【技术实现步骤摘要】
PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池生产领域。
技术介绍
PECVD氧化铝工艺是在硅片背表面镀上一层氧化铝及氮化硅薄膜，从而减少硅片杂质复合，提高电池片效率，并提高吸收太阳光，降低背表面反射，保护电池片不受污染。为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：如何制作一种钝化效果更好、的晶硅电池背钝化减反膜。本专利技术所采用的技术方案是：PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式PECVD沉积，PECVD沉积过程安如下步骤进行步骤一、制备氧化铝膜；步骤二、进行第一次预清理，在管式PECVD中，氮气流量为5-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7-15kw，持续时间10-50s，处理温度为350-450℃；步骤三、制备氮氧化硅膜；步骤四、进行第二次预先清理，在管式PECVD中，氮气流量为3-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7-15kw，持续时间10-50s，处理温度为350-500℃；步骤五、制备氮化硅膜。步骤一中，制备氧化铝膜时，氮气流量为3-10L/min、笑气流量为5-10L/min，TMA流量50-150ml/min,压力1000-2000mT...
【技术保护点】
1.PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式 PECVD 沉积，其特征在于：PECVD 沉积过程安如下步骤进行/n步骤一、制备氧化铝膜；/n步骤二、进行第一次预清理，在管式 PECVD中，氮气流量为 5-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为 350-450℃；/n步骤三、制备氮氧化硅膜；/n步骤四、进行第二次预先清理，在管式 PECVD中，氮气流量为 3-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率 7-15kw，持续时间 10-50s，处理温度为 350-500℃；/n步骤五、制备氮化硅膜。/n
【技术特征摘要】
1.PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，在制绒、扩散、正激光、碱抛、后氧化的晶体硅片用管式PECVD沉积，其特征在于：PECVD沉积过程安如下步骤进行
步骤一、制备氧化铝膜；
步骤二、进行第一次预清理，在管式PECVD中，氮气流量为5-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7-15kw，持续时间10-50s，处理温度为350-450℃；
步骤三、制备氮氧化硅膜；
步骤四、进行第二次预先清理，在管式PECVD中，氮气流量为3-10L/min、氨气流量为5-10L/min，压力1000-2000mTorr，射频功率7-15kw，持续时间10-50s，处理温度为350-500℃；
步骤五、制备氮化硅膜。
2.根据权利要求1所述的PECVD提高氧化铝背膜钝化效果的制备方法，其特征在于：步骤一中，制备氧化铝膜时，氮气流量为3-10L/min、笑气流量为5-10L/...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋万昌，王森栋，
申请(专利权)人：山西潞安太阳能科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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