【技术实现步骤摘要】
集成芯片、多重晶体管装置及其制造方法
本公开涉及一种多重晶体管装置(multi-transistordevice)，特别涉及一种利用虚拟晶体管以防止漏电的多重晶体管装置。
技术介绍
半导体产业借由，举例来说，降低最小特征尺寸及/或设置电子装置使其彼此间更加靠近，来持续地改进各种电子组件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件被整合在给定的面积中。举例来说，多重晶体管装置可包括多于一个的鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)，其中第一栅极电极与第二栅极电极可被设置在相同的连续鳍片上，以降低装置面积及/或增加制造效率。
技术实现思路
本公开实施例提供一种多重晶体管装置的制造方法。上述制造方法包括：接收用于电路设计图的初始布局设计，初始布局设计包括设置于连续鳍片上的第一栅极电极、第二栅极电极、以及虚拟栅极电极，其中虚拟栅极电极被设置于第一栅极电极与第二栅极电极之间，第一源极/漏极区域被设置于第一栅极电极与虚拟栅极电极之间，且第二源极/漏极区...
【技术保护点】
1.一种多重晶体管装置的制造方法，包括：/n接收用于一电路设计图的一初始布局设计，上述初始布局设计包括设置于一连续鳍片上的一第一栅极电极、一第二栅极电极、以及一虚拟栅极电极，其中上述虚拟栅极电极被设置于上述第一栅极电极与上述第二栅极电极之间，一第一源极/漏极区域被设置于上述第一栅极电极与上述虚拟栅极电极之间，且一第二源极/漏极区域被设置于上述第二栅极电极与上述虚拟栅极电极之间，其中上述第一栅极电极对应具有一第一临界电压的一第一晶体管，上述第二栅极电极对应具有一第二临界电压的一第二晶体管，而上述虚拟栅极电极对应具有一虚拟临界电压且分隔上述第一晶体管与上述第二晶体管的一虚拟晶体...
【技术特征摘要】
20200224 US 16/798,6601.一种多重晶体管装置的制造方法，包括：
接收用于一电路设计图的一初始布局设计，上述初始布局设计包括设置于一连续鳍片上的一第一栅极电极、一第二栅极电极、以及一虚拟栅极电极，其中上述虚拟栅极电极被设置于上述第一栅极电极与上述第二栅极电极之间，一第一源极/漏极区域被设置于上述第一栅极电极与上述虚拟栅极电极之间，且一第二源极/漏极区域被设置于上述第二栅极电极与上述虚拟栅极电极之间，其中上述第一栅极电极对应具有一第一临界电压的一第一晶体管，上述第二栅极电极对应具有一第二临界电压的一第二晶体管，而上述虚拟栅极电极对应具有一虚拟临界电压且分隔上述第一晶体管与上述第二晶体管的一虚拟晶体管；
判断上述第一源极/漏极区域或上述第二源极/漏极区域中的至少一者是否对应上述电路设计图中的一漏极；以及
当上述第一源极/漏极区域或上述第二源极/漏极区域中的上述至少一者对应上述电路设计图中的上述漏极时，修改上述初始布局设计以将上述虚拟晶体管之上述虚拟临界电压增加为一修改后虚拟临界电压，借此提供一修改后布局设计，其中上述虚拟晶体管所具有之上述修改后虚拟临界电压高于上述第一临界电压及上述第二临界电压中的每一者。
2.如权利要求1所述的多重晶体管装置的制造方法，其中，一虚拟栅极介电层被设置于上述虚拟栅极电极与上述连续鳍片之间，且上述初始布局设计的修改包括：
在上述虚拟栅极电极与上述虚拟栅极介电层之间形成一功函数层。
3.如权利要求1所述的多重晶体管装置的制造方法，其中，上述初始布局设计的修改包括：
调整上述连续鳍片的一形成制程，以选择性地增加上述连续鳍片被上述虚拟栅极电极所覆盖的部分的掺杂浓度。
4.一种多重晶体管装置，包括：
一连续鳍片，自一基板突出，上述连续鳍片在一第一方向上延伸；
一第一晶体管装置，具有一第一临界电压且包括：
一第一栅极电极，在基本上垂直于上述第一方向的一第二方向上延伸，其中上述第一栅极电极直接覆盖上述连续鳍片的一第一通道区域；以及
上述连续鳍片的一第一源极/漏极区域及一第二源极/漏极区域，其中上述第一栅极电极将上述第一源极/漏极区域与上述第二源极/漏极区域分隔；
一第二晶体管装置，具有不同于上述第一临界电压的一第二临界电压，上述第二晶体管装置包括：
一第二栅极电极，在上述第二方向上延伸且直接覆盖上述连续鳍片的一第二通道区域；以及
上述连续鳍片的一第三源极/漏极区域及一第四源极/漏极区域，其中上述第二栅极电极将上述第三源极/漏极区域与上述第四源极/漏极区域分隔；以及
一虚拟晶体管装置，具有一虚拟栅极临界电压且包括：
一虚拟栅极电极，在上述第二方向上延伸且直接覆盖上述连...
【专利技术属性】
技术研发人员：林俊言，谢东衡，杨宝如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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