一种涡流探伤辅助检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种涡流探伤辅助检测装置，包括壳体和设置在壳体内部的控制电路，控制电路包括发射电路、放大电路和处理电路；所述发射电路用于发射信号，以辨别工件的存在，其输出端与放大电路连接，放大电路用于将信号进行放大，便于后续处理电路的工作，放大电路的输出端与处理电路连接，处理电路用于对发射信号进行频率同步处理，降低外部干扰，提高检测稳定性。本实用新型专利技术设置的控制电路，结构简单，其通过发射电路、放大电路和处理电路的结合能够在工件检测的时候进行辅助，提高了检测的准确性。

【技术实现步骤摘要】
一种涡流探伤辅助检测装置
本技术涉及涡流探伤装置领域，特别是涉及一种涡流探伤辅助检测装置。
技术介绍
涡流探伤是利用电磁感应原理，检测导电构件表面和近表面缺陷的一种探伤方法。其原理是用激磁线圈使导电构件内产生涡电流，借助探测线圈测定涡电流的变化量，从而获得构件缺陷的有关信息。按探测线圈的形状不同，可分为穿过式(用于线材、棒材和管材的检测)、探头式(用于构件表面的局部检测)和插入式(用于管孔的内部检测)三种。在电涡流探伤仪对活塞销工件进行探伤时，为辨别工件的个数，控制开关门的节拍等后级处理的需要，必须对工件的开始和结束进行辨别．由于活塞销表面光洁度较高，所以在此系统中采用反射式监测。即工件在运动过程中．其会逐渐进入探伤区域，发射管发射的光束也由工件表面反射后由接收管接收。当遇倒角时，发射光会产生偏离，使得接收管收不到信号，此变化信号作为开始检测和结束检测的信号。但是传统的电涡流探伤仪在使用的时候，工作性能较低，抗干扰性差，即检测过程中，接收管会经常在有工件时也接受不到信号，而该信号又作为开始检测和结束检测的信号，所以说，会出现工件漏算的情况，为了提高检测的准确性，提出一种新的涡流探伤用辅助检测设备是非常重要的。
技术实现思路
本技术的目的在于：为了克服上述缺陷，提出一种涡流探伤辅助检测装置以提高其检测的准确性。为实现上述目的，本技术的技术方案为：一种涡流探伤辅助检测装置，包括壳体和设置在壳体内部的控制电路，控制电路包括发射电路、放大电路和处理电路；所述发射电路用于发射信号，以辨别工件的存在，其输出端与放大电路连接，放大电路用于将信号进行放大，便于后续处理电路的工作，放大电路的输出端与处理电路连接，处理电路用于对发射信号进行频率同步处理，降低外部干扰，提高检测稳定性。进一步地，所述发射电路包括处理器U1、电阻R1~R4、二极管D1~D2、电容C1~C2和晶体管Q1，所述处理器U1的引脚1连接至二极管D1、电阻R1~R2的一端和外部电压，所述二极管D1、电阻R1~R2的另一端与处理器U1的引脚7、8连接后连接至电阻R3~R4的一端，处理器U1的引脚7、8还与外部电压连接，电阻R3的另一端连接至二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至处理器U1的引脚6，电阻R4的另一端连接至晶体管Q1的集电极，晶体管Q1的基极连接二极管D2的另一端，晶体管Q1的集电极作为该电路的输出端与放大电路连接，所述处理器U1的引脚4连接至电容C2的一端，电容C2的另一端、处理器U1的引脚5与晶体管Q1的发射极均接地。进一步地，所述放大电路包括电容C3、电阻R5~R6和处理器U2，所述电容C3的一端作为该电路的输入端与发射电路的输出端连接，电容C3的另一端连接至电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接至处理器U2的引脚1和电阻R6的一端，处理器U2的引脚2和其引脚5均接地，其引脚4与发射电路中电阻R4的一端连接，处理器U2的引脚3作为该电路的输出端。进一步地，所述处理电路包括电容C4~C10、电阻R7~R8、二极管D3和处理器U3，所述电容C4作为该电路的输入端与放大电路的输出端连接，电容C4的另一端连接至处理器U3的引脚2，处理器U3的引脚3、引脚4分别与电容C7~C8的一端连接，处理器U3的引脚6还与电容C9、电阻R8的一端连接，电容C5~C9的另一端和处理器U3的引脚5均接地，所述处理器U3的引脚1连接至电容C5~C6和电阻R7的一端后与放大电路连接，电阻R7的另一端连接至二极管D3的一端，二极管D3的另一端连接至处理器U3的引脚8，电阻R8的另一端还连接至处理器U3的引脚7和电容C10的一端，电容C10的另一端连接外部电压，所述电阻R7的另一端作为该电路的输出端与外部工作人员检测查看装置连接。由于采用了上述方案，本技术的有益效果在于：解决了现有技术的不足，本技术提出一种涡流探伤辅助检测装置，其好处是：（1）本技术设置的控制电路，结构简单，其通过发射电路、放大电路和处理电路的结合能够在工件检测的时候进行辅助，提高了检测的准确性。（2）本技术的发射管与接收管均采用红外管，其能够设置一定频率，相较于普通发光二极管而言，能够确定频率，以保证实现二者工作频率的同步，避免遭遇外部的干扰，提高信号发射和接收的准确性。（3）本技术的处理电路能够实现发射信号与处理信号的基准同频，避免外界对整个系统的干扰，从而进一步地提高检测装置的稳定性。附图说明图1是本技术所述发射电路的电路原理图。图2是本技术所述放大电路的电路原理图。图3是本技术所述处理电路的电路原理图。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例如图1-3所示，一种涡流探伤辅助检测装置，包括壳体和设置在壳体内部的控制电路，控制电路包括发射电路、放大电路和处理电路。所述发射电路用于发射信号，以辨别工件的存在，其输出端与放大电路连接，放大电路用于将信号进行放大，便于后续处理电路的工作，放大电路的输出端与处理电路连接，处理电路用于对发射信号进行频率同步处理，降低外部干扰，提高检测稳定性。所述发射电路包括处理器U1、电阻R1~R4、二极管D1~D2、电容C1~C2和晶体管Q1，处理器U1的型号为LM555，二极管D1~D2选用红外管，二极管D1作为发射管使用，二极管D2作为接收管使用。所述处理器U1的引脚1连接至二极管D1、电阻R1~R2的一端和外部电压，所述二极管D1、电阻R1~R2的另一端与处理器U1的引脚7、8连接后连接至电阻R3~R4的一端，处理器U1的引脚7、8还与外部电压连接，电阻R3的另一端连接至二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至处理器U1的引脚6，电阻R4的另一端连接至晶体管Q1的集电极，晶体管Q1的基极连接二极管D2的另一端，晶体管Q本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种涡流探伤辅助检测装置，其特征在于：包括壳体和设置在壳体内部的控制电路，控制电路包括发射电路、放大电路和处理电路；所述发射电路用于发射信号，以辨别工件的存在，其输出端与放大电路连接，放大电路用于将信号进行放大，便于后续处理电路的工作，放大电路的输出端与处理电路连接，处理电路用于对发射信号进行频率同步处理，降低外部干扰，提高检测稳定性。/n

