【技术实现步骤摘要】
一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置
本专利技术涉及半导体光电子
,具体涉及一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置。
技术介绍
半导体光源芯片应用广泛,例如科研,工业等行业,对光源产品的参数性能要求逐步提高。半导体光源芯片一般有20%-30%的电功率转换为热能,热量直接作用于芯片,增加温升,影响芯片的可靠性及寿命。而温升与效率形成负反馈,若降低光电转换效率,严重直接烧毁。现有半导体光源芯片散热装置的设计,主要是通过更改微通道的结构,提升湍流流动状态,以增大换热系数,例如射流单孔的设计。现有散热装置的设计及原理见图1-3,该散热装置包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片05、上冷却叠片04、导流叠片03、下冷却叠片02和下密封叠片01。下密封叠片01包括相互隔离的入水口06与出水口013;下冷却叠片02上设有与入水口06位置相对应的第一镂空微结构07,以及与出水口013位置相对应的第三镂空微结构012,且两者相互隔离,第一镂空微结构07内设有由若干个筋板构成宽度相同的若干个第一冷却通道08,第三镂空微结构012沿下冷却叠片02两侧延伸至第一冷却通道08,若干个第一冷却通道08的长度由中间区域向两边区域递减;导流叠片03上设有与第一冷却通道08位置相对应的若干个射流孔09、与第三镂空微结构012完全相同的第二镂空微结构011,以及与第一镂空微结构07位置相对应的第二入水口014,且三者相互隔离;上冷却叠片04包括相互隔离的第四镂空微结构015、第三入水口016和第二出水口017,第四 ...
【技术保护点】
1.一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置,包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片(1)、上冷却叠片(2)、导流叠片(3)、下冷却叠片(4)和下密封叠片(5);/n所述下密封叠片(5)上设置相互隔离的第一入水口(6)和第一出水口(7);/n所述下冷却叠片(4)上设置相互隔离的第一镂空微结构(8)和第二镂空微结构(9);所述第一镂空微结构(8)的位置对应于第一入水口(6);所述第一镂空微结构(8)内设有由若干个筋板构成的冷却通道(10);所述第二镂空微结构(9)的位置对应于第一出水口(7);/n所述导流叠片(3)上设置相互隔离的第二入水口(11)、第三镂空微结构(12)与导流结构;所述第二入水口(11)的位置对应于第一镂空微结构(8);所述导流结构的位置对应于若干个冷却通道(10);/n所述上冷却叠片(2)上设有相互隔离的第三入水口(14)、第二出水口(15)、第四镂空微结构(16);所述第三入水口(14)与第二出水口(15)的位置分别对应于第二入水口(11)、第三镂空微结构(12);/n所述上密封叠片(1)上设置相互隔离第四入水口(18)与第三出水口(19),其位置分别对应于 ...
【技术特征摘要】
1.一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置,包括自上而下相互层叠设置的上密封叠片(1)、上冷却叠片(2)、导流叠片(3)、下冷却叠片(4)和下密封叠片(5);
所述下密封叠片(5)上设置相互隔离的第一入水口(6)和第一出水口(7);
所述下冷却叠片(4)上设置相互隔离的第一镂空微结构(8)和第二镂空微结构(9);所述第一镂空微结构(8)的位置对应于第一入水口(6);所述第一镂空微结构(8)内设有由若干个筋板构成的冷却通道(10);所述第二镂空微结构(9)的位置对应于第一出水口(7);
所述导流叠片(3)上设置相互隔离的第二入水口(11)、第三镂空微结构(12)与导流结构;所述第二入水口(11)的位置对应于第一镂空微结构(8);所述导流结构的位置对应于若干个冷却通道(10);
所述上冷却叠片(2)上设有相互隔离的第三入水口(14)、第二出水口(15)、第四镂空微结构(16);所述第三入水口(14)与第二出水口(15)的位置分别对应于第二入水口(11)、第三镂空微结构(12);
所述上密封叠片(1)上设置相互隔离第四入水口(18)与第三出水口(19),其位置分别对应于第三入水口(14)与第二出水口(15);
其特征在于:
所述导流结构为面阵喷射结构(13);所述面阵喷射结构(13)由N×M个喷射孔组成,其中N为列,M为行;
所述第四镂空微结构(16)内,且与导流叠片(3)上面阵喷射结构(13)相对应的位置设有热量导引片(17);
所述热量导引片(17)采用铜或金刚石或碳化硅制作,包括X个的筋条,X个的筋条构成X+1个微型通道(23),且每个筋条与其相邻筋条的距离相等;最外侧微型通道(23)的宽度大于内侧。
2.根据权利要求1所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置,其特征在于:所述喷射孔根据形状分为长方形喷射孔(131)和正方形喷射孔(132);
所述长方形喷射孔(131)设有两列,且设置在面阵喷射结构(13)的两侧;所述正方形喷射孔(132)设有N-2列,设置在两列长方形喷射孔(131)之间;
所述长方形喷射孔(131)的宽等于正方形喷射孔(132)的边长。
3.根据权利要求2所述的一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置,其特征在于:所述长方形喷射孔(131)的长为0.5mm,正方形喷射孔(132)的边长为0.2mm。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员:陈琅,李特,王贞福,于学成,
申请(专利权)人:中国科学院西安光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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