一种硅片沉积设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种硅片沉积设备，包括：加热模块、进气管路以及反应腔室；加热模块用于对预设的加热区域加热；反应腔室设置在加热区域内；进气管路包括进气端口、出气端口以及将进气端口连通至出气端口的加热管道，进气端口连通至反应腔室外部，加热管道经由出气端口与反应腔室的内部空间连通以向反应腔室输送气体，加热管道设有至少一弯曲结构，加热管道蜿蜒设置在反应腔室内。本实用新型专利技术实施例提供的硅片沉积设备，在利用化学气相沉积的方法在硅片表面制备氧化层时，在硅片表面各处沉积出厚度一致的氧化层。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片沉积设备
本技术实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种硅片沉积设备。
技术介绍
在半导体制造领域中，表面沉积经常被用在太阳能电池用硅片的表面处理工艺中，其利用化学气相沉积的方法使硅片与气体发生化学反应，以在硅片表面沉积出氧化层，减少或消除硅片表面的反射光，增加透光量，进而提高硅片的光电转换效率。为了提高气体与硅片的反应速率，在利用化学气相沉积在硅片表面沉积出氧化层时，先令气体通过位于反应腔室内部的进气管路，并对位于进气管路中的气体进行加热，以将位于进气管路中的气体加热至一定范围内，然后再利用流出进气管路、已被加热的气体与硅片发生化学反应。目前在利用化学气相沉积的方法在硅片表面制备氧化层时，在硅片表面各处沉积出的氧化层厚度不同。因此，亟需提供一种硅片沉积设备，在利用化学气相沉积的方法在硅片表面制备氧化层时，在硅片表面各处沉积出厚度一致的氧化层。
技术实现思路
本技术实施例的目的在于提供一种硅片沉积设备，在利用化学气相沉积的方法在硅片表面制备氧化层时，在硅片表面各处沉积出厚度一致的氧化层。为解决上述问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片沉积设备，其特征在于，包括：/n加热模块、进气管路以及反应腔室；/n所述加热模块用于对预设的加热区域加热；/n所述反应腔室设置在所述加热区域内；/n所述进气管路包括进气端口、出气端口以及与将所述进气端口连通至所述出气端口的加热管道，所述进气端口连通至所述反应腔室外部，所述加热管道经由所述出气端口与所述反应腔室的内部空间连通以向所述反应腔室输送气体，所述加热管道设有至少一弯曲结构，所述加热管道蜿蜒设置在所述反应腔室内。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片沉积设备，其特征在于，包括：
加热模块、进气管路以及反应腔室；
所述加热模块用于对预设的加热区域加热；
所述反应腔室设置在所述加热区域内；
所述进气管路包括进气端口、出气端口以及与将所述进气端口连通至所述出气端口的加热管道，所述进气端口连通至所述反应腔室外部，所述加热管道经由所述出气端口与所述反应腔室的内部空间连通以向所述反应腔室输送气体，所述加热管道设有至少一弯曲结构，所述加热管道蜿蜒设置在所述反应腔室内。


2.根据权利要求1所述的硅片沉积设备，其特征在于，所述加热管道为螺旋型管道。


3.根据权利要求2所述的硅片沉积设备，其特征在于，所述螺旋型管道的节距为400mm-800mm。


4.根据权利要求1所述的硅片沉积设备，其特征在于，所述加热管道还设有分别与所述弯曲结构两端相连的两个笔直结构，所述两个笔直结构的延伸方向相互平行，所述加热管道为往复回折型管道。

【专利技术属性】
技术研发人员：于琨，刘长明，张昕宇，王健达，祝亮亮，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33