【技术特征摘要】
1.一种涡流探伤辅助检测装置，其特征在于：包括壳体和设置在壳体内部的控制电路，控制电路包括发射电路、放大电路和处理电路；所述发射电路用于发射信号，以辨别工件的存在，其输出端与放大电路连接，放大电路用于将信号进行放大，便于后续处理电路的工作，放大电路的输出端与处理电路连接，处理电路用于对发射信号进行频率同步处理，降低外部干扰，提高检测稳定性。


2.根据权利要求1所述的一种涡流探伤辅助检测装置，其特征在于：所述发射电路包括处理器U1、电阻R1~R4、二极管D1~D2、电容C1~C2和晶体管Q1，所述处理器U1的引脚1连接至二极管D1、电阻R1~R2的一端和外部电压，所述二极管D1、电阻R1~R2的另一端与处理器U1的引脚7、8连接后连接至电阻R3~R4的一端，处理器U1的引脚7、8还与外部电压连接，电阻R3的另一端连接至二极管D2的一端，二极管D2的另一端连接至处理器U1的引脚6，电阻R4的另一端连接至晶体管Q1的集电极，晶体管Q1的基极连接二极管D2的另一端，晶体管Q1的集电极作为该电路的输出端与放大电路连接，所述处理器U1的引脚4连接至电容C2的一端，电容C2的另一端、处理器U1的引脚5与晶体管Q1的发射极均接地。


3.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭必友，郭清海，郑文坛，王永强，廖茂宇，袁强，
申请(专利权)人：成都工美科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51