一种冗余填充方法技术

本申请实施例公开了一种冗余填充方法，所述方法包括：形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括下部位线层和存储堆叠层；对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相变结构体包括第一功能结构和第一冗余结构；在所述第一间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第一冗余结构。

【技术实现步骤摘要】
一种冗余填充方法
本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种冗余填充方法。
技术介绍
随着集成电路特征尺寸的不断缩小，半导体器件(Device)的设计尺寸越来越来越精密，制作工艺上微小的波动都可能会对器件的性能产生不可忽略的影响，这就对半导体制造工艺稳定性的提出了越来越高的要求。但是工艺稳定性也不可避免地受到集成电路设计版图的影响。例如在设计版图空旷区域填充冗余图形，能有效减少平坦化过程中的凹陷(dishing)或侵蚀(erosion)现象；在靠近栅极周围加入器件辅助图形，能有效减小刻蚀负载效应(loadingeffect)对栅极关键尺寸的影响，提高栅极的线宽均匀性。然而，针对三维存储器，其存储单元的形成过程中存在多个平坦化和刻蚀的步骤，由于设计版图的图形密度的影响，导致平坦化和刻蚀步骤后会产生凹陷、侵蚀、刻蚀负载效应等缺陷。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供冗余填充方法。为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：第一方面，本申请实施例提供一种冗余填充方法，所述方法包括：形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括下部位线层和存储堆叠层；对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相变结构体包括第一功能结构和第一冗余结构；在所述第一间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第一冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述第一功能结构与所述第一冗余结构的结构相同，其中，所述第一功能结构包括多个第一目标结构，所述多个第一目标结构中的每个第一目标结构包括一条下部位线和一条存储堆叠条。在一种可选的实施方式中，所述对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，包括：确定第一设计版图，根据所述第一设计版图的图形密度确定第一冗余填充区域；对第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以在存储区形成第一功能结构，以及在所述第一冗余填充区域形成第一冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述去除所述第一冗余结构，包括：在所述第一相变结构体上形成截切掩膜；通过所述截切掩膜刻蚀去除所述第一冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：形成下部字线层；对所述下部字线层和所述第一功能结构沿第二方向进行刻蚀，以形成沿第一方向交替排列的第二间隙和第二相变结构体；所述第二相变结构体包括第二功能结构和第二冗余结构；在所述第二间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第二冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述第二功能结构包括多个第二目标结构，所述多个第二目标结构中的每个第二目标结构包括一条下部字线和与该条下部字线连接的下部存储堆叠单元。在一种可选的实施方式中，所述对所述下部字线层和所述第一功能结构沿第二方向进行刻蚀，以形成沿第一方向交替排列的第二间隙和第二相变结构体，包括：确定第二设计版图，根据所述第二设计版图的图形密度确定第二冗余填充区域；对所述下部字线层和所述第一功能结构沿第二方向进行刻蚀，以在存储区形成第二功能结构，以及在所述第二冗余填充区域形成第二冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述去除所述第二冗余结构，包括：在所述第二相变结构体上形成截切掩膜；通过所述截切掩膜刻蚀去除所述第二冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：在所述第二功能结构上形成第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括上部字线层和存储堆叠层；对所述第二堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第三间隙和第三相变结构体；所述第三相变结构体包括第三功能结构和第三冗余结构；在所述第三间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第三冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：形成上部位线层；对所述上部位线层和所述第三功能结构沿第二方向进行刻蚀，以形成沿第一方向交替排列的第四间隙和第四相变结构体；所述第四相变结构体包括第四功能结构和第四冗余结构；在所述第四间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第四冗余结构。在一种可选的实施方式中，所述存储单元堆叠层包括相继堆叠的第一电极层、选择器层、第二电极层、相变存储层和第三电极层。本申请实施例公开了一种冗余填充方法，所述方法包括：形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括下部位线层和存储堆叠层；对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相变结构体包括第一功能结构和第一冗余结构；在所述第一间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第一冗余结构。本申请利用第一功能结构的形成工艺形成第一冗余结构，通过第一冗余结构的插入，可以减少各区域图形密度的差异，从而可以改善平坦化处理后表面的平坦性，避免后续产生缺陷而影响产品良率。并且本申请实施例中在平坦化处理后将冗余结构去除，从而该冗余结构的插入也不会影响该冗余结构形成区域的后续制程。附图说明图1a为本申请实施例提供的一种三维相变存储器的存储区局部水平示意图；图1b为本申请实施例提供的一种三维相变存储器的外围区局部水平示意图；图2为本申请实施例提供的一种冗余填充方法的实现流程示意图；图3a至图3f为本申请一实施例的相变存储器的制造过程的剖面示意图；图4a至图4f为本申请一实施例的相变存储器的制造过程的俯视图；图5为本申请实施例提供的一种三维相变存储阵列的局部水平示意图；图6为本申请实施例提供的一种三维相变存储器的局部的三维视图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种冗余填充方法，其特征在于，所述方法包括：/n形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括下部位线层和存储堆叠层；/n对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相变结构体包括第一功能结构和第一冗余结构；/n在所述第一间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；/n对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第一冗余结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种冗余填充方法，其特征在于，所述方法包括：
形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括下部位线层和存储堆叠层；
对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相变结构体包括第一功能结构和第一冗余结构；
在所述第一间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；
对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第一冗余结构。


2.根据权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述第一功能结构与所述第一冗余结构的结构相同，其中，所述第一功能结构包括多个第一目标结构，所述多个第一目标结构中的每个第一目标结构包括一条下部位线和一条存储堆叠条。


3.根据权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述对所述第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，包括：
确定第一设计版图，根据所述第一设计版图的图形密度确定第一冗余填充区域；
对第一堆叠结构沿第一方向进行刻蚀，以在存储区形成第一功能结构，以及在所述第一冗余填充区域形成第一冗余结构。


4.根据权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述去除所述第一冗余结构，包括：
在所述第一相变结构体上形成截切掩膜；
通过所述截切掩膜刻蚀去除所述第一冗余结构。


5.根据权利要求1所述的冗余填充方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成下部字线层；
对所述下部字线层和所述第一功能结构沿第二方向进行刻蚀，以形成沿第一方向交替排列的第二间隙和第二相变结构体；所述第二相变结构体包括第二功能结构和第二冗余结构；
在所述第二间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；
对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第二冗余结构。


6.根据权利要求5所述的冗余填充方法，其特征在于，所述第二功能结构包括多个第二目标结...

【专利技术属性】
技术研发人员：张恒，刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42