同也可以不同，n为4以上的整数，R3为碳数1～5的亚烷基。)前述式(1)中的R2可以为亚乙基。前述式(1)中的R1可以为烷氧基。前述式(1)中的R1可以为甲氧基。前述水解性基可以为烷氧基。前述水解性基可以为甲氧基。前述有机硅化合物(A)可以结合有1个含亲水性链的基和3个水解性基。另外，本专利技术为一种表面处理方法，包括使上述亲水滑水化处理剂与要赋予亲水滑水性的基材的表面接触而形成亲水滑水性被膜的亲水滑水性被膜形成工序。前述基材可以为铝。前述基材可以为热交换器用翅片材。另外，本专利技术为通过上述表面处理方法在表面形成了亲水滑水性被膜的基材。另外，本专利技术为通过上述表面处理方法在表面形成了亲水滑水性被膜的热交换器用翅片材。专利技术效果根据本专利技术的亲水滑水化处理剂，无需高温下的烧印干燥，可以通过低温干燥形成具有亲水性也具有水滴除去性的被膜。因此，能够在低温条件下，生产平衡性良好地具有难以兼顾的亲水性和水滴除去性的被膜。此外，因为可在低温条件下干燥，所以对于食品包装材料、农业用薄膜等没有耐热性的聚合物基材也可应用，对于建筑外装、窗玻璃等，能够现场实施涂装、在常温下干燥并表现性能。进一步，根据本专利技术的亲水滑水化处理剂，能够形成透明性优异的被膜。因此，在窗玻璃等必须有透明性的对象中也可合适地应用。因此，本专利技术的亲水滑水化处理剂在产业上的可利用性非常大。此外，用本专利技术的亲水滑水化处理剂形成的亲水滑水性被膜兼具亲水性和水滴除去性，因此发挥自清洁功能。因此，用本专利技术的亲水滑水化处理剂在表面形成了亲水滑水性被膜的基材能够在例如热交换器用翅片材等要求亲水性和水滴除去性这两者、此外希望有自清洁功能的用途中合适地应用。具体实施方式以下对本专利技术的实施方式进行说明。<亲水滑水化处理剂>本专利技术的亲水滑水化处理剂含有在硅原子上结合有至少1个含亲水性链的基和至少1个水解性基的有机硅化合物(A)、以及金属醇盐(B)。需说明的是，本专利技术的亲水滑水化处理剂只要含有上述有机硅化合物(A)和金属醇盐(B)作为必需成分即可，也可以含有其他成分。[有机硅化合物(A)]作为本专利技术的亲水滑水化处理剂的必需成分的有机硅化合物(A)是在至少1个硅原子上结合有至少1个含亲水性链的基和至少1个水解性基的化合物。本专利技术的亲水滑水化处理剂中，有机硅化合物(A)表现亲水性的功能。硅原子为4价元素，所以最多结合有4个基。本专利技术中，4个中的至少1个为含亲水性链的基，而且至少1个为水解性基。因此，结合于硅原子的剩下的2个基没有特别限定，为含亲水性链的基、水解性基或其他任意的基均可。此外，具有多个含亲水性链的基或多个水解性基的情况下，含亲水性链的基和水解性基彼此可以相同也可以不同。其中，作为本专利技术的亲水滑水化处理剂的必需成分的有机硅化合物(A)优选在硅原子上结合有1个含亲水性链的基和3个水解性基。此外，3个水解性基彼此可以相同也可以不同。需说明的是，有机硅化合物(A)至少含有1个上述那样的硅原子即可，也可以含有多个硅原子。例如，可以是上述那样的硅原子缩合而得的缩合物，也可以是含有至少1个上述那样的硅原子的、不同种类的有机硅化合物的混合物。(含亲水性链的基)有机硅化合物(A)中的含亲水性链的基没有特别限定，例如，优选为下述式(1)所表示的基。[化2](式中，R1为氢原子、烷基、烷氧基、环烷基、烯基、芳香族烃基或羟基，R2为碳数1～5的亚烷基，1个含亲水性链的基中存在多个R2的情况下，各R2彼此可以相同也可以不同，n为4以上的整数，R3为碳数1～5的亚烷基。)上述式(1)所表示的含亲水性链的基中，R2与氧结合的重复单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种亲水滑水化处理剂，/n含有：在至少1个硅原子上结合有至少1个含亲水性链的基和至少1个水解性基的有机硅化合物(A)、以及金属醇盐(B)，/n所述有机硅化合物(A)与所述金属醇盐(B)的摩尔比(A/B)为0.07～0.4。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190124 JP 2019-0105331.一种亲水滑水化处理剂，
含有：在至少1个硅原子上结合有至少1个含亲水性链的基和至少1个水解性基的有机硅化合物(A)、以及金属醇盐(B)，
所述有机硅化合物(A)与所述金属醇盐(B)的摩尔比(A/B)为0.07～0.4。


2.根据权利要求1所述的亲水滑水化处理剂，所述含亲水性链的基由下述式(1)表示，
[化1]



式中，R1为氢原子、烷基、烷氧基、环烷基、烯基、芳香族烃基或羟基，
R2为碳数1～5的亚烷基，当1个含亲水性链的基中存在多个R2的情况下，各R2彼此可以相同也可以不同，
n为4以上的整数，
R3为碳数1～5的亚烷基。


3.根据权利要求2所述的亲水滑水化处理剂，所述式(1)中的R2为亚乙基。


4.根据权利要求2所述的亲水滑水化处理剂，所述式(1)中的R1为烷氧基。


5.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子宗平，松崎正干，穗积笃，浦田千寻，
申请(专利权)人：日涂表面处理化工有限公司，国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP