一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶及防电迁移灯珠制造技术

技术编号:29795137 阅读:15 留言:0更新日期:2021-08-24 18:15
本发明专利技术涉及固晶胶技术领域,具体是一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶,包括固晶胶基体以及分布于所述固晶胶基体中的颗粒填充物,所述固晶胶用于填充在晶片与灯珠支架之间形成垫高层以防止所述晶片底部与所述灯珠支架的金属功能区直接接触。本发明专利技术还公开了一种防电迁移灯珠,包括灯珠支架、晶片、以及用于将晶片连接在灯珠支架上的应用于防电迁移灯珠的固晶胶。本发明专利技术提供的应用于防电迁移灯珠的固晶胶及防电迁移灯珠,通过在固晶胶基体中加入颗粒填充物,使晶片安装在灯珠支架上固晶后晶片被垫高,防止晶片底部与灯珠支架金属功能区直接接触,有效防止灯珠支架内部金属功能区与晶片电极之间的金属元素顺着晶片侧面和底部迁移导致短路等异常。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶及防电迁移灯珠
本专利技术涉及固晶胶
,具体是一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶及防电迁移灯珠。
技术介绍
随着人们对显示屏高清的要求越来越高,显示屏小间距产品发展迅猛,且间距越做越小。但目前小间距产品普遍存在电迁移等品质问题。电迁移现象,一方面表现在产品晶片电极之间的金属迁移;另一方面主要表现在LED灯珠支架内部金属功能区之间,以及支架金属功能区与晶片电极之间的金属迁移。本专利技术主要致力于改善支架金属功能区与晶片电极之间金属迁移,提升产品品质。目前市场上现有的LED灯珠产品,通常是通过在支架功能区点固晶胶,然后将RGB晶片邦定在固晶胶上,通过烘烤后将晶片固定在灯珠支架功能区,再通过焊线的方式将晶片的电极与灯珠支架另一个功能区连接起来,形成如图1所示的结构。市场上现有的LED灯珠产品在将晶片与灯珠支架固定时,通常采用固晶白胶将晶片邦定在灯珠支架上,如图2所示,固晶后晶片四周包胶,但晶片底部却与灯珠支架功能区直接接触。在通电时,晶片的电极与底部支架金属功能区相当于电场的两个电极,当两个电极之间加入电介质就会形成电场。由E=U/d=4πkQ/εS可知,当两个电场电极之间介电常数ε越小,或距离d越近,则电场强度E越大。当水汽(尤其是含有氯离子的水汽)渗入到LED灯珠内部,在有电场的作用下,支架表面的金属元素Cu、Ag等容易被电解成金属离子,灯珠支架电解出的金属离子会沿着电场方向,顺着晶片侧边缘迁移,导致晶片正面电极与底部灯珠支架短路。电场强度越大,会加速金属迁移,从而造成灯珠漏电或短路等异常。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶及防电迁移灯珠,解决现有技术中由于晶片底部与灯珠支架金属功能区直接接触导致的电迁移的问题。为解决上述问题,本专利技术提供技术方案如下:一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶,包括固晶胶基体以及分布于所述固晶胶基体中的颗粒填充物,所述固晶胶用于填充在晶片与灯珠支架之间形成垫高层以防止所述晶片底部与所述灯珠支架的金属功能区直接接触。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述颗粒填充物的粒径小于等于所述晶片长度的10%。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述晶片与灯珠支架之间形成的垫高层的高度小于等于所述晶片高度的15%。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述颗粒填充物的粒径为1μm~10μm,所述晶片与灯珠支架之间形成的垫高层的高度为1μm~10μm。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述颗粒填充物为绝缘颗粒。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述颗粒填充物为、碳化硅、纳米金刚石、碳化钛、碳化硼、硅、钛酸钡、二氧化硅、二氧化铈、二硫化钨、Li2MgSiO4、石墨烷、石墨烯氧化物、人造钻石、碳米纳管中的一种或多种。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述颗粒填充物在所述固晶胶中的重量占比为3%~30%。如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,所述固晶胶基体为环氧固晶胶或者硅胶固晶胶或者硅树脂固晶胶。一种防电迁移灯珠,包括灯珠支架、晶片、以及用于将晶片连接在灯珠支架上的如上所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶。如上所述的防电迁移灯珠,所述晶片包括平行设置且两电极设于同一端的第一晶片和第二晶片,所述固晶胶分别填充在所述第一晶片与灯珠支架之间以及填充在二晶片与灯珠支架之间。与现有技术相比,本专利技术有以下优点:本专利技术提供的应用于防电迁移灯珠的固晶胶及防电迁移灯珠,通过在固晶胶基体中加入颗粒填充物,使晶片安装在灯珠支架上固晶后晶片被垫高,防止晶片底部与灯珠支架金属功能区直接接触,一方面,相当于在晶片电极与灯珠支架之间的电场中加入了一种高介电常数的材料,由电场强度E=U/d=4πkQ/εS公式可知,当电场的介电常数ε增大时,电场强度E会变弱,如果有高介电常数的材料放在电场中,电场的强度会在电介质内有可观的下降,从而会从源头上减弱电场强度,能有效防止在电场作用下的金属迁移;另一方面,晶片被垫高后,延长了晶片电极与灯珠支架金属功能区之间电场的距离,由E=U/d可知,也会在一定程度上减弱电场强度,从而改善在电场作用下的金属迁移现象,进而有效防止灯珠支架内部金属功能区与晶片电极之间的金属元素顺着晶片侧面和底部迁移导致短路等异常。【附图说明】图1为现有LED产品中晶片与灯珠支架连接结构示意图。图2为现有LED产品中晶片通过固晶胶与灯珠支架连接的结构示意图。图3为本专利技术的晶片通过固晶胶与灯珠支架连接的结构示意图。图4为图3中A部放大图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术的保护范围。请参阅附图3至附图4,本实施例提供一种防电迁移灯珠,包括灯珠支架1、晶片2、以及用于将晶片2连接在灯珠支架1上的应用于防电迁移灯珠的固晶胶3,所述应用于防电迁移灯珠的固晶胶3包括固晶胶基体31以及分布于所述固晶胶基体31中的颗粒填充物32,所述固晶胶3用于填充在晶片2与灯珠支架1之间形成垫高层以防止所述晶片2底部与所述灯珠支架1的金属功能区直接接触。通过在固晶胶基体31中加入颗粒填充物32,使晶片2安装在灯珠支架1上固晶后晶片2被垫高,防止晶片2底部与灯珠支架1金属功能区直接接触,一方面,相当于在晶片2电极与灯珠支架1之间的电场中加入了一种高介电常数的材料,由电场强度E=U/d=4πkQ/εS公式可知,当电场的介电常数ε增大时,电场强度E会变弱,如果有高介电常数的材料放在电场中,电场的强度会在电介质内有可观的下降,从而会从源头上减弱电场强度,能有效防止在电场作用下的金属迁移;另一方面,晶片2被垫高后,延长了晶片2电极与灯珠支架1金属功能区之间电场的距离,由E=U/d可知,也会在一定程度上减弱电场强度,从而改善在电场作用下的金属迁移现象,进而有效防止灯珠支架内部金属功能区与晶片电极之间的金属元素顺着晶片侧面和底部迁移导致短路等异常。进一步地,所述晶片2包括平行设置且两电极设于同一端的第一晶片21和第二晶片22,所述固晶胶3分别填充在所述第一晶片21与灯珠支架1之间以及填充在二晶片22与灯珠支架1之间。本实施例中,第一晶片21为蓝灯晶片,第二晶片22为绿灯晶片,所述固晶胶3填充在第一晶片21与灯珠支架1之间使第一晶片21与灯珠支架1之间形成垫高层以防止所述第一晶片21底部与所述灯珠支架1的金属功能区直接接触,所述固晶胶3填充在第二晶片22与灯珠支架1之间使第二晶片22与灯珠支架1之间形成垫高层以防止所述第二晶片22底部与所述灯珠支架1的金属功能区直接接触,从而有效对蓝灯晶片和绿灯晶片防电迁移。进一步地,晶片2上与灯珠支架1连接的一端的周侧外壁也设有固晶胶3,其与晶片2与灯珠本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶,其特征在于:包括固晶胶基体(31)以及分布于所述固晶胶基体(31)中的颗粒填充物(32),所述固晶胶用于填充在晶片(2)与灯珠支架(1)之间形成垫高层以防止所述晶片(2)底部与所述灯珠支架(1)的金属功能区直接接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于防电迁移灯珠的固晶胶,其特征在于:包括固晶胶基体(31)以及分布于所述固晶胶基体(31)中的颗粒填充物(32),所述固晶胶用于填充在晶片(2)与灯珠支架(1)之间形成垫高层以防止所述晶片(2)底部与所述灯珠支架(1)的金属功能区直接接触。


2.根据权利要求1所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,其特征在于:所述颗粒填充物(32)的粒径小于等于所述晶片(2)长度的10%。


3.根据权利要求1所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,其特征在于:所述晶片(2)与灯珠支架(1)之间形成的垫高层的高度小于等于所述晶片(2)高度的15%。


4.根据权利要求1所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,其特征在于:所述颗粒填充物(32)的粒径为1μm~10μm,所述晶片(2)与灯珠支架(1)之间形成的垫高层的高度为1μm~10μm。


5.根据权利要求1所述的应用于防电迁移灯珠的固晶胶,其特征在于:所述颗粒填充物(32)为绝缘颗粒。


6.根据权利要求1所述的应用于防电迁移...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘勇华李远鹏李秦豫张盛
申请(专利权)人:吉安市木林森显示器件有限公司
类型:发明
国别省市:江西;36

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